Диоды Шоттки. 
Электроника и схемотехника

Основой для построения таких диодов служит переход металл — полупроводник с нелинейной вольт-амперной характеристикой. Особенности диодов Шоттки по сравнению с диодами на р-я-переходах состоят в следующем:

• • протекающий ток, обусловлен основными носителями зарядов и не связан с инжекцией неосновных носителей зарядов и их рассасыванием. Поэтому отсутствует диффузионная емкость, что существенно повышает быстродействие при переключениях. Время переключений определяется только барьерной емкостью. У диодов с малой площадью оно может составлять десятые и сотые доли наносекунды. Рабочие частоты лежат в пределах от единиц до десятка гигагерц;
• • прямое сопротивление диода Шоттки меньше сопротивления диодов на р-/г-нереходах, поэтому меньше и падение напряжения. Выпрямители с использованием диодов Шоттки имеют более высокий КПД;
• • описание прямой ветви вольт-амперной характеристики строго соответствует экспоненциальному закону в очень широком диапазоне токов — на протяжении нескольких декад, например от 10 ¹² до 10 ⁴ А. Поэтому диоды Шоттки можно использовать в качестве прецизионных логарифмирующих элементов. Эта особенность также связана с отсутствием инжекции.

Туннельные диоды.

>

При очень малых толщинах запорного слоя (10—100 нм и меньше) наблюдается туннельный переход зарядов из валентной зоны в зону проводимости. Благодаря этой особенности вольт-амперная характеристика (ВАХ) туннельного диода имеет падающий участок АВ (рис. 2.14, в), на котором дифференциальное сопротивление является отрицательным, что тождественно внутренней положительной обратной связи. Поэтому туннельные диоды используются для генерирования колебаний.