Заказать курсовые, контрольные, рефераты...
Образовательные работы на заказ. Недорого!

Акустоэлектронное детектирование и усиление сигналов в знакопеременном электрическом поле

Диссертация: Акустоэлектронное детектирование и усиление сигналов в знакопеременном электрическом поле
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Акустоэлектронное взаимодействие в полупроводниках обусловлено существованием в них двух взаимодействующих систем: решетки кристалла и электронно-дырочной плазмы носителей заряда [3−5|. Механизмы акустоэлектронного взаимодействия различны и зависят от типа кристалла. Для наиболее часто используемого и хорошо изученного диапазона частот АВ (десятки — сотни мегагерц) максимальное взаимодействие… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. АКУСТО ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В ПЬЕЗОПОЛУПРОВОД-НЙКАХ И СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ ПЬЕЗОДИЭЛЕКТРИК — ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛЕНКА. Ю
    • I. I. Распространение акустических волн в пьезоэлектрических полупроводниках
      • 1. 2. Распространение акустических волн в слоистых структурах
      • 1. 3. Электронная концентрационная нелинейность
      • 1. 4. Акустоэлектрический эффект
      • 1. 5. Усиление акустических шумов и генерация акустических волн в пьезополупроводниках
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ АКУСТО-ЭЛЕКТРОННЫХ ЯВЛЕНИЙ В ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНИКАХ И СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ ПЬЕЗОДИЭЛЕКТРИК — ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛЕНКА
    • 2. 1. Методика приготовления изучаемых структур
    • 2. 2. Описание экспериментальных установок
    • 2. 3. Оценка погрешности измерений
  • ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ АКУСТОЭЛЕКТРОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В
  • ЗНАКОПЕРЕМЕННЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
    • 3. 1. Усиление АВ в слоистой структуре пьезодиэлект-рик — полупроводниковая пленка с периодической системой омических контактов
    • 3. 2. Акустоэлектрический эффект в слоистой структуре пьезодиэлектрик — полупроводниковая пленка с периодической системой омических контактов
    • 3. 3. Усиление и генерация АВ в пьезополупроводниках в переменном несинусоидальном электрическом поле
    • 3. 4. Исследование параметров электронно-дырочной плазмы в пьезополупроводнике акустоэлектронными методами
  • ГЛАВА 1. У. НЕСТАЦИОНАРНЫЙ АКУСТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ
    • 4. 1. Теория нестационарного акусто электрического эффекта
    • 4. 2. Детектирование радиосигналов за счет нестационарного акустоэлектрического эффекта
    • 4. 3. Экспериментальное исследование акустоэлектрического детектирования радиосигналов
    • 4. 4. Оптимизация параметров акустоэлектрического демодулятора на основе слоистой структуры пьезодиэлектрик — полупроводниковая пленка. III
  • ГЛАВА V. ДЕТЕКТИРОВАНИЕ СИГНАЛОВ В СЛОИСТОЙ СТРУКТУРЕ ПЬЕЗО-ДИЭЛЕКТРИК — ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛЕНКА — ПЕРИОДИЧЕСКАЯ СИСТЕМА КОНТАКТОВ В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ 118 ПОЛЕ
    • 5. 1. Детектирование вынужденных электронных волн
    • 5. 2. Прямое наблвдение вынужденных электронных волн, возбуждаемых АВ в полупроводнике в переменном электрическом поле
    • 5. 3. Детектирование АВ в слоистой структуре пьезо-диэлектрик — полупроводниковая пленка с периодической системой омических контактов в переменном электрическом поле

Акустоэлектронное детектирование и усиление сигналов в знакопеременном электрическом поле (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одним из современных научных направлений в физике твердого тела является акустоэлектроника, изучающая процессы возбуждения, распространения акустических волн (АВ) в твердых телах, взаимодействие этих волн с электромагнитными полями и электронами проводимости, а также возможности создания новых твердотельных приборов на основе возникающих при этом явлений. Влияние электронов проводимости на распространение АВ в пьезоэлектриках было рассмотрено Шапошниковым в 1941 году [l]. Однако вопросы взаимодействия АВ со свободными носителями заряда в полупроводниках стали интенсивно исследовать после наблюдения в 1961 году Хатсоном, Мак Фи и Уайтом усиления ультразвука в монокристаллах ColS при сверхзвуковом дрейфе носителей заряда через кристалл [2], Эта работа собственно и положила начало акустоэлектронике.

Акустоэлектронное взаимодействие в полупроводниках обусловлено существованием в них двух взаимодействующих систем: решетки кристалла и электронно-дырочной плазмы носителей заряда [3−5|. Механизмы акустоэлектронного взаимодействия различны и зависят от типа кристалла. Для наиболее часто используемого и хорошо изученного диапазона частот АВ (десятки — сотни мегагерц) максимальное взаимодействие дает пьезоэффект. В пьезоэлектрических полупроводниках под действием электрического поля, сопровождающего АВ, происходит группировка свободных носителей заряда, поле которых, в свою очередь, за счет обратного пьезоэффекта влияет на исходную АВ. Пьезоэлектрическое взаимодействие характерно для определенных направлений распространения и поляризации АВ в кристаллах группы iWaAs.GaSS. InM и др.) и группы.

ДО (CdS.CdSe, in. S, ZnO и др.).

Акустоэлектронные устройства позволяют осуществить большое число операций над сигналами [6−8]: временную задержку и фильтрацию сигналов, преобразование частот, параметрическое усиление и др. Создается миниатюрные функциональные элементы для считывания, кодирования, декодирования, хранения и корреляционной обработки информации, акустоэлектронные генераторы и усилители сигналов, эффективные устройства управления лазерным излучением и другие устройства.

Из всех типов АВ с точки зрения практических применений наибольший интерес представляют поверхностные акустические волны (ПАВ) — акустические волны, распространяющиеся вдоль поверхности твердых тел в относительно тонком приповерхностном слое. Этот интерес обусловлен: во-первых, возможностью создания малогабаритных термои вибростойких приборовво-вторых, он вызван тем обстоятельством, что на ПАВ можно легко воздействовать на всем пути их распространения и, следовательно, можно создать целый ряд функциональных устройствв-третьих, интерес к ПАВ связан с тем, что технология изготовления приборов на ПАВ, в принципе, совместима со стандартной плинарной технологией интегральных схем.

Наиболее перспективными являются приборы на основе монолитных слоистых структур пьезодиэлектрик — полупроводниковая пленка, либо полупроводник — пленка пьезодиэлектрика. В слоистых структурах АВ, возбуждаемые в пьезодиэлектрике, взаимодействуют с электронами проводимости в полупроводнике [э] .

В настоящее время физические исследования акустоэлектрон-ных явлений, возникающих в пьезополупроводниках и слоистых структурах пьезодиэлектрик-полупроводник, а также исследования нацеленные на выявление новых принципов, которые могут быть использованы при создании приборов, являются по-прежнему актуальными.

Несмотря на то, что к настоящему времени акустоэлектронное взаимодействие в полупроводниках изучено довольно подробно, ряд важных как с научной, так и с практической точки зрения вопросов оставался неисследованным или исследованным в недостаточной степени. Не было проведено систематическое исследование акустоэлек-тронного взаимодействия в слоистых структурах пьезодиэлектрик-полупроводниковая пленка с периодической системой омических контактов, создающей в полупроводнике знакопеременное электрическое поле. Особый интерес к изучению таких структур, в частности, связан с тем, что межэлектродные промежутки могут быть сделаны довольно малыми, порядка длины волны АВ, и, поэтому, даже с помощью небольшого (20−30 В), приложенного к ним напряжения можно эффективно влиять на акустоэлектронное взаимодействие, что важно при создании акустоэлектронных усилителей, детекторов, устройств корреляционной обработки информации. Не был изучен нестационарный акустоэлектрический эффект, возникающий при распространении в полупроводнике АВ, имеющих спектр амплитуднои частотно-модулированных сигналов. Не проводились экспериментальные исследования двунаправленного усиления АВ в несинусоидальных знакопеременных электрических полях, которое может быть использовано для изучения нелинейного взаимодействия акустических флуктуации.

Целью настоящей работы являлось: исследование акустоэлектронных эффектов в слоистой структуре пьезодиэлектрик — полупроводниковая пленка — периодическая система омических контактов с периодом порядка длины волны, создающей распределенное в пространстве знакопеременное электрическое полеизучение нелинейного взаимодействия АВ, имеющих спектр амплитудноили частотно-модулированных сигналов в слоистой структуре пьезодиэлектрикполупроводниковая пленкаисследование основных закономерностей акустоэлектронного взаимодействия в пьезополупроводниках в знакопеременном электрическом поле и изучение возможности использования этого явления для создания активных сред, способных усиливать и генерировать АВ.

Диссертационная работа состоит из введения и пяти глав. В заключительном разделе работы сформулированы основные результаты и выводы, а также приведен список литературы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате проведенных в настоящей диссертационной работе исследований:

1. Изучено двунаправленное усиление АВ в слоистой структуре пьезодиэлектрик Li N50^ - полупроводниковая пленка.

ColS9 с периодической системой омических контактов, создающей в пленке знакопеременное электрическое поле. Исследован акустоэлектрический эффект, возникающий в таких структурах. Показано, что если период системы контактов совпадает с пространственным периодом акустоэлектрического тока на второй гармонике АВ, то вклады токов, возникающих в отдельных межэлектродных промежутках, в переменную составляющую акустоэлектрического тока суммируются в фазе, кроме того, даже если это условие не выполнено, то при подаче на систему контактов постоянного напряжения также возможна эффективная регистрация переменной составляющей акустоэлектрического тока.

2. Исследовано акустоэлектронное взаимодействие в слоистой структуре пьезодиэлектрик LLNBO3 — полупроводник.

Cd&8 — периодическая система контактов, в которой полупроводник находится только в тех межэлектродных промежутках, в которых электрическое поле создает дрейф электронов в направлении распространения АВ. Показано, что такая структура может служить основой для создания акустоэлектронного усилителя радиосигналов работающего в непрерывном режиме при малой величине питающего напряжения (^ 20 В).

3. Проанализированы особенности распространения АВ в пьезополупроводнике с зеркально отращающими АВ торцами в несинусоидальном знакопеременном периодическом электрическом поле и показано, что в этом случае может иметь место усиление.

— 143.

АВ, не зависящее от направления их распространения. В кристаллах П-In S$ в поперечном магнитном поле при 77°К экспериментально изучено усиление АВ частоты 500 МГц в знакопеременном несинусоидальном периодическом электрическом поле и получена генерация акустических сигналов в гигагерцовом диапазоне за счет многопролетного усиления акустических шумов. Полученные результаты подтверждают выводы теории нелинейного взаимодействия усиливающихся флуктуаций.

4. Выполнен расчет нестационарного акустоэлектрического эффекта, возникающего при распространении в пьезополупровод-нике или в слоистой структуре пьезодиэлектрик — полупроводник АВ, имеющих сложных спектр. Изучена возможность использования данного эффекта для детектирования радиосигналов, т. е. создания акустоэлектрического демодулятора. Получены формулы, описывающие работу такого демодулятора. Экспериментальные результаты, полученные при исследовании нестационарного акустоэлектрического эффекта в слоистых структурах LiN^O?, ~ ?dSp и LiNBD3 — In SB, показали правильность развитом теории.

5. На основе слоистой структуры пьезодиэлектрик Li N80 $ полупроводниковая пленка CdSe создан макет акустоэлектрического демодулятора радиосигналов, который обладает высоким коэффициентом передачи, большой крутизной характеристики и широким динамическим диапазоном. Исследована возможность применения акустоэлектрического демодулятора в режиме синхронного и детектирования для обнаружения измерения частоты слабых сигналов.

6. Используя периодическую систему омических контактов, нанесенную на поверхность полупроводника в слоистой структуре пьезодиэлектрик ищ — полупроводниковая пленка удалось возбудить и подробно исследовать вынужденные электронные волны, возбуждаемые АВ в переменном электрическом поле. Результаты опытов качественно согласуются с теорией, описывающей перераспределение электронов между различными электронными волнами и.

U V и учитывающем фазы, с которыми с помощью периодическом системы контактов возбуждаются и регистрируются электронные волны.

7. Используя эффект возбуждения вынужденных электронных волн, экспериментально исследовано детектирование амплитудномодулированных АВ в слоистой структуре пьезодиэлектрик LlN503 -полупроводниковая пленка Cd&B — периодическая система омических контактов и показано, что на основе данного эффекта можно создать демодулятор радиосигналов, работающий в режиме синхронного детектирования.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. О распространении звука в кристалле, обладающем пьезоэлектрическими свойствами.- ЖЭТФ, 1941, т.1., в.2−3, с.332−339.
  2. Hutson A.R., McFee J.H., White D.L. Ultrasonic amplificatior in GdS.-Phys. Rev. Lett., 1961, v. 7, N6, p. 237−239.
  3. В.Л. Теория акустических свойств пьезоэлектрических полупроводников.- ФТП, 1968, т.2, в. II, с.1557−1592.
  4. Мак-Фд Дж. Распространение и усиление звуковых волн в пьезоэлектрических полупроводниках.- В кн.: Применение физической акустики в квантовой физике и физике твердого тела, М.: Мир, 1969, с.13−62.
  5. В.И. Взаимодействие электронных потоков с упругими волнами решетки.- УФН, 1969, т.97, в.2, с.257−306.
  6. Ю.В. Акустоэлектронные устройства для систем связи и обработки информации.- В кн.: Проблемы современной радиотехники и электроники. М.: Наука, 1980, с. 297.
  7. Поверхностные акустические волны / Под ред. А.Олинера.-М.: Мир, 1981.
  8. Приборы на поверхностных акустических волнах / Тематический выпуск ТИИЭР, 1974, т.62, в.5.
  9. Ю.В., Пустовойт В. И. Усиление поверхностных волн в полупроводниках ЖЭТФ, 1964, т.47, в.6, с.2251−2253.
  10. Kuzmany Н. Acoustoelectric interaction in semiconductors, -Phys. Stat. Sol. (a), 1974, v. 25, N 9, p. 9−67.
  11. Дж., Рэмптон В. Гиперзвук в физике твердого тела: Пер. с англ.- М.: Мир, 1975, с. 453.
  12. В.Л. 0 нарастании флуктуации при неустойчивости системы.- ЖЭТФ, 1964, т.46, в.1, с.354−376.
  13. Р., Эльбаум Ч., Чик Б.- В кн.: Ультразвуковые методы в физике твердого тела. М.: Мир, 1972, с. 307.
  14. Р.Ф., Скобов В. Г. О возможности усиления ультразвука в полуметаллах в электрическом поле.- Ж9ТФ, 1962, т.42, в. З, с.910−912.
  15. Hutson A.R., White P.L. Elastic wave propagation in pieroc-lectric semiconductors. J. Appl. Phys, 1962, v. 38, N 1, p. 40−47.
  16. White P.L. Amplification of ultrasonic waves in pieroelectr: semiconductors. J. Appl. Phys. v. 33, N 8, p. 2547 -2554.
  17. Danicki E. Amplification of ultrasonic surface waves in pieroelectric semiconductor system — Bull. Acad. Sci.
  18. Ser. Sci. Tech (poland), 1970, v. 18, N 1, p. 47−52.
  19. Ю.В., Карабанов А. Ю., Кмита A.M., Медведь А. В., Турсунов Ш. С. К теории электронного поглощения и усиления поверхностных звуковых волн в пьезокристаллах.- ФТТ, 1970, т.12, в.9, с.2595−2601.
  20. В.И., Веселов А. Г., Синицын Н. И., Скрипкина П. А., Шевчик В. Н., Палкин A.M., Золотник Г. И., Бондаренко Н. Ф., Васин О. И. Тонкие пленки 1 адля акустоэлектроники -Микроэлектроника, 1979, т.8, в.6, с.539−545.20 Campbell
  21. Т.J", Tones W"R" A method for estimating optimal crystal cuts and propagation direction for the existing of pieroelectric surface waves. IEEE Trans., 1968, N 1, p.
  22. A.M., Медведь A.B., Федорец В. И. Влияние поперечного дрейфа электронов на поглощение поверхностных акустических волн в CdS, ФТТ, 1976, т.18, в.12, с. 3610.
  23. П.П., Гаршка Э. П. К вопросу об электрончронон-ном взаимодействии в CdS Лит.физ.сб., 1967, т.7,с.131.
  24. Э.П., Милькавичус Г., Бразужюнас П. П. Акусторезис-тивный эффект в CdS. НТ ВУЗов Лит. ССР, Ультразвук, 1969, т.53.
  25. С.Г., Морозов А. И., Федосов В. И., Анисимкин В. И. Измерение проводимости полупроводников при высокочастотном эффекте поля Письма ЖЭТФ, 1975, т.21, в.6, с.349−352.
  26. С.Г., Федосов В. И. Нелинейные явления при высокочастотном эффекте поля в полупроводниках ФТП, 1976, т.9, в. II, с. 2161.
  27. Kino G.S., Reeder Т.М. A normal mode theory for the Raylei-gh wave amplifier. IEEE Trans., 1977, ED-18, N 10, p. 909 920.
  28. Ingebrigtsen K.A. Surface waves in pieroelectrics.- J. APPL. Phys., 1969, v. 40, N 7, p. 2681−2686.
  29. Lakin K.M., Shaw H.J. Surface wave delay line amplifiers" -IEEE Trans., 1969, MTT-17, N 11, p. 912−920.
  30. В.И., Чернозатонский JI.А. О генерации акустических волн в пьезополупроводниках.- ЖЭТФ, 1968, т.55, в.12, с.2213−2225.
  31. Л.А., Ермолаева И. В. Влияние переменного дрейфа носителей заряда на распространение поверхностной волны в слоистой структуре.- ФТН, 1980, т.14, в.6, с.948--956.
  32. Л.П. Новый режим работы конвольвера на поверхностных акустических волнах.- ТИИЭР, 1976, т.64, в.5, с.234--238.
  33. С.Х., Солодов И. Ю., Лямов В. Е., Шетделей В.И. Усиление ультразвуковых волн в слоистой структуре кварц
  34. CdS. ФТП, 1973, т.7, в.4, с.851−852.
  35. С.В., Боярский A.M., Левин М. Д., Яковкин И.Б.
  36. Аномальное усиление упругих поверхностных волн в слоистой структуре, — ФТП, 1975, т.9, в.5, с.830−834.
  37. И.А., Талатов А. А. 0 взаимодействии рэлеевских волн с электронами в двухслойных системах с воздушным зазором.- Акустический журнал, 1976, т.22, в.2, с.288−291.
  38. Lakin К. М, Collins Т.М., Hagan P.J., 100 MHz Surface acoustoelectric amplifier exhibiting stable terminal gain with PC drift field. Proc. IEEE, 1969, v. 57, N 4, p. 740−742.
  39. Ю.В., Кмита A.M., Котелянский И. М., Медведь А. В., Турсунов Ш. С. Возбуждение и усиление поверхностных акустических волн в структуре полупроводник пьезоэлектрическая пленка — ФТП, 1971, т.5, в.1, с.80−84.
  40. Hanebreke Н., Ingebrigtsen К. A. Acoustoelectric amplification of surface waves in structure of cadmium-selenide film on LiNb03- Electr. Lett., 1970, v. 6, N 16, p. 520−521.
  41. Coldren L.A., Kino G.S., Monolithic acoustic surface wave amplifier. Appl. Phys. Lett., 1971, v. 18, p. 317.
  42. И.М., Крикунов А. И., Медведь А. В., Миргородская Е. Н., Митягин А. Ю., Мишкинис Р. А., Пантелеев В. В. Монолитный акустоэлектронный усилитель радиосигналов, работающий в непрерывном режиме.- Письма ЖТФ, 1977, т. З, в.18, с.951−954.
  43. Gulyaev Yn.V. Kotelyansky Т.М., Medved A.V., Mishkinis R.A. SAW monolithic acoustoelectronic oscillator. Electr.1.tt., 1980, v. 16, К 4, p. 114−115.
  44. Coldren L.A., Kino G.S. A CW monolithic acoustic surface wave amplifier in corporeted in a v/v waveguide. Appl. Phys. Lett., 1973, v. 23, N 3, P. 117−118.
  45. JI.K., Красильников В. А. Введение в нелинейную акустику.- М.: Наука, 1966, с. 520.
  46. Hutson A.R. Acousto-electric explaration of nonohmic behavo-ur in pieroelectric semiconductors and bismuth" Phys. Rev. Lett, 1962, v. 9, N 7, p. 296−298.
  47. Parmenter R.H. The acousto-electric effect. Phys. Rev., 1953, v. 89, N 5, p. 996−998.
  48. Weinreich G., Sanders T.M., White H.G. Acoustoelectric effecl in n-type Germanium. Phys. Rev., 1959, v. 114, N 1, p. 33−44.
  49. Weinreich G. Acoustodynamic effect in semiconductors. -Phys.
  50. Rev., 1956, v. 104, N 2, p. 321−324.
  51. B.JI., Эфрос А. Л. К теории акусто электрического эффекта." ЖЭТФ, 1963, т.14, № 6, с.2131−2141.
  52. В.Б., Коган Ш. М. Акустоэлектрические эффекты в пьезоэлектрических полупроводниках.- ФТТ, 1963, т.5,в.7, с.1894−1899.
  53. Butcher P.N., Ogg N.R. A non linear theory of acoustoelectric gain and current in pieroelectric semiconductors. -Brit, J. Appl. Phys. (J. Phys. D.), Ser. 2, 1968, v. 1, p. 12 711 275.
  54. Proklov V.V., Gulyaev Yn.V., Morozov A.I. On some acoustoelectric phenomena in pierosemiconductors at large sound intensities. Phys. Stat. Sol. (a), 1972, v. 12, N1, p. K1-K4.
  55. B.E. Акустоэлектрический эффект в монокристаллах пьезополупроводников.- В кн.: Некоторые вопросы взаимодействия ультразвуковых волн с электронами проводимости в кристаллах.- М., Б.И., 1965, с.77−94.
  56. Wang W.C. Strong acoustoelectric effect in GdS. Phys, Rev. Lett., 1962, v. 9, N 11, p. 443−445.
  57. А.И. Исследование акустоэлектрического эффекта в кристаллах сульфида кадмия.- ФТТ, 1965, т.7,в.10,с.3070−3078
  58. В.И., Байбаков В. И., Падо Г. С. Акустоэлектрический эффект в CdSe в режиме непрерывного усиления ультразвука потоком электронов, — ДАН СССР, 1967, т.174, в.4, с.791−794.
  59. А.П., Рой В.Ф. Акустоэлектрический эффект в теллуре.- ФТТ, 1972, т.14, в.1, с.260−262.
  60. Beale J.R.A., Pomerantz m. Aconstocluctric effect of microwave phonons in GaAs.- Phys. Rev. Lett., 1964, v. 13, N6, p-148 200.
  61. Г. И., Кучеров И. Я., Островский В. И. Генерация второй гармоники поперечной волной пьезополупроводниковой пластине.- ФТТ, 1976, т.18, в.9, с.2840−2843.
  62. Ostrovski I.V., Bulakh G.I. Second harmonic of the aconstoe-lectric current in pierosemiconductors.- Phys. Stat. Sol. (aO 1980, v. 59, N1, p.83−89.
  63. Ю.В., Кмита A.M., Медведь А. В., Плесский В. П., Шибанова Н. Н., Федорец В. Н. Исследование нелинейных акусто-электрических эффектов и акустопроводимости в слоистой структуре LiNB03- Si .-ФТТ, 1975, т. 17, в. 12, с. 3505−3515.
  64. А.П., Гаршка Э. П., Милькявиченс З. А., Юцис А.И.
  65. Акустоэлектрический эффект в слоистой структуре пьезоэлек-трик металлическая пленка, — ФТТ, 1974, т.16, с.2455−2456.
  66. A.M., Медведь А. В. Акустоэлектрический эффект в слоистой структуре пьезоэлектрик полупроводник.- ФТТ, 1972, т.14, в.9, с.2646−2655.
  67. Morita S., Tsubuchi К., Mifcohiba N. Convolution and acousto-electric effect by elestic surface waves in coupled semiconductor pieroelectric system.- Jap. J. Appl. Phys., 1976, v. 5, N6, p. 1019-Ю28.
  68. С.В., Балакирев М. К. В кн.: Основы акустоэлектро-ники, ч. П, Новосибирск, 1968, с.9−15.
  69. В.Л., Лайхтман Б. Д. Нелинейная теория звуковой неустойчивости в пьезоэлектриках.- ЖЭТФ, 1965, т.49, в. З, с.960−974.
  70. А.И. Четный акустоэлектрический эффект в кристаллах сульфида цинка.- Письма в ЖЭТФ, 1965, т.2, в.8, с.362−365.
  71. В.И., Земляницын М. А., Морозов А. И. Ориентацион-ная зависимость акустоэлектрического эффекта в слоистой структуре пьезодиэлектрик-полупроводник.- ФТП, 1975, т.9, в.12, с.2249−2255.
  72. Ingebrigtsen К.А. Linear and nonlinear attention of acouatic surface waves in pieroelectric couted with a semiconductor film.- J.Appl.Phys., 1970, v. 41, N2, p.454−459.
  73. Ю.П., Пустовойт В. И., Раввин И. О., Чернозатон-ский Л.А. Поперечный акустоэлектрический эффект.- ФТТ, 1972, т.14, в.9, с.2664−2669.
  74. М., ^amaguchi Ch. -^ho to enhancement of transverse aco-ustoelectric effect by acoustic surface wave propagating an basal plane of CdS.-Jap.J.Appl.Phys., 1976, v.15, N6, p.1165 1166.
  75. Григорьеве&trade- В.И., Кмита A.M., Медведь А. В., Федорец В. Н. Поперечный акустоэлектрический эффект в сульфиде кадмия.-ФТП, 1977, т. II, в.7, с.1411−1412.
  76. Kunigelis V., Jusus A., Garska Е., Vitkauskas V. Influence of the surface potential on the acoustoelectric interaction. Phys. Stat. Sol., 1977, v.43, N2 (a), p.699−705.
  77. С.Г., Морозов А. И., Земляницын М. А. Знакопеременный акустоэлектрический эффект в слоистой структуре пьезодиэлектри-полупроводник.- Письма ЖЭТФ, 1972, т.16,в.З, с.170−173.
  78. .П., Гаршка Э. П. Исследование нелинейных эффектов акустоэлектрического взаимодействия.- Изв. АН СССР, сер. физ., 1971, т.35, в.5, с.905−906.
  79. .П., Кунигелис В. Ф., Гаршка Э. П. Нелинейность акустоэлектрического взаимодействия в ColS ФТТ, 1971, т.13, в.9, с.2574−2579.
  80. А., Дьяконов A.M., Чиплис Д. Акустооптическое исследование многопролетного усиления звука в пьезоэлектрических полупроводниках.- ФТТ, 1965, т.7, с. 3218.
  81. Meyer N.I., Jorgenson М.н. Non-ohmic behavior in ZnO single crystals.- Phys. Lett., 1966, v. 20, N5, p. 4−50−451.
  82. Sliva P.O., Bray R. Oscillating current behavior in GaAs and its relation to spontaneous generation and amplification ofultrasonic flux.- phys. Rev. Lett, 1965, v.14, N 10, p.372 376.
  83. Hydle W.H., Harker K., Quate C.P. Current oscillations in pi-eroelectric semiconductors.- J.Appl.Phys., 1967, v.38, N11, p. 4295−4309.
  84. Hydle W.H., Quate C.F. High field domains in CdS.- Phys.Lett.1966, v.20, N5, p.463−464.
  85. McFee J.H., Jien P.K., Hodges, transient approach to currentsaturation in photoconducting CdS.- J.Appl.Phys., 1967, V38, N 4, p. 1721−1729.
  86. Zucker J., Zemon S. Frequency spectrum of gigant acoustic wave packets, generated in CdS by light electric fields.- Appl. phys. Lett, 1966, V.9, p.398.
  87. Turner C.W. The role of acoustic wave amplification in the emission of microwave noise from InSb.-IBM. J.Res. Dev., 196Sv.13, N 9, p.616−620.
  88. Tompson A. H, Kino G.S. Hois emission from InSb.-IBM J Res. Dev., 1969, v.13, N9, p.611−615.
  89. M.E., Пустовойт В. И. О распространении акустических волн объемного заряда в полупроводниках.- Радиотехника и электроника, 1962, т.7, в.6, с.1009−1013.
  90. В.И. К вопросу о распространении ультразвука в полупроводниках.- ФТТ, 1963, т.5, в.9, с.2490−2500.
  91. В.И. 0 проводимости плазменных сред при наличии дрейфа.- ЖЭТФ, 1962, т.43, в.6, с.2281−2289.
  92. В.М., Пустовойт В. И. Теория взаимодействия акустических волн в полупроводниках.- ЖЭТФ, 1969, т.56, в.6, с.1881−1890.
  93. В.Л., Коган В. Д., Лайхтман Б. Д. Теория взаимодействия нарастающих звуковых флуктуаций в полупроводниках.-ЖЭТФ, 1968, т.54, в.1, с.188−204.
  94. Л.А., Лайхтман Б. Д. Теория нелинейного усиления шумов в пьезополупроводниках.- ФТТ, 1977, т.19, в.9, с.1778−1789.
  95. Г. Д., Рубцов А. А., Гуляев Ю.В. Исследование многопролетного усиления акустических шумов в кристаллах
  96. П. -1/1 в переменном электрическом поле.- ФТП, 1980, т.14, в.5, с.915−922.
  97. Г. Д., Рубцов А. А., Гуляев Ю. В. Особенности многопролетной генерации акустических волн в /г In в сильном электрическом поле.- ФТП, 1981, т.15, в.2, с.319--326.
  98. Г. Д., Рубцов А. А. Развитие спектра сигнала при многопролетной генерации акустических волн в пьезополупроводниках.- ФТП, 1982, т.16, в. II, с.2007−2010.
  99. И.М., Медведь А. В. Акустоэлектрический эффектв монолитной слоистой структуре iLHbOi пленка Шя ФШ, 1973, т.7, в.9, с. 1703−1705.
  100. И.М., Крикунов А. И., Медведь А. В., Мишкинис Р. А., Пантелеев В.В. Изготовление слоистых структур LiNBo^
  101. BiSb и их использование для усиления поверхностных акустических волн.- ФТП, 1978, т.12, в.7, с.1267−1272.95 coldren L.A., Kino J.S., Appl. Phys. Lett., 1971, v.18, P.317.
  102. B.C., Мансфельд Г. Д. Экспериментальное исследование влияния переменного электрического поля на акустоэлектронное взаимодействие в кристаллах ti-InSft .- ФТП, 1978, т.12, в. З, с.524−528.
  103. А.И. Элементарные оценки ошибок измерений.- М.: Мир, 1969.
  104. К.П. Математическая обработка результатов измерений. М., ГИТТЛ, 1953.
  105. В.М., Чернозатонский Л. А. Распространение акустических волн в пьезополупроводнике, помещенном в переменное электрическое поле, — ЖЭТФ, 1970, т.59, в.7, с.142−154.
  106. И.В., Чернозатонский Л. А. Двунаправленное усиление акустических волн переменным дрейфом носителей заряда.- ЖТФ, 1981, т.51, в.6, C. I3I3-I3I5.
  107. S.E., Гуляев Ю. В., Бугаев А. С. Электронное усиление и поглощение звука в полупроводниках в переменных электрическом и магнитном полях.- ФТП, 1982, т.16, в.8, с.1517−1519.
  108. Ю.В., Мансфельд Г. Д., Орлова Г. А., Боритко С. В., Крикунов А. И., Миргородская Е. Н. Акустоэлектронный транзистор новый тип управляемого акустоэлектронного преобразователя.- Письма ЖТФ, 1981, т.7, в.6, с.339−343.
  109. Г. Д., Орлова Г. А., Гуляев Ю. В. Удвоение частоты в слоистой структуре пьезодиэлектрик полупроводник с контактами в виде периодической решетки, — Письма ЖТФ, 1981, т.7, в.14, с.840−842.
  110. Ю.В., Мансфельд Г. Д., Орлова Г. А. Преобразование и умножение частоты сигнала в акустоинжекционном транзисторе.- ЖТФ, 1982, т.52, в.4, с.793−794.
  111. Г. Д., Веретин B.C. Экспериментальное обнаружение осцилляции электронного поглощения ультразвука в полупроводнике, помещенном в переменное электрическое поле.-Письма ЖЭТФ, 1978, т.27, в.2, с.81−83.
  112. Sittig Е.К., Cognin G.A. filters and dispersive delay lings using repetitively raismatcned ultrasonic transmission lines. IEEE Trans., 196S, SU-15,N2, p.111.
  113. Г. И., Островский PI.В. Генерация второй гармоники акустоэлектронного тока в пьезополупроводниках.- ФТП, 1979, т.13, в.4, с.718−720.
  114. С.В., Гуляев Ю. В., Мансфельд Г. Д. Пьезополупровод-ник в знакопеременном электрическом поле как активная среда для генерации акустических сигналов.- Письма ЖТФ, 1983, т.9, в.1, с.35−38.
  115. Ю.В., Бугаев А. С., Денисенко В. В., Смбатян Ж. Е. К теории акустоэлектронных явлений в полупроводниках в переменном электрическом поле.- ФТП, 1978, т.12, в.1, с.145--150.
  116. Steele M.S. Magnetic field effect on acoustoelectric gain i in semiconductors.-r RCA Review, 1967, v.28, p. 58.
  117. И.Л., Илисовский Ю. В., Кудинов В. А. Усиление звука в п -In St? в поперечном магнитном поле.- Письма ЖЭТФ, 1968, т.8, в.10, с.513−517.
  118. C.H., Мансфельд Г. Д., Хазанов Е. Н. Поглощение ультразвука решеткой антимонида индия при 77°К.- ФТТ, 1973, т.15, в.1, с.317−318.
  119. ИЗ Иванов С. Н., Мансфельд Г. Д. Усиление акустических волн частоты 0.4-I.I Ггц в кристаллах арсенида галия.- ФТТ, 1969, т. II, в.12, с.3589−3591.
  120. .Л. Усиление звука в пьезоэлектриках при протекании тока, ограниченного пространственным зарядом.- ФТТ, 1971, т.13, в.5, с.1275−1277.
  121. В.Г., Кривоносов С. Н., Наследов Д. Н., Сметаннико-ва Ю.С. Модель рекомбинационных процессов в
  122. ФТП, 1976, т.10, в.1, с.20−24.
  123. .И., Эфрос А.Л.- В кн.: Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.
  124. С.В., Мансфельд Г. Д., Рубцов А. А. Исследование акустоэлектронного взаимодействия в p~I/lS5 и компенсированном П -JaSS .-ФТП, 1982, т.16, в.7, с.1235--1238.
  125. И.О. Радиотехнические цепи и сигналы.- М., Советское радио, 1977, с. 607.
  126. И.С., Рыжих И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений.- М., ГИФМЛ, 1962, с. 1100.
  127. Э.М. Осцилляции затухания ультразвука в полупроводнике в высокочастотном электрическом поле.- Письма ЖЭТФ, 1968, т.7, в. II, с.433−436.
  128. Ю.В., Мансфельд Г. Д. Особенности акустоэлектронного взаимодействия в переменном электрическом поле.- В кн.: Материалы XI Всесоюзной конференции по акустоэлектроникеи квантовой акустике, «Дошил», Душанбе, 1981, с.56−57.
  129. Г. А. Акустоэлектронное преобразование сигналов вслоистой структуре пьезодиэлектрик полупроводник в переменном электрическом поле, — Дис. к.ф.-м.н., Киев 1984, (Ин. полупроводников АН УССР) с. 160.
  130. С.В., Гуляев Ю. В., Мансфельд Г. Д. Использование акустоэлектрического эффекта для де.игодуляции радиосигналов.- В кн.: Материалы ХП Всесоюзной конференции по акустоэлектронике и квантовой акустике, ВИНИТИ, Саратов 1983, с. 187−188.
  131. С.В., Гуляев Ю. В., Мансфельд Г. Д., Рубцов А. А. Влияние волн электронной плотности на спектр генерируемых в И -In SB акустических фононов.- В кн.: Материалы У симпозиума УПлазма и неустойчивости в полупроводниках", Вильнюс 1984, с.17−18.
  132. С.В., Гуляев Ю. В., Мансфельд Г. Д. Акустоэлектронное детектирование радиосигналов.- Радиотехника и электроника, 1984, т.24, в.6, c. II79-II85.
  133. С.В., Мансфельд Г. Д., Орлова Г. А. Прямое экспериментальное наблюдение электронных волн в полупроводникев переменном электрическом поле.- ЖЭТФ, 1984, т.86, в.9, с.918−921.
  134. Автор выражает глубокую благодарность своим научным руководителям члену-корреспонденту АН СССР Ю. В. Гуляеву и кандидату физико-математических наук Г. Д. Мансфельду за руководство работой, благожелательную критику, внимание и поддержку.
  135. Автор благодарен А. Г. Козорезову, Г. А. Орловой, А. А. Рубцову, Л. А. Галченкову за помощь в работе и ряд ценных замечаний, а также И. М. Котелянекому, А. И. Крикунову, Е. Н. Миргородской и А. Г*Веселову за большую помощб в изготовлении образцов.
  136. Кроме того, автор хотел бы выразить свою признательность всему колективу 171 лаборатории ИРЭ АН СССР за постоян^ю помощь и внимание на всех этапах выполнения этой работы.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!