Заказать курсовые, контрольные, рефераты...
Образовательные работы на заказ. Недорого!

Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии

Диссертация: Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведено термодинамическое рассмотрение задачи о взаимодействии системы квантовых точек с примесными атомами. Показано, что эффективное легирование квантовых точек одиночным примесным атомом возможно при наличии кулоновской блокады второго вводимого в квантовую точку примесного атома. Проведено рассмотрение задачи о легировании германиевых квантовых точек, находящихся в кремниевой матрице… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Собственные точечные дефекты в кремнии
    • 1. 2. Растворимость точечных дефектов в полупроводнике
  • ГЛАВА 2. ТЕРМОДИНАМИКА ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ
    • 2. 1. Свободная энергия системы расплав-полупроводник
    • 2. 2. Минимизация свободной энергии Гиббса методом неопределенных коэффициентов Лагранжа
    • 2. 3. Определение положения уровня Ферми
    • 2. 4. Расчет активности примеси в расплаве
    • 2. 5. Определение термодинамических параметров образования примеси в кремнии и германии. 2.6. Моделирование совместной растворимости фосфора и алюминия в кремнии
    • 2. 7. Выводы ко второй главе
  • ГЛАВА 3. ТЕРМОДИНАМИКА ОБРАЗОВАНИЯ СОБСТВЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ
    • 3. 1. Зарядовые состояния собственных точечных дефектов в кремнии
    • 3. 2. Термодинамика образования вакансий и междоузельных атомов
    • 3. 3. Влияние электронной подсистемы на соотношения между концентрациями вакансий и междоузельных атомов в кремнии
    • 3. 4. Вывода к третьей главе
  • ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ И УСЛОВИЙ
  • ВЫРАЩИВАНИЯ НА ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ
    • 4. 1. Изменение модели Воронкова для случая легированного полупроводника
    • 4. 2. Моделирование распределения микродефектов в кремнии в процессе выращивания
    • 4. 3. Влияние легирования на распределение микродефектов в бездислакационном кремнии в процессе выращивания
    • 4. 4. Выводы к четвертой главе
  • ГЛАВА 5. ТЕРМОДИНАМИКА РАСТВОРИМОСТИ ОДИНОЧНЫХ АТОМОВ В СИСТМЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
    • 5. 1. Рассмотрение задачи растворимость одиночных атомов в системе квантовых точек методом минимизации свободной энергии Гиббса
    • 5. 2. Критерии эффективного введение в квантовые точки одиночного атома примеси
    • 5. 3. Моделирование растворимости атомов фосфора в системе германиевых квантовых точек
    • 5. 4. Выводы к пятой главе
  • ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ
  • СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
  • СПИСОК РАБОТ АВТОРА ДИССЕРТАЦИИ
  • ПРИЛОЖЕНИЕ

Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Проблема получения материалов и структур с заданными свойствами является основной проблемой материаловедения полупроводников. Необходимые электрофизические, оптические и др. свойства достигаются путем легирования — введением, соответствующих примесных атомов в процессе роста кристаллов. Свободные носители заряда — электроны и дырки, атомы примесей, собственные дефекты кристалла — вакансии, междоузельные атомы, различные ассоциации примесей и собственных дефектов решетки относятся к широкому классу точечных дефектов. Разнообразие свойств полупроводниковых материалов и структур для практических применений достигается направленным введением тех или иных дефектов и варьированием их концентраций.

Управление процессами образования дефектов в полупроводниках и их взаимодействием являются основой для ряда современных технологий микрои наноэлектроники. В последнее время интенсивно развивается направление физики полупроводников, получившее название defect engineering, основной целью которого является управление процессами образования дефектной структуры с заданными свойствами.

Сейчас, когдадостаточно хорошо разработаны методы управления содержанием и распределением легирующих примесей в кремнии, особое внимание уделяется выяснению природы и управлению собственными точечными дефектами, а также влиянию, которое оказывает наличие примеси на процессы их формирования в растущих кристаллах. Также большой интерес представляют собой процессы легирования наноразмерных структур, которые являются основой для наиболее перспективных полупроводниковых технологий.

Для совершенствования современных технологий необходимо дальнейшее развитие теоретических моделей образования дефектов в полупроводниках, а также определение их параметров. Это важно как для замены длительных дорогостоящих экспериментов компьютерным моделированием, так и для оптимизации технологических процессов, в основе которых лежат процессы взаимодействия дефектов. Несмотря на достаточно большое количество работ, появившихся по данной тематике в последнее время, эта проблема остается актуальной и недостаточно изученной.

Цель исследований и постановка задачи.

Целью настоящей работы является термодинамическое исследование процессов образования электрически активных точечных дефектов в кремнии и их взаимодействие между собой.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Разработка термодинамической модели, описывающей процессы растворимости примесей с учетом возможности вырождения электронной подсистемы в кремнии.

2. Изучение влияния электронной подсистемы на процессы образования собственных точечных дефектов — вакансий и междоузельных атомов, с учетом их многозарядности в кремнии.

3. Рассмотрение влияния условий выращивания кристалла и легирования на формирование собственных точечных дефектов в кремнии, выращенном методом Чохральского.

4. Моделирование распределения вакансий и междоузельных атомов кремния по объему кристалла в процессе выращивания по методу Чохральского.

5. Термодинамический анализ задачи о взаимодействии системы квантовых точек с примесными атомами.

Научная новизна.

1. Разработана термодинамическая модель растворимости примесей и образования собственных точечных дефектов в двух и трехкомпонентных системах, позволяющая учитывать вырождение электронного газа и многозарядность точечных дефектов в кремнии.

2. Определены условия преобладания вакансий или междоузельных атомов в зависимости от концентрации и типа легирующей примеси. Показано, что наличие электрически активной примеси может оказывать существенное влияние на тип и концентрацию собственных точечных дефектов в процессе выращивания кремния методом Чохральского. Получено модифицированное, с учетом многозарядности собственных точечных дефектов, выражение для критического значения определяющего условие смены типа собственных точечных дефектов в процессе выращивания. Получены зависимости критического значения от концентрации легирующих примесей, таких как бор, сурьма, золото, марганец.

3. Показана возможность легирования квантовых точек одиночными примесными атомами и определены условия осуществления данного процесса.

Практическая ценность.

1. Разработан алгоритм обработки экспериментальных данных, позволивший определить термодинамические параметры растворимости алюминия, фосфора, мышьяка, галлия, сурьмы, олова в, кремнии с учетом многозарядности дефектов и вырождения электронной подсистемы.

2. Вычислены значения парциальных энтропий и энтальпий для растворимости алюминия, фосфора, мышьяка, галлия, сурьмы, олова в кремнии.

3. Определены значения =— (V — скорость вытягивания кристалла из расплава, в — осевой градиент температуры вблизи фронта кристаллизации), при котором происходит смета типа собственных точечных дефектов в процессе выращивания кремния методом Чохральского для случая легирования золотом, марганцем, сурьмой и мышьяком.

4. Определены области значения температуры и концентрации примеси при фиксированном размере квантовых точек, а также области значения размеров квантовых точек и концентрации примеси при фиксированной температуре, для которых возможно легирование германиевых квантовых точек в кремниевой матрице одиночным атомом фосфора.

Положения, выносимые на защиту.

1. Для точного описания процессов растворимости различных примесей в кремнии необходимо правильное определение положения уровня Ферми с учетом влияния всех зарядовых состояний точечных дефектов.

2. Увеличение растворимости при совместном легировании кремния донорами и акцепторами связано с влиянием взаимной компенсации и изменением активности компонентов в расплаве.

3. Преобладание дефектов вакансионного или междоузельного типа связано не только с условиями выращивания (в соответствии с критерием Воронкова), но и процессами легирования кристалла электрически активными примесями.

4. Эффективное легирование квантовых точек одиночным примесным атомом возможно при наличии кулоновской блокады второго вводимого в квантовую точку примесного атома.

Апробация.

Основное содержание работы докладывалось на научных семинарах и конференциях в Ульяновском государственном университете на физико-техническом факультете.

По материалам диссертации были представлены и опубликованы тезисы на следующие конференции: труды международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 2000 г.), Труды третьей научной конференции «Математическое моделирование» (Ульяновск, 2000 г.), труды второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния. «Кремний 2000» (Москва, 2000 г.), труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2002 г.), совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний 2002» (Новосибирск 2002 г.), четвертой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2002 г.), третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе «Кремний 2003» (Москва 2003 г.), труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск 2003 г.).

Личное участие автора.

Основные теоретические положения разработаны совместно с профессором Булярским C.B. и д.ф.-м.н. Светухиным В. В. Численное моделирование выполнено автором самостоятельно.

Публикации.

Основное содержание работы изложено в 12 публикациях, приведенных в списке pa6oj автора диссертации.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов по диссертации и приложения. Материал изложен на 136 страницах, включает 61 рисунков, 6 таблиц и библиографический список из 113 наименований.

Выводы по диссертации:

1) С учетом влияния электронной подсистемы получены термодинамические параметры растворимости алюминия, фосфора, мышьяка, галлия в кремнии.

2) Проведено термодинамическое рассмотрение влияния легирования на процессы образования вакансий и междоузельных атомов в кремнии. Показано, что в полупроводнике п-типа с сильным легированием преобладают вакансии, а в полупроводнике р-типа с сильным легированиеммеждоу-зельные атомы.

3) Получено выражение для критерия Воронкова, модифицированного с учетом многозарядности собственных точечных дефектов.

4) Предложен новый алгоритм моделирования распределения собственных точечных дефектов в процессе выращивания кремния методом Чохральского при легировании примесями различного типа.

5) Проведено термодинамическое рассмотрение задачи о взаимодействии системы квантовых точек с примесными атомами. Показано, что эффективное легирование квантовых точек одиночным примесным атомом возможно при наличии кулоновской блокады второго вводимого в квантовую точку примесного атома. Проведено рассмотрение задачи о легировании германиевых квантовых точек, находящихся в кремниевой матрице атомами фосфора.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М: Мир, 1984. с.490
  2. В. М. Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М: Наука, 1967, .с 250
  3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / В двух томах М.: Мир, 1984
  4. К.В. Физика полупроводников М: Энергия, 1971
  5. С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия. 1988. с. 259
  6. Ланно М, Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Технология полупроводниковых материалов. М., 1961. с. 230
  7. В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977. с. 240
  8. В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш. школа, 1975. с. 296
  9. .И. Диффузия полупроводников. — М.: Энергия, 1971
  10. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. — Ленинград: Наука, 1972, 384 с.
  11. В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М: Радио и Связь, 1981, -248 с.
  12. В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1967. с. 416
  13. В.И. Беседы о ХТТ и ФТТ. М., 1994. с. 120
  14. М.Г. Материалы электронной техники, 1998, № 3, с.4−12
  15. V.V. Voronkov.// J. Cryst. Growth 59,625, (1982)
  16. Эйдензон A.M., Пузанов Н.И.// Кристаллография, 1985, том 30, в.5, с.992−998.
  17. В.В., Воронкова Г. И. Веселовская Н.В. и др. // Кристаллогра фия, 1984, том 29, в.6, с.1176−1181.
  18. A.M., Пузанов Н. И., Калюжная С. И. // Кристаллография, 1986, том 31, в.2, с.337−344.
  19. Н.И., Эйдензон A.M.//Кристаллография, 1986, том 31, в.2, с.373−378.
  20. Н.И. // Неорганические материалы, 1996, том 32, № 1, с. 7−16.
  21. К. Nakamura, Т. Saisoji, Т. Kubota, etc //J. Cryst. Growth 180, (1997), 6172.
  22. R. Felster, V.V. Voronkov, F. Quats. // Phys. St. Sol., (b) 222, 219 (2000)
  23. R. Felster, V.V. Voronkov.//Materials Science Engineering, B73, (2000), 87−94.
  24. R.A. Brown, Z. Wang, T. Mori // J. Cryst. Growth 225, (2001), 97−109.
  25. V.V. Voronkov, R. Felster // (7/11/2003) Future Fab Int. Volume 15.
  26. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М: Металлургия, 1984, 349с.
  27. Foil Н., Kolbesen В. О // Appl. Phys., 1975, v.8, р.319−331.
  28. Н., Gosele U., Kolbesen В.О. // J. Cryst. Growth, 1977, v.40, p.90−103.
  29. Petroff P.M., Kock A.J. R. de // J. Cryst Growth, 1975, v.30, p. l 17−128.
  30. Kock A J. R. de. Semiconductor Silicon/ed. Huff H.R., Sirtl E. Princeton: Electrochem.Soc., 1977, p. 508−521.
  31. Chikawa J., Shirai S // Jap. J. Appl. Phys., 1979, v. 18, p. 153−164.
  32. Chikawa J., Shirai S // J. Cryst. Growth, 1977, v.39, p.238−338.
  33. J.A. Van Vechten // Phys. Rev. В., 1978, v.17, p.3197−3202
  34. HuS. M.//J. Vacuum Sci. TechnoL, 1977, v. 14p. 17−31.
  35. Kock A. J. R. de, Wijgert W.M. de. // J. Cryst. Growth, 1980, v.49, p. 718 734.
  36. Ю.Н., Фирсова JI.H., Зломанов В. П. и др//ДАН СССР, 1978, т. 242, с. 1371−1374- 1979, т. 247, с. 1354−1358.
  37. V.V. Voronkov, R. Felster //J. Appl. Phys., 2000, v.87, p. 4126−4129
  38. V.V. Voronkov, R. Felster//Microelectronic Engineering, 2001, v. 56, p. 165−168.
  39. V.V. Voronkov, R. Felster // J. Electrochemical Society, 2002, v. 149 (3), p. 167−174.
  40. П.В. Физическая химия твердого тела. М.: Высш. школа, 1993, с. 352
  41. Дж. Физика твердого состояния. М.: Металлургия, 1972. с. 488
  42. F. Bailly. Lattice defects in semiconductors, 231. Univ. of Tokyo Press, Tokyo (1968)
  43. R.A. Swalin. J. Phys. Chem. Sol., 18, 290 (1961)
  44. K.H. Benneman. Phys. Rev., 137, A1497 (1965)
  45. A.Scholz, A. Seeger. Phys. St. Sol., 3, 1480 (1963)
  46. T. Soma, M. Saeki, A. Morita. J. Phys. Soc. Japan, 35, 146 (1973)
  47. J.C. Phillips, J.A. van Vechten. Phys. Rev. Lett., 30, 220 (1973)
  48. В .А. Пантелеев. ФТТ, 19,1801 (1977)
  49. В. И. Окулич. Автореф. канд. дис. ГТУ им. Н. И. Лобачевского, Горький (1976)
  50. L. Elstner and W. Kamprath, Phys Status Solidi, 22, 541 (1967)
  51. G.D. Watkins, in Deep Centers in Semiconductors, edited by S.T. Pantelides (Gordon and Breach, New York, 1986)
  52. R. Car, P.J. Kelly, A. Oshiyama and S.T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 54, 360(1985)
  53. Van Vechten, Phys. Rev. В 33, 2674 (1986)
  54. J.A. Van Vechten and C.D. Thurmond, Phys. Rev. В 14, 3539 (1976) — 14, 3551(1976)
  55. F.J. Demond, S. Kalbitzer, H. Mannsperger, and H. Damjantschitsch, Phys. Lett. 93A, 503 (1983)
  56. G.D. Watkins and J.W. Corbett, Phys. Rev. 134, A1359 (1964)
  57. T.Y. Tan and U Gosele, Appl. Phys. A 37,1 (1985)
  58. T.B. Термодефекты в полупроводниках, ФТП, Т. 16, в. 1, (1982) стр. 3−18
  59. S. Dannefaer, P. Mascher and D. Kerr, Monovacancy Formation Enthalpy in Silicon, Phys. Rev. Lett. Vol. 56, Num 20 (1986)
  60. J.A. Van Vechten, Phys. Rev. В 10, 1482 (1974)
  61. J.A. Van Vechten, J. Electrochem. Soc. 122,419 (1975)
  62. J.A. Van Vechten, in Handbook on Semiconductors, edited by S.P. Keller (North-Holland, Amsterdam, 1980), Vol. 3, Chap. 1
  63. J.A. Van Vechten, Phys. Rev. В 11,3910 (1975)
  64. Y. Bar-Yam and E. Sun, J. Appl. Phys. 47,3776 (1976)
  65. G.D. Watkins, in International Conference on Lattice Defects in Semiconductors, Freiburg, Germany, 1974 (IOP, London, 1975), p. 1
  66. J.A. Van Vechten, Phys. Rev. В 12, 1247 (1975)
  67. J.A. Van Vechten and J.F. Wager, Phys. Rev. В 32, 5259 (1985)
  68. A. Seeger and K.P. Chik, Phys. Status Solidi 29,455 (1968)
  69. A. Chantre, M. Kechouane, and D. Bois, Physica 116B, 547 (1983)
  70. A. Chantre, Appl. Phys. Lett. 46,263 (1985)
  71. E. Weber and H.G. Riotte, J. Appl. Phys. 51, 1484 (1980)
  72. Y.H. Lee, R.L. Kleinhenz, and J.W. Corbett, Appl. Phys. Lett 31,142 (1977)
  73. Seeger A., Foil h., Frank W.F.// Radiation Effects in Semiconductors, 1976-Conf. Ser. № 31. Briston L., The Inst, of Physics, 1977, p. 12−29.
  74. T. Sinno, Z. K. Jiang, R. A. Brown. Atomistic Simulation of Point Defects in Silicon at High Temperature. Appl. Phys. Lett. 68, 3028 (1996).
  75. L. Colombo, M. Tang, T. Diaz de la Rubia, F. Cargnoni. Structure, Energetics, Clustering and Migration of Point Defects in Silicon. Physica Scripta T66,207(1996).
  76. C.B. Фистуль. В. И. Термодинамика и кинетика ^ взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1997. с. 352
  77. WeisserK.//J.Phys. Chem. Solids. 1958. V.15.N 2. P. 118−126.
  78. Д.А. Автореферат на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Квантовохимический метод расчетаэнтальпии растворения примеси III-V групп в кремнии и германии. М., 1994.
  79. Д.А., Фистуль В. И., Топологическая оценка вероятности образования точечных дефектов в кристаллах AU, BIV со структурой сфалерита. //ФТП. 1990. Т.24. В.З. с. 475 478.
  80. Д.А., Фистуль В. И. Метод расчета энергии связи изовалентных примесей в тетраэдрических полупроводниках.//ФТП. 1993. Т.27. В.З. с. 431−437.
  81. C.B., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. Ун-та, 1995. с. 399
  82. Ф. Химия несовершенных кристаллов.М.: Мир, 1969, с. 654
  83. Bulyarskii S.V., Oleinikow V.P. Thermodynamical Evaluation of Point Defect Density and Impurity Solubility in Compound Semiconductors.// Phys. Stat. Sol. (b), Vol. 141,1987, p. K7-K10
  84. Bulyarskii S.V., Oleinikow V.P. Thermodynamics o f Defects Formation and Defect Interaction in Compound Semiconductor.// Phys. St. Sol. (b) Vol. 146,1988, p.439−442.
  85. C.B., Светухин B.B., Львов П. Е. Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов. // ФТП, 2000, № 4. с. 385 389
  86. C.B., Светухин В. В. Кинетика и термодинамика образования дефектов в полупроводниках. Труды лекторов школы «Критические технологии и фундаментальные проблемы физики конденсированных сред», Ульяновск, 1999, с. 26−60
  87. C.B., Комлев A.B. Влияние потенциального взаимодействия на процессы растворения примесей Al, Ga, As, Р в кремнии. // Неорганические материалы, 1997, т. ЗЗ (2), с. 134−138
  88. В.М. Изменение пределов эффективности легирования германия путем варьирования соотношения концентрации доноров и акцепторов // МЭТ, 1998, № 2. с. 15−18.
  89. В.М., Потемкин А. Я. Экспериментальные исследования совместной растворимости меди и сурьмы в германии. // журнал физ. хим. т.73. № 9. 1999. с. 1537.
  90. A.M., Диаграммы состояния двойных и тройных систем. М.: Металлургия, 1990, с. 250
  91. В.М., Потемкин А. Я. Взаимодействие между медью и сурьмой в твердом растворе на основе германия с образованием заряженного комплекса. // ФТП. 2000. том 34. вып. 5. с. 513−518
  92. А. Я., Мельников Е. В. Исследование совместной растворимости меди и сурьмы в германии. // Легированные полупроводники. М., 1975.
  93. A.A.Larionov, L.E.Fedichkin, K.A.Valiev //Nanotechnology, v.12, p.536−539 (2001).
  94. О.П., Болховитянов Ю. Б. и др // ФТП, 2000, том 34, вып. И, с.1281−1297.
  95. H. Н. // Рос. хим. ж., 2002, том XLVI, № 5, с.30−40.
  96. О.В., Котельников Е. Ю. и др.//Письма в ЖТФ, 2001, том 27, вып. 16, с. 40−46.
  97. М.Г.Мильвидский, В. В. Чалдышев, ФТП, v.32, 513 (1998).
  98. К.А., Кокмн A.A. Квантовые компьютеры: надежды и реальност. — Москва Ижевск: НИЦ «регулярная и хаотическая динамика», 2002,320 стр.
  99. В.Е.Kane, Nature, v.393,р. 133−137,(1998).
  100. Д.В., Львов П. Е., Светухин В .В., Булярский C.B. Определение термодинамических параметров растворимости примесей в кремнии и германии. // Ученые записки УлГУ. Серия физическая, 2000. Вып 1(8). С.49−51.
  101. C.B., Светухин В. В., Санчищин Д. В. Моделирование совместной растворимости фосфора и алюминия в кремнии // Ученые записки УлГУ. 2000. Вып 2(9). С.24−26.
  102. C.B., Светухин В. В., Санчищин Д. В., Львов- П.Е. Термодинамика процесса многокомпонентного легирования// Тезисы второй международной конференции «Оптика полупроводников». Ульяновск, 2000, С.52
  103. В.В., Булярский C.B., Санчищин Д. В., Салих-Заде П.Ф. Влияние электронной подсистемы на растворимость примесей в кремнии // Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний 2002». Новосибирск, 2002. С.ЗЗ.
  104. C.B., Светухин В. В., Санчищин Д. В. Термодинамика образования вакансий и междоузельных атомов в легированномполупроводнике // Известия вузов, поволжский регион. Серия естественные науки, № 6 вып. 9, 2003 г. С. 88−96.
  105. Е. Dornbergwr, D Graf, etc // J. Cryst. Growth, 1997, v. 180, p. 343−352. ПО. Булярский C.B., Светухин B.B. Физические основы управления дефектообразованием в полупроводниках. Ульяновск: УлГУ, 2002. — 386 с.
  106. В.В., Булярский C.B., Санчищин Д. В. Термодинамика взаимодействия примесных атомов с системой квантовых точек. // ПЖТФ, 2004. Т. 30. Вып. 6. С. 9−15.
  107. В.В., Булярский C.B., Санчищин Д. В. Термодинамика растворимости одиночных атомов в системе квантовых точек.// Известия вузов. Электроника. 2004. № 2. С. 3−8.
  108. Д.В., Львов П. Е., Светухин В. В., Булярский C.B. Определение термодинамических параметров растворимости примесей в кремнии и германии. // Ученые записки УлГУ. Серия физическая, 2000. Вып 1(8). С.49−51.
  109. C.B., Светухин В. В., Санчищин Д. В. Моделирование совместной растворимости фосфора и алюминия в кремнии // Ученые записки УлГУ. 2000. Вып 2(9). С.24−26.
  110. C.B., Светухин В. В., Санчищин Д. В., Львов П. Е. Термодинамика процесса многокомпонентного легирования// Тезисы второй международной конференции «Оптика полупроводников». Ульяновск, 2000, С.52
  111. В.В., Булярский C.B., Санчищин Д. В., Салих-Заде П.Ф. Влияние электронной подсистемы на растворимость примесей в кремнии// Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний 2002». Новосибирск, 2002. С.ЗЗ.
  112. C.B., Светухин В. В., Санчищин Д. В. Термодинамика образования вакансий и междоузельных атомов в легированном полупроводнике // Известия вузов, поволжский регион. Серия естественные науки, № 6 вып. 9,2003 г. С. 88−96.
  113. В.В., Булярский C.B., Санчищин Д. В. Термодинамика взаимодействия примесных атомов с системой квантовых точек. // ПЖТФ, 2004. Т. 30. Вып. 6. С. 9−15.
  114. В.В., Булярский C.B., Санчищин Д. В. Термодинамика растворимости одиночных атомов в системе квантовых точек.// Известия вузов. Электроника. 2004. № 2. С. 3−8.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!