Заказать курсовые, контрольные, рефераты...
Образовательные работы на заказ. Недорого!

Дислокационные процессы при остановке и залечивании трещин в кристаллах

Диссертация: Дислокационные процессы при остановке и залечивании трещин в кристаллах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

AFM микроскопией рельефа поверхности скола кристаллов LiF показано, что ступеньки на поверхности скола могут быть одиночными или состоять из нескольких моноступеней высотой от 0,1 до 60 нм. Высота каждого из уступов на берегах трещины в местах ее остановки определяется числом дислокаций в связанной с ним линии скольжения. Линии скольжения, различаемые в оптический микроскоп, фактически… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. МИКРОПЛАСТИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ И РАЗРУШЕНИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ (ОБЗОР)
    • 1. 1. Механизмы пластической деформации кристаллов
      • 1. 1. 1. Механическое двойникование
        • 1. 1. 1. 1. Модели двойника
        • 1. 1. 1. 2. Упругое двойникование
        • 1. 1. 1. 3. Особенности зарождение микротрещин в двойникующих материалах
        • 1. 1. 1. 4. Двойникования в кристаллах кальцита. Каналы Розе
      • 1. 1. 2. Скольжение
      • 1. 1. 3. Другие формы пластической деформации
    • 1. 2. Пластическая деформация квазикристаллических материалов
    • 1. 3. Дислокационная пластичность кристалла
      • 1. 3. 1. Динамика дислокаций в кристаллическом теле
      • 1. 3. 2. Математическое и компьютерное моделирование динамики дислокаций
    • 1. 4. Математическое и компьютерное моделирование как способ изучения механизма разрушения
      • 1. 4. 1. Моделирование пластической зоны в вершине трещины
      • 1. 4. 2. Молекулярная динамика и метод Монте-Карло: история развития и применение
    • 1. 5. Залечивания кристаллических материалов
      • 1. 5. 1. Высокотемпературное залечивание
      • 1. 5. 2. Самопроизвольное залечивание трещин
      • 1. 5. 3. Залечивание с помощью
  • приложения внешнего сжимающего усилия
    • 1. 6. Современные методы исследования приповерхностных слоев материалов
  • ГЛАВА 2. ОСОБЕННОСТИ ОСТАТОЧНОЙ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ ПРИ ОСТАНОВКЕ МИКРОТРЕЩИН
    • 2. 1. Дислокационная структура остановившихся трещин
    • 2. 2. Математическая модель пластического течения в вершине трещины
      • 2. 2. 1. Асимметричное течение
      • 2. 2. 2. Математическое решение полученной системы уравнений
      • 2. 2. 3. Анализ полученных числовых данных
      • 2. 2. 4. Сравнение результатов математического моделирования с экспериментальными данными
      • 2. 2. 5. Симметричное течение
    • 2. 3. Исследование геометрического рельефа поверхности скола
      • 2. 3. 1. Объект и методы исследования
      • 2. 3. 2. Исследование чистой поверхности скола
      • 2. 3. 3. Исследование образцов методом химического травления
      • 2. 3. 4. Исследование боковой поверхности кристаллов
      • 2. 3. 5. Обработка экспериментальных данных
    • 2. 4. Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ В ВЕРШИНЕ ТРЕЩИНЫ В КРИСТАЛЛАХ С ЗАРЯЖЕННЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ
    • 3. 1. Электрические эффекты в ЩГК и полупроводниковых кристаллах
    • 3. 2. Статические электрические поля, создаваемые скоплениями заряженных дислокаций
    • 3. 3. Моделирование электрических полей в вершине трещины
    • 3. 4. Электрический дипольный момент скопления
    • 3. 5. Кинетика пластической деформации в вершине трещины
    • 3. 6. Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. ЗАРОЖДЕНИЕ МИКРОТРЕЩИН ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ВСТРЕЧНЫХ УПРУГИХ ДВОЙНИКОВ
    • 4. 1. Методика проведения эксперимента
    • 4. 2. Распределения по размерам микротрещин
    • 4. 3. Дислокационные модели двойников
    • 4. 4. Решение уравнений равновесия дислокаций
    • 4. 5. Результаты расчетов
      • 4. 5. 1. Заторможенный двойник
      • 4. 5. 2. Одиночный двойник
      • 4. 5. 3. Напряжения вокруг упругого двойника
      • 4. 5. 4. Взаимодействие встречных двойников
    • 4. 6. Выводы к главе 4

Дислокационные процессы при остановке и залечивании трещин в кристаллах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. В настоящее время появляются и интенсивно развиваются новые области техники и науки, базирующиеся на широком использовании своеобразных, а порой уникальных свойств монокристаллов.

Широкое использование получили кристаллы, в которых проявляются различные эффекты: пьезоэффект, пьезооптический эффект, пироэффект, магнито — и электрострикция. Показано, что в щелочногалоидных кристаллах наблюдается явление магнитопластичности — увеличение подвижности дислокаций при воздействии относительно слабого магнитного поля. Подобное возможно и при воздействии электрических полей. Последнее обусловлено наличием электрического заряда на дислокациях. Присутствие электрического заряда на дислокациях и других дефектах приводит к росту энергии разрушения и формированию в объеме кристалла электрических полей, напряженность которых может достигать пробойных значений и вызывать разрушение кристалла в областях скопления дислокаций, прежде чем механические напряжения достигнут разрушающих значений. В этом плане исследование эффектов в щелочногалоидных кристаллах, обусловленных скоплениями заряженных дислокаций является актуальным. Кроме того, электрическая активность структурных дефектов может быть использована для оценки кинетики их развития.

В ряде кристаллов, используемых в оптике, имеет место механическое двойникование. Механические двойники являются концентраторами напряжений, что представляет определенную опасность с точки зрения зарождения микротрещин. В тоже время двойникование является одним из видов деформации, в объяснении которой существует ряд неопределенностей и, следовательно, еще не выработаны четкие критерии и не определены условия возникновения трещин.

Эти и другие проблемы, связанные с использованием монокристаллов в науке и технике, делают в целом актуальными изыскания, направленные на изучение свойств ионных кристаллов, содержащих электрически активные дефекты или дефекты — концентраторы высоких механических напряжений.

Целью настоящей работы является исследование структуры пластической зоны, образующейся в вершине трещины при ее остановке и разгружении образца в кристаллах с заряженными дислокациями, а также установление механизма зарождения трещины в кристаллах кальцита при встречном развитии упругих двойников.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1) Предложить математическую модель пластического течения при асимметричном развитии деформации в вершине трещины нормального отрыва.

2) Выполнить исследование рельефа поверхности скола щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК) методом атомно-силовой микроскопии (AFM) для установления тонкой структуры линий скольжения в местах остановки трещины.

3) Установить роль заряда дислокаций на процессы формирования пластической зоны и разрушения образца.

4) Проанализировать дислокационные модели свободно растущего упругого двойника под действием постоянной нагрузки, а также заторможенного двойника и в рамках предложенных моделей рассмотреть взаимодействие встречных упругих двойников.

5) Предложить механизм вскрытия микротрещины между вершинами взаимодействующих встречных упругих двойников.

Научная новизна полученных результатов состоит в том, что:

1. Показано, что формирующуюся пластическую зону в вершине остановившейся трещины в ЩГК можно моделировать одиночной линией скольжения, которая адекватно описывает процесс развития и эволюции пластической зоны, представленной набором дислокаций. Модель позволяет определить количественные и качественные характеристики такого течения в зависимости от величины внешнего нагружающего усилия в момент остановки трещины и от величины напряжений трения кристаллической решетки.

2. Экспериментально методами AFM-микроскопии получены данные о геометрическом рельефе поверхности скола кристаллов LiF: определены величины углов наклона и высот ступенек, образующихся на поверхности скола кристалла в моменты кратковременных остановок трещины при прохождении ее сквозь образец.

3. Впервые выдвинуто предположение, что зона сдвига, образующаяся при пластической деформации, представляет собой не локализованную полосу сдвига, а диффузную полосу скольжения толщиной до сотен нанометров, что подтверждено экспериментально.

4. Оценены электрические поля, характеризующие электрически активную пластическую зону в вершине трещины, полученную асимметричным сколом. Установлено, что при определенных условиях величина напряженности образованного скопления заряженных дислокаций может достигать значений, сравнимых с пробойным значением напряженности для атмосферного воздуха. Аналитически установлены зависимости напряженности электрического поля и дипольного момента скопления заряженных дислокаций от внешней нагрузки и напряжений внутреннего трения кристалла.

5. В кристаллах кальцита предложен механизм зарождения упругих каналов Розе (УКР), основанный на взаимодействии встречных упругих двойников, рост которых обусловлен соотношением сил взаимодействия дислокаций двойников и сопротивления кристалла сдвигу. Проведена аналитическая оценка такого взаимодействия.

Научная ценность и практическая значимость работы. Полученные в работе результаты могут быть использованы при разработке теории прочности и пластичности материалов. Рассмотренные модели пластической зоны в вершине остановившейся трещины взаимодействующих упругих двойников и найденные критерии зарождения микротрещин позволяют прогнозировать процесс разрушения материалов в зависимости от режимов нагружения. Кроме того контроль электрической активности кристаллов с заряженными дислокациями позволит получать информацию о состоянии кристалла по величине электрического диполя.

Результаты работы могут быть использованы в организациях и лабораториях, занимающихся разработкой теорий прочности и пластичности материалов: в Воронежском государственном университете, Белгородском государственном университете, Институте кристаллографии им. А. В Шуб-никова РАН, Сибирском государственном индустриальном университете, Институте физики прочности и материаловедения СО РАН, Тамбовском государственном университете им. Г. Р. Державина, МГУ им. М. В. Ломоносова и др.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Модель асимметричной пластической зоны, формирующейся в вершине остановившейся трещины. Количественные характеристики пластической зоны в нагруженном и разгруженном состояниях кристалла.

2. Результаты исследования зоны сдвига, образующейся при пластической деформации на поверхности образца при движении трещины сквозь образец в местах ее остановки. Показано, что зона сдвига представляется диффузным набором полос скольжения толщиной от десятка до сотен нанометров.

3. Аналитически установленные значения напряженности и дипольного момента электрического поля, формируемого электрически активной пластической зоной, а также влияние заряда на дислокациях на процесс пластического течения ЩГК.

4. Результаты моделирования, взаимодействия упругих двойников в кристалле кальцита и влияние на это взаимодействие различных внутренних факторов.

5. Механизм зарождения микротрещины (упругого канала Розе) между вершинами взаимодействующих двойников, основанный на модели зарождения трещины, предложенной Фудзито.

Апробация работы. Результаты исследований докладывались на «XV Петербургских чтениях по проблемам прочности, посвященных 100-летию со дня рождения, ак. С.Н. Журкова» (СанктПетербург, 2005), на XLIV Международной конференции «Актуальные проблемы прочности» (Вологда,.

2005), на II Международной школе «Физическое материаловедение» и XVIII Уральской школе металловедов-термистов «Актуальные проблемы физического металловедения сталей и сплавов» (Тольятти, 2006), на «XVI Петербургских чтениях по проблемам прочности, поев. 75-летию со дня рождения В.А. Лихачева» (Санкт-Петербург, 2006), на XVI Международной конференции «Физика прочности и пластичности материалов» (Самара,.

2006), на Четвертой Международной конференции «Фазовые превращения и прочность кристаллов», поев, памяти ак. Г. В. Курдюмова (Черноголовка, 2006), на 45 Международной конференции «Актуальные проблемы прочности» (Белгород, 2006), на первой Международной конференции «Деформация и разрушение материалов» (Москва, 2006), III Международной конференции по физ. кристаллов «Кристаллофизика 21-го века» (Черноголовка, 2006), на «XVII Петербургских чтениях по проблемам прочности, поев. 90-летию со дня рожд. проф. А.Н. Орлова» (Санкт-Петербург, 2007), на IV Международной школе-конференции «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений» (Тамбов,.

2007), на IX Российско-Китайском симпозиуме «Новые материалы и технологии» (Астрахань, 2007), на Второй Международной конференции «Деформация и разрушение материалов» (Москва, 2007) и на научных конференциях преподавателей и сотрудников ТамбГУ (2004 -2008 г. г.).

Публикации. Результаты диссертации опубликованы в 10 статьях, четыре из которых в перечне ВАК, и 10 тезисах докладов на международных и всероссийских конференциях.

Достоверность результатов. Выводы диссертации основаны на проведении комплексных исследований, включающих сопоставление данных, полученных при моделировании, с экспериментальными даннымиони не противоречат известным положениям физики конденсированного состояния и согласуются с экспериментальными результатами других исследователей.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, списка цитированной литературы, содержащего 266 наименования. Полный объем составляет 152 страницы машинописного текста, в том числе 67 иллюстраций и одной таблицы.

ВЫВОДЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

1. Методом компьютерного моделирования исследовано пластическое течение в вершине остановившейся трещины на примере кристаллов LiF. Выделены две стадии формирования пластической зоны: перваяобразование линии скольжения в момент остановки трещины, когда образец остается нагруженным, и вторая — её эволюция после снятия нагрузки и частичного залечивания вершины трещины. Установлено, что на второй стадии часть дислокаций 30−40%) выходит на плоскость трещины благодаря действию сил взаимного отталкивания и изображения, обеспечивая тем самым частичное залечивание вершины трещины.

2. AFM микроскопией рельефа поверхности скола кристаллов LiF показано, что ступеньки на поверхности скола могут быть одиночными или состоять из нескольких моноступеней высотой от 0,1 до 60 нм. Высота каждого из уступов на берегах трещины в местах ее остановки определяется числом дислокаций в связанной с ним линии скольжения. Линии скольжения, различаемые в оптический микроскоп, фактически представляют собой тонкие диффузные полосы скольжения, имеющие конечную ширину, значение которой может достигать сотен нанометров, а профиль вершины трещины может быть представлен полостью с суммарным раскрытием порядка десятка нанометров, ступенчато сужающегося к вершине трещины.

3. Рассчитаны основные характеристики электрического поля, образованного в результате формирования пластической зоны в вершине трещины в кристалле LiF. Показано, что значения напряженности электрического поля от скопления заряженных дислокаций могут достигать величин сравнимых с пробойным значением напряженности для атмосферного воздуха. Величина напряженности убывает при разгрузке образца (при выходе части дислокаций на поверхность трещины) и увеличивается при увеличении внешней нагрузки за счет увеличения локальной плотности дислокаций в линии скольжения.

4. Определены электрический дипольный момент скопления, а также производная от дипольного момента по времени, которая определяет дислокационный ток. Расчет данных электрических характеристик пластической зоны позволил описать кинетику ее образования: время формирования дислокационной структуры в вершине трещины при ее остановке и дальнейшей эволюции занимает ~ 30 мкс.

5. Предложены дислокационные модели двойников, представленные набором дислокаций. Получены равновесная форма и размеры упругого двойника, растущего под действием сосредоточенной нагрузки, моделируемой супердислокацией с вектором Бюргерса равным mb, установлено распределение упругих напряжений, создаваемых двойником, а также влияние сил трения на форму двойника и плотность распределения дислокаций в нем.

6. Рассмотрено взаимодействие встречных упругих двойников и предложен механизм вскрытия микротрещины между вершинами двойников, базирующийся на механизме Фудзито. Результаты математического моделирования хорошо согласуются с экспериментальными данными. Показано, что при определенном соотношении числа дислокаций в двойниках, силы трения, расстояния между головными дислокациями рассматриваемая модель адекватно отражает особенности зарождения микротрещин на границах и при взаимодействии упругих двойников.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Инженерные основы и воздействие внешней среды / Дж. Ирвин и др. М.: Мир. 1976. Т. 3. 800 с.
  2. Reusch Е. Uber eine besondere Gattung von Durchgangen im Steinzalz und Kalkspat // Progg. Ann. 1867. V. 132. P. 441−452.
  3. М.П. Кристаллография. M.: Высш. шк., 1984. 376 с.
  4. Mechanical twins, their development and growth / F. D. Fischer and al. // Eur. J. Mech. A/Solids. 2003. V.22, № 5. P. 709−726.
  5. K.B. О двойниковании кальцита // ЖЭТФ. 1947. Т.17, вып. 6. С. 530−536.
  6. Frank F.C., van der Merwe J.H. One-dimentional dislocations // Proc. R. Soc. Lond. A. Static Theory. 1949. V.198, № 1053. P. 205.
  7. Математическое моделирование двойникующей дислокации / B.C. Бойко и др. // ФТТ. 1976. Т. 18, № 10. С. 1313−1315.
  8. Bristowe P. D., Crocker A.G. Zonal twinning dislocations in body center cubic crystals // Phil. Mag. 1964. V.9, № 2. P. 357−362.
  9. Yamaguchi M., Vitek V. Twin boundaries and incoherent steps on twin boundaries in body-centred-cubic metals // Phyl. Mag. 1976. V.34, № 1. P. 1−11.
  10. С. В., Медовой А. И., Прикота А. В. Математическое моделирование двойниковых дислокаций в кристаллах висмута // Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение: Труды IV Межд. конф. Александров, 1999. Т. 2. С. 213−218.
  11. А. М., Шаврей С. Д. Корреляция между микротвердостью и подвижностью двойникующих дислокаций в кристаллах висмута при приложении постоянного магнитного поля и импульсов тока // Письма в ЖТФ. 2002. Т.28, № 12. С.80−84.
  12. А.И., Шаврей С. Д. Влияние постоянного магнитного поля иимпульсного электрического тока на среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций в кристаллах висмута // ФТТ. 2001. Т.43, № 8. С.1416−1417.
  13. С. Д., Пинчук А. И. Снижение подвижности и размножения двойникующих дислокаций в кристаллах висмута при приложении постоянного магнитного поля // Письма в ЖТФ. 2003. Т.29, № 15. С. 35—39.
  14. Р.И., Гиндин И. А., Константиновский М. Г. О влиянии размеров зерна на условия двойникования и развития двойниковых прослоек // ЖЭТФ. 1953. Т.23, вып. 12. С. 2127−2135.
  15. В.З., Комник С. Н., Старцев В. И. Движение двойникующей дислокации в кальците // Докл. АН СССР. 1961. Т. 141, № 3. С. 607−610.
  16. Выявление дислокаций в кристаллах кальцита / В. З. Бенгус и др. // Кристаллография. 1960. Т.5, № 3. С. 441−445.
  17. Г. Б. Дислокация в механически двойникованных кристаллах кальцита//Докл. АН СССР. 1957. Т. 117, № 3. С. 419−421.
  18. A.M. Дислокации в теории упругости. Киев: Наук, думка, 1978. 220с.
  19. Deformation twins in nanocrystalline А1 / X. Z. Liao et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V.83, № 24. P. 5062−5064.
  20. Deformation twinning in nanocrystalline aluminum / M. Chen at al. // Science. 2003. V.300, № 25 623. P. 1275−1277.
  21. Cerv J., Landa M., Machova A. Transonic twinning from the crack tip // Scr. Mater. 2000. V.43, № 5. P. 423−428.
  22. Fabris S., Elsasser C. A model for a general grain boundary // Phys. Rev. B. 2001. V.64, № 24. P. 245 117/1−245 117/11.
  23. Р.И. Образование упругих двойников при двойниковании кальцита // Докл. АН СССР. 1938. Т.21, № 5. С. 233−235.
  24. A.M., Бойко B.C. Дислокационная теория упругого двойникования кристаллов // УФН. 1971. Т. 104, вып. 2. С. 201−254.
  25. В. И., Чипова Т. С. Эволюция геометрии двойниковых границ в висмуте при увеличении нагрузки // Кристаллография. 2002. Т.47, № 3. С. 537−542.
  26. О. М. Некоторые особенности формы клиновидных двойников в монокристаллах висмута, деформированных сосредоточенной нагрузкой // Физ. мет. и металловед. 2000. Т.90, № 1. С. 91−95.
  27. В.М., Федоров В. А., Кижнер М.М. Взаимодействие трещины с двойниковыми прослойками в кристаллах исландского шпата
  28. Кристаллография. 1976. Т.21, вып. 2. С. 345—350.
  29. Kaga Н., Gilman J.J. Twinning and detwinning in calcite // J. Appl. Phys. 1969. V.40, № 8. P. 3197−3207.
  30. Blochwitz C., Tirschler W. Twin boundaries as crack nucleation sites // Cryst. Res. Techno1. 2005. V.40, № 12. P. 32−41.
  31. B.A., Тялин Ю. И. О зарождении трещин на границах двойников в кальците //Кристаллография. 1981. Т.26, вып. 4. С. 775−781.
  32. В.И., Орлов А. Н. Термически активированное зарождение микротрещин в кристаллах // Проблемы прочности. 1971. № 2. С. 36−38.
  33. В.В., Ханнанов Ш. Х. Учет реальной структуры скопления дислокаций в задаче о термоактивированном зарождении трещины // ФТТ. 1969. Т.11, вып. 4. С. 1048−1051.
  34. В.А., Тялин Ю. И., Тялина В. А. Дислокационные механизмы разрушения двойникующихся материалов. М.: Машиностроение, 2004. 336 с.
  35. Tadmor Е., Hai S. A Peierls criterion for the onset of deformation twinning at a crack tip // J. Mech. and Phys. Solids. 2003. V.51, № 5. P. 765−793.
  36. Brewster D. On the phenomenon of luminous rings in calcareous spar and beryl, as produced cavities containing the two new fluids // Phil. Mag. 1848. V. 33. P. 489493.
  37. Stoney G. On rings seen in fibrous specimens of calc spar // Jrish Acad. Trans. 1860. V. 24. P. 31−36.
  38. Plucker J. Uber eine neue physikalische Erscheinung. Rheinland und Westfalens // Sitzungsberichte. 1858. Bd. 15. S. 30−32.
  39. Rose G. Uber die im Kalkspat vorkommenden hohlen Canale // Physik Abhandlung koniglich Akademie der Wissenschaften. Berlin, 1868. P. 57−79.
  40. B.M., Федоров B.A. Упругий канал Розе // Докл. АН СССР. 1972. Т. 204, № 4. С. 844−847.
  41. В.М., Федоров В. А. К вопросу о каналах Розе //Кристаллография. 1973. Т. 18, вып. 3. С. 593−598.
  42. В.А., Башканский A.M. Деформация и разрушение кристаллов исландского шпата // Физика прочности и пластичности металлов и сплавов: Тез. докл. 8 Всесоюз. конф. Куйбышев, 1976. С. 271−272.
  43. Механизм и кинетика зарождения упругих каналов Розе первого рода в кальците / В. А. Федоров и др. // Кристаллография. 1988. Т. 33, вып. 5. С.1244—1250.
  44. Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 789 с.
  45. П.В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 2000. 494 с.
  46. Manjone М. J. Fracture of engineering materials // ASM International Metals Park. Ohio, 1959. P. 73.
  47. Классен-Неклюдова M.B., Урусовская A.A. Влияние неоднородного напряжения состояния на механизм пластической деформации галогенидов таллия и цезия // Кристаллография. 1956. Т. 1, вып. 4. С. 410418.
  48. Классен-Неклюдова М.В., Томиловский Г. Е., Чернышева М. А. О процессе формирования сбросов // Кристаллография. 1960. Т. 8, вып 4. С. 349−357.
  49. Gilman J. Mechanism of ortho kink-band formation in compressed zinc monocrystals // J. Metals. 1954. V. 6, № 5. P. 621−629.
  50. Классен-Неклюдова M.B. Механическое двойникование кристаллов. M.: Изд. АН СССР, 1960. 261 с.
  51. Механизмы локализации деформации и механического двойникования в условиях фазовой нестабильности кристалла в полях напряжений
  52. А.Н. Тюменцев и др. // Известия вузов. Физика. 2004. № 8. С. 28−48.
  53. Мартенситоподобный бездиффузионный сдвиговый механизм образования аустенита при лазерном нагреве стали с перлитной структурой
  54. И.Л. Яковлева и др. // Физика металлов и металловедение. 1995. Т. 79. С. 152−159.
  55. Metallic Phase with Long-Range Orientational Order and No Translational Symmetry / D. Shechtman et al. // Phys. Rev. Lett. 1984. V. 53, № 20. P. 1951— 1953.
  56. Ricker J., Bachteler H.-R., Trebin E. Elastic theory of icosahedral quasicrystals -application to straight dislocations // Eur. Phys. J. B. 2001. V. 23, № 3.P. 351−363.
  57. Kleman M. Phasons and the Plastic Deformation of Quasicrystals // Eur. Phys. J. B. 2003. V. 31, № 3. P. 315- 325.
  58. Plastic deformation of decagonal Al-Ni-Co quasicrystalls / M. Feuerbacher et al. // Phil. Mag. Lett. 1997. V. 76, № 6. P. 369−375.
  59. Dislocation density evolution upon plastic deformation of Al-Pd-Mn single quasicrystals / P. Schall et al. // Phil. Mag. Lett. 1999. V. 79, № 10. P. 785−796.
  60. Plasticity of icosahedral Zn-Mg-Dy single quasicrystals / M. Heggen et al. // Materials Science and Engineering A. 2000. V. 294−296, № 15. P. 781−785.
  61. A constitutive model for quasicrystal plasticity / M. Feuerbacher et al. // Phil. Mag. Let. 2001. V. 81, № 7. P. 473182.
  62. Microstructural analysis of plastically deformed icosahedral Zn-Mg-Dy single quasicrystals / M. Heggen et al. // J. Alloys & Сотр. 2002. V. 342. P. 330−333.
  63. Yang W., Feuerbache M., Urban K. Cluster structure and low-energy planes in icosahedral Al-Pd-Mn quasicrystals // J. Alloys & Сотр. 2002. V. 342. P. 164.
  64. Bonneville J., Texier M., Proult A. On the plasticity of Al-Cu-Fe quasicrystals // Strength of Metals and Alloys: Proc. of the International congress ICSMA 13. Budapest, 2003. P. 364.
  65. Mechanical behavior of Ti-Zr-Ni quasicrystals during nanoindentation
  66. M. Texier et al. // Strength of Metals and Alloys: Proc. of the International congress ICSMA 13. Budapest, 2003. P. 412.
  67. The plasticity of icosahedral quasicrystals / M. Feuerbacher et al. // Materials Science and Engineering A. 1997. V. 233, № 1−2. P. 103−110.
  68. Ю.В. Сучастне матер1алознвство XXI стор1чча. Кшв: Наук, думка, 1998. 673 с.
  69. Schuh С. A., Nieh Т. G. A nanoindentation study of serrated flow in bulk metallic glasses // Acta Materialia. 2003. V. 51, № 1. P. 87−99.
  70. Study of mechanical deformation in bulk metallic glass through instrumented indentation / R. Vaidyanathan et al. // Acta Materialia. 2001. V. 49, № 18. P. 3781−3789.
  71. Discrete and continuous deformation during nanoindentation of thin films / A. Gouldstone et al. // Acta Materialia. 2000. V. 48, № 9. P. 2277−2295.
  72. Anomalous plastic deformation at surfaces: Nanoindentation of gold single crystals / S.G. Corcoran et al. // Phys. Rev. B. 1997. V. 55, № 24. P. R16057-R16060.
  73. Suresh S., Nieh T.-G., Choi B. W. Nano-indentation of copper thin films on silicon substrates // Scripta Mater. 1999. V. 41, № 9. P. 951.
  74. Kreuzer H., Pippan R. Discrete dislocation simulation of nanoindentation: the influence of microstructure // Strength of Metals and Alloys: Proc. of the International congress ICSMA 13. Budapest, 2003. P. 78.
  75. Механическое поведение Ti-Zr-Ni квазикристаллов при наноиндентировании / В. М. Ажажа и др. // ФТТ. 2005. Т. 47, вып. 12. С. 2170−2175.
  76. Р. У., Хаазен П. Физическое материаловедение // Физико-механические свойства металлов и сплавов. М.: Металлургия, 1987. Т. 3. 663 с.
  77. Electron diffraction analysis of plastically deformed icosahedral Al-Pd-Mn single quasicrystals / V. Franz et al. // Phil. Mag. Lett. 1999. V. 79, № 6. P. 333 342.
  78. Blomerus P. M., Hills D. A., Kelly P. A. The distributed dislocation method applied to the analysis of elastoplastic strain concentrations // J. Mech. and Phys. Solids. 1999. V. 47, № 5. P. 1007−1026.
  79. Классен-Неклюдова M.B., Конторова Т. А. По поводу дислокационной гипотезы пластичности // УФН. 1954. Т. LII, вып. 1. С. 143−151.
  80. Г. А. Дислокации как линейные топологические дефекты // ФТТ. 2001. Т. 43, вып. 5.С. 822−826.
  81. Orowan Е. Rupture of plastic crystals // Proc. Intern. Conf. Phys. The Physical Sosiety. London, 1934. Vol. 11. P. 81−92.
  82. . Дислокации. M.: Мир, 1967. 644 с.
  83. Л.И. Физические основы прочности и пластичности. М.: МГУ, 1968. 540 с.
  84. Р., Ли С. Анизотропное развитие микротрещин при пластическом течении полухрупких тел // Разрушение твердых тел. М.: Металлургия, 1967. С. 96−121.
  85. Е. Е. Спонтанное возникновение дислокаций в кристалле под воздействием высоких напряжений // Физ. мезомех. 1999. Т. 2, № 5. С. 57−68.
  86. Liu Hong Yan, Wang Xiao Wei Dislocation velocity exponent and the strain rate // J. Mater. Sci. and Tech. 2001. V. 17, № 3. P. 363−366.
  87. Minimum energy paths for dislocation nucleation in strained epitaxial layers / O. Trushin et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 65, № 24. P.241 408/1−241 408/4.
  88. Xu G., Zhang C. J. Analysis of dislocation nucleation from a crystal surface based on the Peierls-Nabarro dislocation model // Mech. and Phys. Solids. 2003. V. 51, № 8. P. 1371−1394.
  89. Дж.Дж. Скол, пластичность и вязкость кристаллов // Атомный механизм разрушения. М.: Металлургиздат, 1963. С. 220—250.
  90. Gilman J.J., Knudsen С., Walsh W.R. Cleavage cracks and dislocations in LiF crystals.// J. Appi. Phys. 1958. V. 29, № 4. P. 601−607.
  91. А. С. Пластическая деформация у вершины движущейся трешины // Разрушение твердых тел. М.: Металлургия, 1967. С. 261−301.
  92. М.М. Взаимосвязь неустойчивости и неоднородности пластической деформации: Дис.. док.физ.-мат.наук. Тольятти, 2002. 331 с.
  93. Johnston W.G., Gilman J.J. Velocity, density of dislocations and plastic flow on LiF crystals // J.Appl. Phys. 1959. Vol. 30, № 2. P. 129−144.
  94. К. П., Уваров Т. Ю., Псахье С. Г.Об анизотропии процессов пластической деформации и разрушения при динамическом нагружении
  95. Письма в ЖТФ. 2001. Т.27, № 7. С. 1−7.
  96. Introduccion a la deformacion plastica рог movimiento de dislocaciones mediante el uso de analogfas у el concepto de energia / P. Ugalde et al. // Revista Mexicana de Fisica. 1999. V. 45, № 5. P. 501−509.
  97. Sun Y. Q., Gu X. M., Hazzledme P. M The mean-feld stress due to uniformly distributed shear dislocation loops a finite sample // Mater. Sci. and Eng. 2002. V.10, № 6. P. 611.
  98. Greaney P. Alex, Friedman Lawrence H., Chrzan D. C. Continuum simulation of dislocation dynamics: predictions for internal friction response
  99. Comput. Mater. Sci. 2002. V. 25, № 3. P. 387−403.
  100. . В. Статистическая теория движения дислокаций при наличии спонтанных процессов блокирования-деблокирования // ФТТ. 2001. Т. 43, № 5. С. 813−817.
  101. Tekleab Daniel G., Lawson John W., Daw Murray S. Dislocation pinning/depinning transition: Fixed-point analysis // Phys. Rev. B. 2000. V. 61, № 2. P. 839−843.
  102. Madec R., Devincre В., Kubin L. Simulation of dislocation patterns in multislip // Ph. Scr. Mater. 2002. V. 47, № 10. P. 689−695.
  103. Дислокационная динамика кристаллографического скольжения
  104. JI.E. Попов и др. // Мат. моделир. систем и процессов. 1999. № 7. С. 67−74.
  105. О. В. Стохастическая динамика дислокаций в полях внутренних напряжений под действием переменных и постоянных внешних нагрузок: Автореферат, дис. .канд.физ.-мат.наук. Москва, 2002. 28 с.
  106. О.В., Чернов В. М. Динамическое поведение дислокации при случайном внешнем воздействии. Часть 1. Дислокация со свободными концами. Обнинск, 1999. 28 с. (Препринт ФЭП 2770)
  107. Ю. С. Грабко Д.З., Кац М.С. Физика процессов микроиндентирования. Кишинев: Штиинца, 1986. 293 с.
  108. Л.Б. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов. Новосибирск: Наука, 1990. 120 с.
  109. Поперечное скольжение дислокации в ультразвуковом поле и влияние на этот процесс амплитуды и частоты ультразвука, ориентации образца и коэффициента динамической вязкости / Н. А. Тяпунина и др.
  110. ФТТ. 2003. Т. 45, № 5. С. 836−841.
  111. Kinetic Monte Carlo approach to modeling dislocation mobility / W. Cai et al. // Comput. Mater. Sci. 2002. V. 23, № 1−4. P. 124−130.
  112. Lin Karin, Chrzan D. C. Kinetic Monte Carlo simulation of dislocation dynamics // Phys. Rev. B. 1999. V. 60, № 6. P. 3799−3805.
  113. Madec R., Devincre В., Kubin L. P. From dislocation junctions to forest hardening // Phys. Rev. Lett. 2002. V. 89, № 25. P. 255 508/1−255 508/4.
  114. Woo Chung-Ho. Dynamics of fast dislocations // Mater. Sci. and Eng. A. 2003. V. 350, № 1−2. P. 223−232.
  115. Obrezanova O., Movchan A., Willis J. Dynamic stability of a propagating crack // J. Mech. and Phys. Solids. 2002. V. 50, № 12. P. 2637−2668.
  116. Griffith A.A. The phenomena of rupture and flow in solids // Roy. Soc. London. Philosophical Transitions. Ser. A. 1920. V. 221. P. 163.
  117. Г. И. Математическая теория равновесных трещин, образующихся при хрупкой разрушении // Изд. АН СССР. ПМТФ. 1961. № 4. С. 3−56.
  118. Zener С. A Theoretical Criterion for the Initiation of Slip Bands // Phys. Rev. 1946. V. 69. P. 128−129.
  119. Stroh A.N. The formation of cracks as a result of plastic flow // Proc. Roy. Soc. 1954. V. A223. P. 404−414.
  120. В.И., Ханнанов Ш. Х. Взаимодействие дислокационного скопления с дислокационной трещиной // ФТТ. 1969. Т. 11, № 6. С. 16 671 676.
  121. Griffith A.A. The theory of rupture // Proc. of the 1st Int. Congress for Applied Mechanics. Delft, 1924. P. 55−63.
  122. Dugdale D.S. Yielding of sheets containing slits // J. Mech. Phys. Solids. 1960. V. 8, № 2. P. 100−104.
  123. Rosenfield A. R., Dai P.K., Hahn G.T. Crack extension and propagation under plane stress // Japanese Society for Strength and Fracture of Materials: Proc. of the 1st Int. on Fractures. Sendai, 1966. V. 1. P. 223−258.
  124. Hult J. A., McClintock F.A. Elastic-plastic stress and strain distribution around sharp notcher under repeated shear // Proc. of the 9st International Congressfor Applied Mechanics. Brussels, 1957. V. 8. P.51−58.
  125. . Наклеп и распространение трещин // Атомный механизм разрушения. М.: Металлургия, 1963. С. 504—534.
  126. Dugdale D.S. Yielding of steel sheets containing slits // J. Mech. and Phys. Solids. 1960. V. 8, № 2. P. 100−108.
  127. Bilby B.A., Cottrell A.N., Swinden K.H. The spread of plastic yield from a notch//Proc. Roy. Soc. 1963. V. A272. P. 304−310.
  128. Vitek V. Yielding of inclined planes at the tip of a crack loaded in uniform tension // J. Mech. and Phys. Solids. 1976. Vol. 24, № 5. P. 263−275.
  129. Atkinson C., Kanninen M.F. A simple representation of crack tip plasticity: the inclined strip yield superdislocation model // Int. J. of Fracture. V. 13, № 2. P. 151−163.
  130. Г. П. Инициирование микротрещин и дислокаций // Прикл. механика. 1987. Т. 23, № 12. С. 67−81.
  131. Zacharopoulos N., Srolovitz D. J., LeSar R. Discrete dislocation simulations of the development of a continuum plastic zone ahead of a stationary Mode III crack // J. Mech. and Phys. Solids. 2003. V. 51, № 4. P. 695−713.
  132. A.K., Ханнанов Ш. Х. Затупление вершины трещины при концентрированном пластическом течении // ФММ. 1977. Т. 44, № 3. С. 460- 467.
  133. Magumdar B.S., Burns S.J. Crack tip shielding an elastic theory of dislocations arrays near a sharp crack // Acta met. 1981. V. 29. P. 579−589.
  134. Chang S.J., Ohr S.M. Dislocation-free zone models of fracture // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. P. 7174−7181.
  135. A study on the dislocation free zone ahead of the crac k tips in bulk metallic single crystals / K.F. Ha et al. // Acta met. mater. 1990. V. 38, № 9. P. 1643−1651.
  136. Bassani J.L., McClintock F.A. Creep relaxation of stress around a crack tip // Int. J. Sol. Struct. 1981. V. 17. P. 479−490.
  137. Д.Н., Санников С. В. Расчет коэффициента интенсивности напряжений трещины растяжения с учетом пластической деформации в ее вершине // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11, вып. 24. С. 1481−1487.
  138. Goodier J.N., Kanninem M.F. Crack propagation in a continuum model with nonlinear atomic separation laws // J. of Applied Mech. 1968. V. 35. P. 379−386.
  139. Моделирование сдвиговой пластической деформации в приповерхностных слоях материалов с градиентом физико-механических свойств при трении скольжения / В. Е. Рубцов и др. // Физ. мезомех. 2003. Т. 6, № 3. С. 57−61.
  140. Tezuka Akinori. Based on molecular-dynamic modelling the analysis of primary deformation at a crack tip // Trans. Jap. Soc. Eng. A. 2003. V. 69, № 678. P. 448−454.
  141. Knap J., Sieradzki K. Crack tip dislocation nucleation in FCC solids // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 82, № 8. P. 1700−1703.
  142. Maki-Jaskari M. Simalation of strain relief at the crack tip in silicon // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. V 13, № 7. P. 1429−1437.
  143. Day Charles. Experiments and simulations track crack propagation in silicon wafers // Phys. Today. 1999. V. 52, № 2. P. 17−18.
  144. A.B. Компьютерное моделирование в химии // Соровский образовательный журнал. 1998. № 6. С. 48−52.
  145. Alder В .J., Waingwright Т.Е. Phase transition for a hard sphere system // J. Chem. Phys. 1957. V. 27. P. 1208.
  146. Dynamics of radiation damage / J.B. Gibson et al. // Phys Rev. 1960. V. 120. P. 1229.
  147. Rahman A. Correlations in the motion of atoms in liquid argon // Phys. Rev. 1964. V. 136A.P.405.
  148. Verlet L. Computer «experiments» on classical fluids I Thermodynamicalproperties of Lennard-Jones Molecules // Phys. Rev. 1967. V.159. P.98.
  149. Cleri Fabrizio. Representation of mechanical loads in molecular dynamics simulations // Phys. Rev. B. 2002. V. 65, № 1. P. 14 107/1−14 107/6.
  150. Soloviev D.V., Melker A.I. Modelling and Computer Simulation in Materials // Science and Engineering. 1998. V. 6. P. 361−368.
  151. Melker A.I., Vorobyeva M.A. Electronic theory of molecule vibrations // Proc. of SPIE. 2006. V. 6253. P. 625 305.
  152. Я. И. О вязком течении твердых тел // ЖЭТФ.1946. Т. 16. С. 29−46.
  153. . Я. О спекании в твердой фазе // ЖТФ. 1946. Т. 16. С. 737−741.
  154. Я.Е. Физика спекания. М.: Наука, 1984. 312 с.
  155. Я.Е., Кононенко В. Г., Чан Киеу Зунг. Залечивание изолированной поры в области предплавильных температур вследствие релаксации локализованных напряжений // Украинский физический журнал. 1983. Т. 28, № 7. С. 1035−1040.
  156. .Я., Соловьев В. А. Кинетика распада дислокационных трещин на полигональные стенки краевых дислокаций // ФТТ. 1962. Т. 8, вып. 6. С. 1683−1689.
  157. A. JI. Равновесная концентрация вакансий вблизи свободных поверхностей и самодиффузионное залечивание пор в напряженном твердом теле // ФТТ. 1981. Т. 23, вып. 4. С. 1074−1078.
  158. B.C. О схлопывании пор в одноосно сжимаемом твердом теле // ЖЭТФ. 1982. Т. 52, вып. 7. С. 1419−1422.
  159. Molecular dynamics simulation of microcrack healing in copper / S. Li et al. // Comput. Mater. Sci. 2001. V. 20, № 2. P. 143−150.
  160. М.П., Ван Янь-Вэнь, Гу Шу-Чжао. О возникновении дислокаций при распространении и влиянии трещин в ионных кристаллах
  161. Кристаллография. 1961. Т. 6, № 4. С. 605−613.
  162. Ю.В., Неверов В. В. Залечивание трещин в кристаллах каменной соли // Кристаллография. 1967. Т. 12, № 3. С. 493—498.
  163. Восстановление прочности на трассе залеченной трещины
  164. В.М. Финкель и др. // Кристаллография. 1994. Т. 39, № 5. С. 933−935.
  165. В.М., Сергеева О. Г. Залечивание трещин в кристаллах кальцита // ФТТ. 1987. Т. 29, № 3. С. 857−860.
  166. В.М., Сергеева О. Г., Шегай В. В. Самозалечивание острой трещины в СаСОз // Кристаллография. 1991. Т. 36, № 1. С. 170−174.
  167. В.М., Сергеева О. Г., Шегай В. В. Залечивание трещин в СаСОз без внешней нагрузки // Деп. РУК. ВИНИТИ. 1987. № 6343-В87. С. 21.
  168. Hickman Stephen Н., Evans Brian. Influence of geometry upon crack, healing rate in calcite // Phys. and Chem. Miner. 1987. V. 15, № 1. P. 91−102.
  169. Kumosa Maciej. Crack and slip phenomena at the tip of a terminated twin // Materials science and engineering A. 1986. V. 77. P. 37−44.
  170. Двойникование и каналы Розе при залечивании трещин
  171. В.М. Финкель и др. // Кристаллография. 1991. Т. 36, № 4. С. 969−976.
  172. Greenwood J. A. The theory of viscoelastic crack propagation and healing // J. Phys. D. 2004. V. 37, № 18. P. 2557−2569.
  173. Nakanishi Hiizu. Self-healing pulse solution in a continuum model of fracture propagation // Phys. Rev. E Third Series. 2000. V. 61, № 4. P. 3407−3410.
  174. B.M., Конкин Б. Б., Шегай В. В. Влияние пластической деформации в вершине трещины на ее залечивание // Проблемы прочности. 1984. № 5. С. 25−31.
  175. В.В. Теория дислокационного механизма роста и залечивания пор и трещин под нагрузкой // ФТТ. 1974. Т. 16, № 3. С. 785−794.
  176. А. И., Разуваева М. В. Кинетика залечивания пор и упрочнение меди при всестороннем сжатии // ЖТФ. 2002. Т. 72, № 8. С. 130−132.
  177. В. И., Кадомцев А. Г. Эволюция микроскопических трещин и пор в нагруженных твердых телах // ФТТ. 2005. Т. 47, № 5. С. 801—807.
  178. В.М., Ваган В. А., Сафронов В. П. Залечивание трещин в монокристаллическом висмуте // Кристаллография. 1989. Т. 34, № 6. С. 1508−1512.
  179. Д., Каплан У. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля. М.: Техносфера, 2004. 384 с.
  180. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989. 356 с.
  181. Ю.И. Введение в нанотехнику. М.: Машиностроение, 2007. 496 с.
  182. Handbook of Nanoscience, Engineering and Technology / William A. Goddard et al. New-York, CRC Press. 2002. 848 p.
  183. Dedkov G.V. Experimental and Theoretical Aspects of the Modern Nanotribology // Phys. Stat. Sol. A. 2000. V. 179, № 1. p. 3−75.
  184. Bhushan B. Nanoscale Tribophysics and Tribomechanics // Wear. 1999. V. 225, № 1. P. 465−492 (28).
  185. Структура на концах микротрещин и разрушение полностью хрупкого твердого тела / Z. Li et al. // Acta met. sin. 2001. V. 37, № 5. P. 503−506.
  186. Nanjo Niroshi, Komatsu Kyoji, Suzuki Toshishige. Restoration of defects generated on the DAST crystal surface by scanning with AFM cantilever tip
  187. Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures: Proc. of the Int. Symp. Nara, 2003. P. 425−428.
  188. Twin structure in Yb: YAI3(B03)4 crystal / Z. Shanrong et al. // J. Appl. Crystallogr. 2001. V. 34, № 5. P. 661−662.
  189. Cui Nai- Yi, Brown Norman M. D., McKinley Archibald. An exploratory study of the topography of a Cdl2 single crystal using AFM // Appl. Surface Sci. 1999. V. 152, № 3−4. P. 266−270.
  190. Slip line analysis in Ni3Al by atomic force microscopy / C. Coupeau et al. // Scr. Mater. 1999. V. 41, № 9. P. 945−950.
  191. Tanaka Masaki, Higashida Kenji, Haraguchi Tornoko. Microstructure of plastic zones around crack tips in silicon revealed by HVEM and AFM
  192. Mater. Sci. and Eng. A. 2004. V. 387−389, № 1−2. P. 433−437.
  193. Tanaka Masaki, Higashida Kenji. Configuration of dislocations near the tip of a crack and its influence on viscosity of destruction in silicon crystals
  194. A-Trans. Jap. Soc. Mech. Eng. A. 2002. V.68, № 675. P. 1505−1512.
  195. Pocropivny V.V., Skorohod V.V., Pokropivny A.V. Atomistic mechanism of adhesive wear during friction of atomic-sharp tungsten asperity over (114) bcc-iron surface // Materials Letters. 1997. V. 31, № 1. P .49−54.
  196. Belak J., Boercker D.B., Stowers I.F. Simulation of nanometer-scale deformation of metallic and ceramic surfaces // MRS Bulletin. 1993. V. 18, № 1. P. 55−60.
  197. Adams J.B., Hector L.G., Siegel D.J. Adhesion, Lubrication and Wear on the Atomic Scale // Surface and Interface Analysis. 2001. V. 31, № 7. P. 619−626.
  198. Ю.Н., Шаскольская М. П. Основы кристаллофизики. М.:Наука, 1979. 639 с.
  199. А. Н., Инденбом В. JI. Долговечность, накопление повреждений и хрупкое разрушение // Физика хрупкого разрушения. 1976. Ч. 2. С. 18−28.
  200. В.А., Ушаков И. В., Плужникова Т. Н. Микропластичность, разрушение и самозалечивание в кристаллах NaCl, LiF, и СаСОз при несимметричном сколе // Вестник ТамбГУ. 1997. Т. 2, № 3. С. 291—293.
  201. Дж. Источники дислокаций в кристаллах // Дислокации и механические свойства кристаллов. М.: ИЛ, 1960. С. 438−455.
  202. Аналитическая оценка распределения дислокаций в вершине остановившейся трещины / Ю. И. Тялин и др. // ФТТ. 2000. Т. 42, вып. 7. С. 1253−1255.
  203. Дж. Континуальная теория дислокаций. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1963. 248 с.
  204. Zhou S. J., Lung С. W. An image force expression for the dislocation near a crack// J. Phys. F: Metal Phys. 1988. V. 18, № 5. P. 851−862.
  205. Lee Sondon, Burrs S. J., Li J. Image forces and potential energy of a dislocation around a crack tip // Mater. Sci. and Eng. 1986. V. 83, № 1. P. 65−73.
  206. Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. 599 с.
  207. А. Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М.: Высшая школа, 1983. 114 с.
  208. Си Г., Либовиц Г. Математическая теория хрупкого разрушения // Г. Либович и др. Разрушение. М.: Мир, 1975. Т. 2. С. 83−203.
  209. Дж. Математические методы в механике разрушения // Г. Либович и др. Разрушение. М.: Мир, 1975. Т. 2. С. 204−335.
  210. Gilman J.J. Surface energies of crystals // J. Appl. Phys. 1960. V. 31, № 12. P. 2208−2218.
  211. Дж., Рейнболдт В. Итерационные методы решения нелинейных систем уравнений со многими неизвестными. М.: Мир, 1975. 558 с.
  212. Dai Shu-Ho, Li Y. С. M. Dislocation free zone at the crack tip// Scr. met. 1982. V. 16, № 2. P. 183−188.
  213. Kobayashi S., Ohr S.H. In situ fracture experiments in b.c.c. metals // Phil. Mag. 1980. V. 42, № 6. P. 763−772.
  214. Bilby B.A., Cottrell A.H., Swinden K.H. The spread of plastic yield from a notch // Proc. Roy. Soc. London. 1963. V. A272. P. 304−314.
  215. Irwin G.R. Analysis of stress and strain near the end of crack traversing a plate // Journ. Appl. Mech. 1975. V. 24. P. 361−364.
  216. Пластическая деформация в вершине остановившейся трещины
  217. Д.В. и др. // XV Петербургские чтения по проблемам прочности, поев. 100-летию со дня рожд. ак. С. Н. Журкова: Тез. докл. СПб., 2005. С. 39.
  218. Дислокационные процессы при остановке и залечивании трещин
  219. Д.В. Золотова и др. // Актуальные проблемы прочности: Тез. докл. XLIV Межд. конф. Вологда, 2005. С. 16.
  220. Обратимая пластичность в вершине остановившейся трещины
  221. Д.В. Золотова и др. // Актуальные проблемы физического металловедения сталей и сплавов: Тез. докл. II Межд. школы: Физическое материаловедение и XVIII Уральской школы металловедов-термистов. Тольятти, 2006. С. 153.
  222. Plastic deformation at the top of a stopped crack / Y. Tyalin et al. // 10-th International Workshop on Nanodesign, Technology, and Computer Simulations: Proc. of SPAS. Berlin, 2006. V. 10. P. 158−160.
  223. Пластическое течение в вершине трещины и геометрический рельеф поверхности скола в щелочно-галоидных кристаллах / Д. В. Золотова и др.. // Актуальные проблемы прочности: Тез. докл. 45 Межд. конф. Белгород, 2006. С. 86−87.
  224. Дислокационная структура, формируемая при остановке и залечивании трещин скола в щелочно-галоидных кристаллах / Д. В. Золотова и др.
  225. Деформация и разрушение материалов: Матер. Первой Межд. конф. Москва, 2006. С. 524−526.
  226. Дислокационная структура, формируемая при остановке и залечивании трещин в щелочно-галоидных кристаллах / Д. В. Золотова и др.
  227. Кристаллофизика 21-го века: Тез. докл. III Межд. конф. по физ. крист. Черноголовка, 2006. С. 207−208.
  228. Пластичность в вершине остановившейся трещины и геометрический рельеф поверхности скола / Д. В. Золотова и др. // Вестник ТамбГУ. 2007. Т.12, вып. 1. С. 70−72.
  229. Ю.И., Тялина В. А., Золотова Д.В. Структура полос скольжения, формируемых в вершине трещины при ее остановке
  230. Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений: Матер. IV Межд. школы-конф. Тамбов, 2007. С.69−72.
  231. Пластическая деформация в вершине трещины и связанные с нею электрические эффекты в кристаллах с заряженными дислокациями
  232. Д.В. Золотова и др. // Деформация и разрушение материалов: Матер. Второй межд. конф. М., 2007. С. 110−111.
  233. Структура полос скольжения, формируемых в вершине трещины при ее остановке / Д. В. Золотова и др. // Деформация и разрушение материалов. 2008. № 3. С. 223−27.
  234. Д.Ф., Шмурак С. З. Новый метод определения скорости движения дислокаций в ионных кристаллах // ДАН СССР. 1970. Т. 190, № 1. С. 77−79.
  235. С.З. Деформационная спектроскопия щелочно-галоидных кристаллов // Известия АН СССР. Серия физическая. 1976. Т. 40, № 9. С.1886−1892.
  236. А.В., Шмурак С. З. Люминесценция и экзоэмиссия электронов при деформации кристаллов LiF // ФТТ. 1984. Т. 26, № 12. С. 3567−3575.
  237. Экспериментальное определение дислокационных зарядов в CdS / А. В. Зарецкий и др. // ФТТ. 1977. Т. 19, № 2. С. 418−423.
  238. Ю.А., Петренко В. Ф. Дислокации в соединениях А2В6 //Физика соединений А2Вб. М.: Наука, 1986. С. 35−71.
  239. А.А. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов // УФН. 1986. Т. 96, № 1. С. 39−60.
  240. С.П., Кардашев Б. К. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. М.: Наука, 1985. 251 с.
  241. Kataoka Т., Li J.C.M. Mobile dislocation during the deformation of KC1 single crystals // Phil. Mag. A. 1985. V. 51, № 1. P. 1−14.
  242. .И., Куличенко A.H. Перемещение электрических зарядов в кристаллах LiF при одиночном скольжении // ФТТ. 1980. Т. 22, № 3. С. 948−950.
  243. А.Н., Смирнов Б.И. Электризация щелочно-галоидных кристаллов, деформируемых одиночным и множественным скольжением
  244. ФТТ. 1984. Т. 26, № 11. С. 3294−3299.
  245. А.А. Механоэлектрические явления при квазистатическом нагружении твердых тел // Деп. Рук. ВИНИТИ. 1980. № 1. С. 112−118.
  246. Whitworth R.W. Charged dislocations in ionic crystals // Adv. Phys. 1975. V. 24, № 2. P. 203−302.
  247. Э.П. Заряженные дислокации в щелочно-галоидных кристаллах. Кострома: Изд-во КГУ, 1985. 224 с.
  248. А. Н., Гестрин С. Г. Заряженныее дислокации и точечные дефекты в кристаллах: аналитические модели взаимодействия. Саратов: Изд-во СГТУ, 2002. 222 с.
  249. Е. В. Излучение краевой заряженной дислокации, движущейся в ионном кристалле с неоднородной диэлектрической проницаемостью. Саратов: СГТУ, 2002. 8 с.
  250. В.И., Галусташвили М. В., Паперно И. М. О кинетике формирования заряда на дислокациях в процессе пластической деформации кристалла // Кристаллография. 1975. Т. 20, № 6. С. 1113−1116.
  251. И.Н. Заряжание подвижных дислокаций и электризация ионных кристаллов при пластической деформации // ФТТ. 1983. Т. 25, № 4. С. 1172−1178.
  252. Kataoka Т., Colombo L., Li J.C.M. Dislocation charges in Ca2±doped KC1. Effect of impurity concentration and temperature // Phil. Mag. A. 1984. V. 49, № 3. P. 409−423.
  253. Whitworth R.W. The sweep-up model on charged dislocations in ionic crystals // Phil. Mag. A. 1985. V. 51, № 3. P. 857−863.
  254. Kataoka Т., Colombo L., Li J.C.M. Direct measurements of dislocation charges in Ca2±doped KC1 by using large electric fields // Phil. Mag. A. 1984. V. 40, № 3. P. 395−407.
  255. Т.П. Приповерхностные электрические и дислокационные явления, сопровождающие разрушение ионных кристаллов: Дис. .канд.физ.-мат.наук. Москва, 1988. 159 с.
  256. Ю.И., Дьячек Т. П. О дислокационном механизме заряжания свежих поверхностей щелочно-галоидных кристаллов в процессе быстрого скола // ФТТ. 1987. Т. 29, № 2. С. 552−554.
  257. Cherns D., Jiao С. G. Electron holography studies of the charge on dislocations in GaN // Phys. Rev. Lett. 2001. V. 87, № 20. P. 205 504/2−205 504/4.
  258. Физика соединений / Под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. М.: Наука, 1986. 320 с.
  259. Комплекс in situ методов исследования скачкообразной пластической деформации металлов / А. А. Шибков и др. // Заводская лаборатория. 2005. Т. 71, № 7. С. 20−27.
  260. Ю.И., Финкель В. М. Скопления заряженных дислокаций и зарождение трещин в неметаллических кристаллах // ДАН СССР. 1984. Т. 279, № 15. С.1126−1130.
  261. Специфика скоплений заряженных дислокаций / Ю. И. Тялин и др. // ФТТ. 1985. Т. 27, № 10. С. 3005−3009.
  262. Д. Н., Санников С. В. Эволюция пластической деформации у вершины трещины в электропроводящем кристалле // Физ. и химия обраб. матер. 2003. № 4. С. 79−84.
  263. Д. Н., Санников С. В. Эволюция пластической деформации и миграция точечных дефектов у вершины трещины в электропроводящем кристалле // Изв. РАН. 2003. Т. 67, № 6. С. 859−866.
  264. Д. Н., Санников С. В. Влияние электрического тока на эволюцию пластической деформации у вершины трещины // Прикл. мех. и техн. физ. 2001. Т. 42, № 5. С. 176−182.
  265. А.Г. Избранные вопросы математической теории электрических и магнитных явлений. M.-JL: Изд-во АН СССР, 1948. 727 с.
  266. Eshelby J.D., Frank F.C., Nabarro F.R. The Equilibrium of Linear Arrays of Dislocations // Phil. Mag. 1951. V. 42, № 327. P. 351−364.
  267. Л.М., Набатов B.B., Мартышев Ю. П. О времени свечения в процессах трибо- и кристаллолюминесценции // Кристаллография. 1962. Т. 7, № 4. С. 576−580.
  268. М.И., Куксенко B.C. Излучение электромагнитных импульсов при зарождении трещин в твердых диэлектриках // ФТТ. 1980. Т. 22, № 5. С. 1531−1533.
  269. Электромагнитный метод исследования скачкообразной деформации металлов / А. А. Шибков и др. // Деформация и разрушение материалов. 2005. № 6. С. 24−34.
  270. В.И., Бобков В.В, Монастырный П. И. Вычислительные методы. М.: Наука, 1977. Т. 2. 398 с.
  271. Ю.И. Нестационарные электрические процессы при движении скоплений заряженных дислокаций // Вестник ТамбГУ. 2003. Т. 8, вып. 1. С. 772−775
  272. Пластическая деформация в вершине трещины и связанные с нею электрические эффекты в кристаллах с заряженными дислокациями
  273. Д.В. Болотова и др. // Деформация и разрушение материалов: Матер. Второй межд. конф. Москва, 2007. С. 110−111.
  274. Электрические поля в пластически деформированных кристаллах с заряженными дислокациями / Д. В. Золотова и др. // Физика прочности и пластичности материалов: Тез. докл. XVI межд. конф. Самара, 2006. С. 241.
  275. Электрические поля в пластически деформированных кристаллах с заряженными дислокациями / Д. В. Золотова и др. // Вестник СамГТУ. 2007. № 1(14). С. 96−99.
  276. Ю.И., Тялина В. А., Золотова Д. В. Электрические эффекты при пластической деформации в вершине трещины в кристаллах с заряженными дислокациями // Перспективные материалы. 2007. Т.2. С.580—582.
  277. В.А., Финкель В. М., Плотников В. П. Образование трещин на границах зерен и двойников в цинке при охлаждении до низких температур // Физика металлов и металловедение. 1980. Т. 49, вып. 2. С. 413— 416.
  278. В.А., Куранова В. А., Плотников В. П. Особенности пересечения двойников в кадмии // Физика металлов и металловедение. 1986. Т. 62, вып. 1. С. 161−165.
  279. Влияние распределения дислокаций в границе двойника на зарождение микротрещин в его вершине / В. А. Федоров и др. // ФТТ. 2002. Т. 44, вып. 6. С. 1057−1059.
  280. О.И. Основы теории упругости и пластичности. М.: Наука, 1984. 320 с.
  281. М.В. Влияние заряда дислокаций и внешнего электромагнитного воздействия УФ диапазона на пластичность и зарождение трещин в ионных кристаллах: Дис.. .канд.физ.-мат.наук. Тамбов, 2005. 135 с.
  282. Зарождение микротрещин при механическом двойниковании кристаллов кальцита / Д. В. Золотова и др. // XVI Петербургские чтения по проблемам прочности, поев. 75-летию со дня рождения В. А. Лихачева: Тез.9докл. СПб., 2006. С. 185.
  283. Ю.И., Тялина В. А., Золотова Д.В. Дислокационные модели двойников и зарождение трещин при механическом двойниковании
  284. Фазовые превращения и прочность кристаллов, поев, памяти ак. Г. В. Курдюмова: Тез. докл. IV Межд. конф. Черноголовка, 2006. С. 153.
  285. Ю.И., Тялина В. А., Золотова Д. В. Зарождение микротрещин при механическом двойниковании // Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений: Матер. IV Межд. школы-конф. Тамбов, 2007. С. З 18−331.
  286. Ю.И., Тялина В. А., Золотова Д. В. Зарождение микротрещин при упругом двойниковании // Перспективные материалы. 2007. Т.2. С.576−579.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!