Заказать курсовые, контрольные, рефераты...
Образовательные работы на заказ. Недорого!

Сегрегация, атомная структура и электронные свойства поверхности моно-и поликристаллов Cu-Ge

Диссертация: Сегрегация, атомная структура и электронные свойства поверхности моно-и поликристаллов Cu-Ge
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Интерес к изучению сплавов на основе меди обусловлен их важным технологическим значением. Особенно перспективны в этом отношении ультратонкие пленки на основе сплавов Cu-Ge, технологические свойства которых значительно улучшаются при взаимодействии компонентов с образованием германидов меди. Исследования последних лет в этом направлении привели к разработке новых низкорезистивных омических… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Исследования поверхности сплавов металл — элементарный полупроводник методами ЭОС, ДМЭ и СХПЭЭ
    • 1. 1. Поверхностная сегрегация и ее ориентационная зависимость
    • 1. 2. Кинетика поверхностной сегрегации
    • 1. 3. Электронные свойства поверхности
    • 1. 4. Поверхностные фазы
  • Выводы из 1 главы
  • 2. Аппаратура и методика исследования поверхности сплавов Cu-Ge
    • 2. 1. Электронный спектрометр для комплексного исследования поверхности твердых тел
    • 2. 2. Образцы монокристаллов Cu-Ge
      • 2. 2. 1. Диаграмма состояния системы Cu-Ge
    • 2. 3. Методика исследований
      • 2. 3. 1. Подготовка атомарно-чистой поверхности
      • 2. 3. 2. Запись спектров Оже и ХПЭЭ
      • 2. 3. 3. i Учет матричных эффектов
      • 2. 3. 4. Равновесные условия
      • 2. 3. 5. Кинетические кривые
      • 2. 3. 6. Методика регистрации картин ДМЭ
  • Выводы из 2 главы
  • 3. Экспериментальное изучение сегрегации и реконструкции поверхности в сплавах Cu-Ge
    • 3. 1. Температурная и ориентационная зависимости состава поверхности сплавов Cu-Ge
      • 3. 1. 1. Грань (111) сплава Си-2 ат. % Ge
      • 3. 1. 2. Грани (110), (111) и (100) сплава Си-6 ат. % Ge
      • 3. 1. 3. Толщина обогащенного слоя
      • 3. 1. 4. Поликристаллический сплав Сщ^е^ь
    • 3. 1. 5, Коэффициент распределения германия
    • 3. 2. Упорядоченные структуры на поверхности сплавов Cu-Ge и концентрационные интервалы их стабильности
      • 3. 2. 1. (111)Си-6 ат. % Ge
      • 3. 2. 2. (ЮО)См-б ат. % Ge
      • 3. 2. 3. (110)Си-6 ат. % Ge
      • 3. 2. 4. (11)Си-2 ат. % Ge
    • 3. 3. Влияние сегрегации на реконструкцию поверхности
  • Выводы из 3 главы
  • 4. Исследование поверхности сплавов Cu-Ge методом СХПЭЭ
    • 4. 1. Характеристические потери энергии для грани (111) чистых Си и Ge
    • 4. 2. Характеристические потери энергии для сингулярных граней сплавов Cu-Ge
      • 4. 2. 1. Интерпретация пиков ХПЭ для сплава Си-6 ат. % Ge
    • 4. 3. Температурная и ориентационная зависимости характеристических потерь энергии для сплавов Cu-Ge
      • 4. 3. 1. Сингулярные грани сплава Си-6 ат.% Ge
      • 4. 3. 2. Сплав (111)Сн-2 ат. % Ge
      • 4. 3. 31. Поликристаллический сплав Сщ^^Зе^гъ
    • 4. 4. Расчет электронной концентрации для поверхности сплавов Cu-Ge по данным СХПЭЭ
      • 4. 4. 1. Сплав (111)См-2 ат. % Ge
      • 4. 4. 2. Сингулярные грани сплава Си-6 ат. % Ge
    • 4. 5. Распределение германия в приповерхностной области сплава Cu-Ge по данным СХПЭЭ
    • 4. 6. Химические превращения на поверхности и их влияние на характер сегрегации в сплавах Cu-Ge.Ill
  • Выводы из 4 главы
  • 5. Исследование кинетики поверхностной сегрегации в монокристаллах Cu-Ge методами ЭОС и СХПЭЭ
    • 5. 1. Измерение временной зависимости поверхностного состава методом ЭОС
    • 5. 2. Коэффициенты диффузии и энергия активации сегрегации в сплавах Cu-Ge
    • 5. 3. Электронные свойства поверхности и их временная зависимость при изотермическом отжиге
    • 5. 4. Кинетика формирования германидов меди на сингулярных гранях сплава Си-6 ат. % Ge
  • Выводы из 5 главы. t Выводы

Сегрегация, атомная структура и электронные свойства поверхности моно-и поликристаллов Cu-Ge (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Поверхностная сегрегация в бинарных и многокомпонентных сплавах приводит к избирательной концентрации на поверхности отдельных компонентов, что сопровождается изменением многих свойств материалов. Знание поверхностных характеристик необходимо для решения широкого круга фундаментальных и прикладных задач, в частности, для определения работы адгезии, поиска эффективных модификаторов структур, разработки композиционных материалов и т. д. Эти данные позволяют выбирать виды и режимы воздействия на материалы для целенаправленного изменения их свойств и предсказывать изменения этих свойств со временем.

Для исследования физико-химических процессов в наноразмерных слоях на поверхности сплавов более всего подходят неразрушающие методы электронной оже-спектроскопии (ЭОС), спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (СХПЭЭ) и дифракции медленных элек- - тронов (ДМЭ), позволяющие получать информацию на атомно-электронном уровне.

Интерес к изучению сплавов на основе меди обусловлен их важным технологическим значением. Особенно перспективны в этом отношении ультратонкие пленки на основе сплавов Cu-Ge, технологические свойства которых значительно улучшаются при взаимодействии компонентов с образованием германидов меди. Исследования последних лет в этом направлении привели к разработке новых низкорезистивных омических контактов к арсениду галлия и кремнию, систем металлизации высокотемпературных сверхпроводников, высокоадгезионных слоев и пассивирующих покрытий. Перераспределение компонентов и образование интерметаллидов в напыленных сплавах происходит в процессе отжига при формировании контактов, когда химический состав свободной и межфазных границ задается тер-мостимулированной сегрегацией. Изучение этих процессов «в чистом виде» на поверхностях с хорошо определенной кристаллографической ориентацией позволяет прояснить механизмы формирования полезных свойств медно-германиевых сплавов.

Цель работы.

Цель настоящей работы состоит в получении новых данных о составе, структуре и электронных свойствах наноразмерных слоев на поверхности медно-германиевых сплавов в монои поликристаллическом состояниях, а также о влиянии на сегрегацию температуры, объемного состава, кристаллографической ориентации грани и поверхностных фазовых превращений методами электронной спектроскопии и дифракции медленных электронов. Для достижения указанной цели были поставлены и решены следующие задачи:

1. Модернизация и улучшение эксплуатационных характеристик электронного спектрометра для комплексного анализа наноразмерных поверхностных слоев методами низкоэнергетической электронной спектро— скопии и дифракции медленных электронов.

2. Комплексное экспериментальное исследование методами ЭОС,. СХПЭЭ и ДМЭ состава, структуры и электронных свойств наноразмерных слоев, формирующихся в процессе термостимулированной сегрегации на поверхности медно-германиевых монои поликристаллов.

3. Исследование диффузионных процессов и кинетики формирования наноразмерных слоев на поверхности медно-германиевых сплавов.

4. Выяснение закономерностей физико-химических процессов, протекающих в наноразмерных слоях на поверхности сплавов Cu-Ge.

Научная новизна.

В ходе выполнения работы получены следующие результаты, обладающие признаками научной новизны:

1. Впервые получены экспериментальные данные о составе, структуре и электронных свойствах наноразмерных слоев, формирующихся в процессе термостимулированной сегрегации на сингулярных гранях а-твердых растворов медь-германий с 2 и 6 ат. % Ge в объеме, а также о составе и электронных свойствах поверхности поликристаллического герма-нида меди Cu^Ge.

2. Экспериментально определены диффузионные характеристики и их температурная и ориентационная зависимости для приповерхностной области сингулярных граней а-твердого раствора медь-германий с 6 ат. % Ge в объеме.

3. Обнаружены двумерные германиды меди различного состава на поверхности медно-германиевых сплавов и определены кинетика и условия их формирования.

4. Установлено существование взаимосвязи поверхностной сегрегации и структурно-фазовых переходов в поверхностном слое медно-германиевых сплавов.

Практическая ценность работы.

Данные о составе, атомно-электронной структуре и фазовых переходах в наноразмерных слоях, формирующихся при поверхностной сегрегации, могут представлять интерес для наноэлектроники, нанотехнологии и t создания наноматериалов. Новые данные о закономерностях поверхностной сегрегации могут быть использованы для построения теоретических моделей поверхности твердого тела.

Усовершенствованный электронный спектрометр применяется при выполнении научно-исследовательских работ и в учебном процессе на факультете микроэлектроники и компьютерных технологий Кабардино-Балкарского госуниверситета, в том числе в лабораторном практикуме, в научно-исследовательской работе аспирантов и магистрантов, а также при выполнении курсовых и выпускных квалификационных работ специалистов и магистров. Результаты исследований используются в курсе лекций по предмету «Методы анализа материалов и структур электроники».

На защиту выносятся:

1. Модернизация и улучшение эксплуатационных характеристик электронного спектрометра для комплексного анализа наноразмерных поверхностных слоев методами ЭОС, СХПЭЭ и ДМЭ.

2. Результаты экспериментального изучения состава, структуры и электронных свойств наноразмерных слоев, формирующихся в процессе термостимулированной сегрегации на сингулярных гранях а-твердых растворов медь-германий с 2 и 6 ат. % Ge в объеме, а также состава и электронных свойств поверхности поликристаллического германида меди CuiGe.

3. Диффузионные характеристики и их температурная и ориентационная зависимости для сингулярных граней а-твердого раствора медьt германий с 6 ат. % Ge в объеме.

3. Образование двумерных германидов меди различного состава на поверхности медно-германиевых сплавов, кинетика и условия их формирования.

4. Взаимовлияние сегрегации и структурно-фазовых переходов в поверхностном слое медно-германиевых сплавов.

Личный вклад автора.

Диссертантом модернизирован электронный спектрометр, приготовлены образцы монои поликристаллических сплавов медь-германий и самостоятельно проведены все измерения методами ЭОС, СХПЭЭ и ДМЭ. В опубликованных статьях соавторам принадлежат примерно равные доли творческого участия. Выводы, сделанные в настоящей работе, принадлежат автору.

Апробация результатов.

Основные результаты, полученные в работе, докладывались и обсуждались на следующих региональных всесоюзных, и международных научных конференциях: XX Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике (Киев, 1987) — IV Всесоюзная конференция по взаимодействию излучения с твердым телом (The IV-th ALL-Union Conference on Interaction of Radiation with Solids, Москва, 1990) — XI Всесоюзная конференция «Поверхностные явления в расплавах и технология новых материалов» (Киев, 11−13 июня 1991 г.) — Всесоюзная научная конференция «Физика межфазных явлений и процессов взаимодействия потоков энергии с твердыми телами» (Нальчик, 1995) — Региональная научная конференция, посвященная 85-летию С. Н. Задумкина «Физика межфазных явлений и процессов взаимодействия потоков частиц с твердыми телами» (Нальчик, 1998) — Региональная конференция «Вакуумная электроника на Северном Кавказе» (Нальчик, 2001) — Международный семинар «Теплофизические свойства вещества» (Нальчик, 2001) — V Международная конференция «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск-Ставрополь, 2005).

Публикации.

Основные результаты диссертации опубликованы в 8 статьях и тезисах 3 конференций, а также защищены 4 авторскими свидетельствами на изобретение.

Благодарности.

Автор выражает глубокую благодарность научному руководителю профессору Шебзухову А. А. за постоянное внимание и интерес к данной работе, кандидату физико-математических наук Журтову З. М. за помощь при экспериментальных исследованиях, профессору Кармокову A.M. и доценту Гаеву Д. С. за полезные обсуждения и конструктивную критику. Особую благодарность автор выражает доценту Молоканову О. А. за неоценимую помощь при подготовке и оформлении диссертации.

выводы.

1. На модернизированном электронном спектрометре методами Л.

ЭОС, СХПЭЭ и ДМЭ в сверхвысоком вакууме 10' Па при температурах до 950 К исследованы состав, структура и электронные свойства наноразмер-ных слоев на поверхности монои поликристаллических сплавов медь-германий.

2. Установлено, что в сплавах Cu-Ge поверхностно-активным компонентом является германий, а распределение его концентрации в приповерхностной области аппроксимируется экспоненциальной зависимостью. При температурах 550.925 К сегрегация становится немонотонной и обратимой и относится к равновесному состоянию поверхности. Взаимосвязь максимально достижимой поверхностной концентрации с объемным составом аппроксимируется логарифмической зависимостью.

3. Установлена ориентационная зависимость сегрегации германия в монокристаллических сплавах Cu-Ge. Максимальное обогащение поверхности наблюдается на грани (110). Степень анизотропии сегрегации в области максимального обогащения для разных граней изменяется от 1,22 до 1,4.

4. Выявлено, что на поверхности изученных монокристаллов германий создает упорядоченные структуры, зависящие от кристаллографической ориентации, состава поверхности, температуры и продолжительности отжига. На грани (110) формируются сверхрешетки с (2×2) и c (2×2)+(3xl). На гранях (111) с 2 и 6 ат. % Ge один и тот же тип упорядочения -(V3xV3)R30°. На грани (100) образуются сверхструктуры (2×2) и (5×1).

5. На поверхности твердых растворов для исследованных концентраций в слое толщиной несколько атомных слоев обнаружены химические соединения германия с медью — поверхностные германиды, соответствующие стехиометрии Cu$Ge, Cu^Ge и CuGe. Установлены температурные и концентрационные интервалы существования этих фаз, их структурные формы, условия перехода одной структуры в другую, а также распределение фаз по глубине приповерхностной области.

6. Изучена кинетика поверхностной сегрегации на трех сингулярных гранях твердого раствора Cu-Ge при температурах до 700 К и установлена ее ориентационная зависимость. Определены с учетом ориентации грани коэффициенты диффузии и энергии активации поверхностной сегрегации германия в меди и рассчитаны их температурные зависимости. Коэффициенты диффузии максимальны, а энергия активации минимальна для грани (110).

7. Установлено, что немонотонная сегрегация и реконструкция поверхности обусловлены формированием двумерных упорядоченных фаз в поверхностном слое, обогащенном германием. Начало зарождения и степень упорядочения двумерных германидов меди определяются температурой, составом поверхностного слоя и кристаллографической ориентацией грани. В зависимости от сочетания условий они либо образуют высоко-упорядоченные структуры, покрывающую всю поверхность кристалла, либо состоят из ориентированных определенным образом структурных доменов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.А. Поверхностная сегрегация в разбавленных металлических растворах // Поверхность. Физ., химия, мех. — 1983. — № 8. -С. 13−22.
  2. А.А. Теории поверхностной сегрегации в концентрированных растворах // Поверхность. Физ., химия, мех. -1983. -№ 9. -С. 31−39.
  3. Chebzoukhov A.A., Lefkaier I.K., Kapmokov A.M., Boutassouna D. About new criteria of component activities at the interface between two condensed phases // Surface Sci. 2000. — 445. — P. 65−70.
  4. С.Д. Сегрегация в поверхностных слоях сплавов на основе никеля // Металлофизика. 1993. — Т. 15. — № 7. — С. 46−83.
  5. А.Г. Электронно-статистические теории эффекта многослойной поверхностной сегрегации в бинарных сплавах замещения // Металлофизика и новейшие технологии. — 1998. Т. 20. — № 2. — С. 11−30.
  6. Diebold U., Zhang L., Anderson J.F., Mrozek P. Surface segregation of silicon in platinum (111) // J. Vac. Sci. and Technol. A. 1996. — 14. — № 3. — Pt 2. — P. 1679−1683.
  7. M.A., Вдовенкова T.A., Городецкий С. Д., Рыжкова М. В. Термостимулированная сегрегация на поверхности FeSi(\) II Поверхность. Физ., химия, мех. 1992. — № 6. — С. 121−123.
  8. С.Д., Вдовенкова Т. А., Мосейчук A.M. Термостимул-ированные процессы в поверхностных слоях сплава Co50Ni5o(0) II Поверхность. Физ., химия, мех 1992. — № 1. — С. 92−101.
  9. М.А., Бабанская Л. Н., Городецкий С. Д. Исследование температурной зависимости поверхностной сегрегации сплава FeNi^ II Поверхность. Физ., химия, мех. 1983. — № 11. — С. 101−108.
  10. A.M. Сегрегация и упорядочение атомов поверхности (111) бинарных ГЦК-сплавов // Укр. физ. ж. 1990. — Т. 35. — № 9. -С. 1360−1371.
  11. A.M. К теории сегрегационно-стимулированных реконструк-ционных переходов в поверхностном слое бинарных сплавов // Укр. физ. ж. 1992. — Т. 37. — № 7. с. 1091−1098.
  12. A.M. Сегрегационно-обусловленные поверхностные сверхструктуры с тремя подрешетками в бинарных ГЦК-сплавах // Металлофизика. 1992. — Т. 14. — № 11. — С. 62−67.
  13. Frank Т.С., Falconer J.L. Surface compositions of copper-silicon alloys // Appl. Surface Sci. 1982. — 14. — P. 359−374.
  14. Sampath Kumar T.S., Hegde M.S. XPS and XAES studies of surface segregation of Cu-Ge alloy // Surface Sci. 1985. — 150. — P. 123−129.
  15. Bansil A., Rao R.S., Prasad R., Asonen H., Pessa M. An angle-resolved photoemission study of Cug6Ge4 and CuggGeu single crystals // J. Phys. F: Met. Phys. 1984. — 14. — P. 273−279.
  16. Bezuidenhout F., du Plessis J. and Viljoen P.E. The segregation of impurities at the (110) surface of an Fe-10 at. % Si single crystal // J. Vac. Sci. Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 1984 — V. 2. — № 4. -P. 1481−1485.
  17. Hoff H.A., Lam N.Q. Surface and subsurface compositional modifications in Ni-Ge alloys measured by ion scattering spectroscopy // Surface Sci. -1988. V. 204. — № 1−2. — P. 233−246.
  18. A.M., Бурмака JI.C., Иващенко Ю. Н., Рыжков В.И., Черепин
  19. B.Т. Немонотонность температурной зависимости поверхностной сегрегации сплавов Fe-Si. II Укр. Физич. Журнал. 1982. — № 5.1. C. 721−726.
  20. Biedermann P., Schmid М. and Varga P. Segregated Si on Fe96,5Si3j5(10): Domain-wall structures in a two-dimensional alloy // Phys. Rev. 1994. -В 50.-P. 17 518−17 524.
  21. Aberdam D., Corotte C. and Dufayard D. An auger electron spectroscopy study of low temperature segregation of silicon at aluminum surface // Surface Sci. 1983. — V. 133. -№ l.-P. 114−136.
  22. Х.Б. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода электрона простых металлов в модели Ланга / В сб. Поверхностные явления на границах конденсированных фаз. Нальчик: КБГУ, 1983. С. 3−22.
  23. Lejcek P., Paidar V., Firstov S.A., Ivashchenko Yu.N., Krajnikov A.V. Anisotropy of surface segregation in Fe-5,9 at. % Si alloy // Scr. met. -1989. V. 23. — № 12. — P. 2147−2152.
  24. Viljoen E.C., du Plessis J. Surface segregation measurements via the linear programmed heating method: Part В Experiment and results. // Surface Sci. — 2000. — V. 468. — № 7. — P. 27−36.
  25. Lejcek P., Krajnikov A.V., Militzer M., Adamek J. Effect of surface orientation on the segregation of Si and N in Fe-6 at. % Si II Czech. J. Phys. -1997.-V. 47.-P. 429−433.
  26. Krajnikov A.V., Lejcek P., Militzer M., Adamek J. Surface segregation on Fe-Si single crystals: The effect of crystallography // Surface Sci. 1998. -V.417.-P. 337−349.
  27. А.И., Рыжков В. И., Васильев M.A. К ориентационной зависимости эффекта поверхностной сегрегации в бинарных сплавах // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. — № 6. — С. 105−109.
  28. Мак-Лин Д. Границы зерен в металлах. Пер. с англ. М.: Металлургиз-дат, 1960. 324 с.
  29. Seah М.Р. Quantitative prediction of surface segregation // J. Catal. -1979.-Y. 57.-P. 450−457.
  30. Wille L.T., Vennik J. Kinetics of surface segregation in binary alloys // Phys. Stat. Sol. 1985. — V. В131. — № 2. — P. 443−449.
  31. B.B., Давыдов Л. Н., Рогожкин B.B. Кинетика сегрегации примеси на границах зерен в поликристаллах. I. Слабый раствор // Физ. тверд, тела (С.-Петербург). 1995. — Т. 37. — № 12. — С. 3565−3579.
  32. Э.П., Юрченко В. М. Кинетика сегрегации примесей на поверхностях раздела в твердых телах // Поверхность: Физ., химия, мех. 1990.-№ 12.-С. 138−147.
  33. Ingrey S. and MacLaurin В. Auger studies on rapid grain boundary diffusion of Ge through Au И J. Vac. Sci. Technol. A. 1984. — V. 2. — № 2. -P. 358−361.
  34. Militzer M., Wieting J. Segregation kinetics and surface phase transitions // Surface Sci. 1988. — 200. — № 2−3. — P. 342−353.
  35. Es-Souni M., Mosser A. Surface segregation of sulfur and silicon in an Fe-6 at. % Si alloy // Scripta Metallurgica. 1988. — V. 22. — №°9. -P. 1469−1474.
  36. Du Plessis J., Viljoen P.E. Non-equlibrium surface segregation of silicon in Fe-6,3 at. % 5/(110) // Surface Sci. 1983. — 131. -P. 321−327.
  37. Du Plessis J. and Viljoen P. E. Kinetics of the weak surface segregation of Si in an Fe-10 at % Si single crystal // Surface Science Letters. — 1992. -V. 276.- Issues 1−3.-P. 7−11.
  38. Lejcek P., Seidl R., Paidar V. Orientation dependent surface segregation in dilute Fe-Si alloy single crystals // Scr. met. 1987. — V. 21. — № 3. -P. 273−276.
  39. Terblans J. J., Erasmus W. J., Viljoen E. C., du Plessis J. Orientation dependence of the surface segregation kinetics in single crystals // Surface and Interface Anal. 1999. — V. 28. — № 1. — P. 70−72.
  40. Terblans J. J., van Wyk G. N. Effect of surface orientation on the segregation kinetics of Sb from, а Си single crystal // Surface and Interface Anal. -2003. -V. 35. № 10. — P. 779−784.
  41. Т.А. Фотоэлектронная и оже-спектроскопия. JI.: Машиностроение, 1981.
  42. А.Р., Фридрихов С. А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977.
  43. В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. М.: Наука, 1985, 200 с.
  44. Д. Элементарные возбуждения в твердых телах. М.: Мир, 1965,382 с.
  45. Marklund I., Andersson S., Martinson J. Scattering of low-energy electrons from a copper (111) surface // Arkiv for fysik. 1968. — V. 37. — № 12. -P. 127−139.
  46. Jordan L.K., Scheibner E.J. Characteristic energy loss spectra of copper crystals with surfaces olescribed by LEED // Surface Sci. 1968. — V. 103. P. 373−391.t
  47. M.C. Учет многократного неупругого рассеяния в спектрах потерь энергии отраженных электронов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1983. — № 1. — С. 19−28.
  48. Bohm D., Pines D. A collective description of electron interactions. III. Coulomb interactions in a degenerate electron gas // Phys. Rev. 1953. -V. 92.-P. 609−625.
  49. Ludeke R., Koma A. Low-energy-electron-loss spectroscopy of Ge surface // Phys. Rev. B. 1976. — V. 13. — № 2. — P. 739−749.
  50. Surnev L. Oxygen adsorption on Ge (l 11) surface. 1. Atomic clean surface // Surface Sci. 1981. -V. 110. — № 12.-P. 439−457.
  51. В.Г., Луняков Ю. В. Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии. Владивосток: Дальнаука, 2004. — 314 с.
  52. Н.И., Галкин Н. Г., Каменев А. Н., Лифшиц В. Г. Атомноесперемешивание на границе раздела Si-Cr и начальные стадии эпитаксии CrSi2 II Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. -№ 9 — С. 55−60.
  53. Н.Н., Казначеев А. П., Еловиков С. С., Дубнина Е. М., Нети-шенская Г.П. Размерные эффекты в островковых металлических пленках In, Ли и Си, определенные методом СХПЭЭ // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. — № 10 — С. 55−60.
  54. В.Г., Воронов А. В., Лифшиц В. Г. Формирование тонких пленок CrSii при напылении хрома на нагретую подложку Si (100) // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986. — № 7 — С. 63−69.
  55. Н.Г., Лифшиц В. Г., Плюснин Н.И Упорядоченные поверхностные фазы в системе ?7(111)-0 // Поверхность. Физика, химия, механика. 1987. — № 12. — С. 50−59.
  56. Nath P., Chopra К. Electrical resistivity and thermoelectric power of copper-germanium films // Thin Solid Films. 1979. — V. 58. — № 2. -P. 339−343.
  57. Becht J.G.M., van Loo F J.J., Metselaar R. The solid state diffusion reaction of copper with germanium- a comparison between silicon and germanium // Reactivity of Solids 1988. — V. 6. — № 1. — P. 61−73.
  58. Hong S.Q., Comrie C.M., Russell S.W. and Mayer J.W. Phase formation in Си-Si and Cu-Ge II J. Appl. Physics. 1991. — V. 70. — № 1. -P. 3655−3660.
  59. Wang Z., Ramanath G., Allen L. H., Rockett A., Doyle J.P., Svensson B.G. Kinetics of thin-film reactions of Cula-Ge bilayers // J. Appl. Physics. -1997. V. 82. — № 7. — P. 3281−3286.
  60. Aboelfotoh M.O., Tawancy H.M. Effect of crystal structure on the electrical resistivity of copper-germanium thin-film alloys // J. Appl. Phys. -1994. V. 75. — № 5. — P. 2441- 446.
  61. Dhar S., Som Т., Mohapatra Y.N., Kulkarni V.N. Room-temperature synthesis of copper germanide phase by ion beam mixing // Appl. Physics Letters. 1995.-V. 67.-№ 12.-P. 1700−1702.
  62. Huang J.S., Huang S. S, Tu K.N., Deng F., Lau S.S., Cheng S.L., Chen L.J. Kinetics of Cu3Ge formation and reaction with A1 // J. Appl. Phys. 1997. — V. 82. — № 2. — P. 644−649.
  63. Chahg Chin-An. Metal-Metal epitaxy on Germanium near room temperatures: Ni (100)/Cu (100)/Ge{ 100) // Surface Sci. 1991. — V. 245. — № 1−2. -P. 12−16.
  64. Bootsma T.I.M., Hibma T. The epitaxial growth of Си on 5/(111)-7×7: a RHEED study. // Surface Sci. 1995. — V. 331−333. — Pt. A. — P. 636−640.
  65. Chambers S.A., Weaver J.H. Thermally induced structural and compositional modification of the Cu/Si (l 1 l)-7×7 interface // J. Vac. Sci. Technol. A. — 1985. -V. 3. -№.5. — P. 1929−1934.
  66. Журтов 3.M., Шебзухов А. А. Ориентационная зависимость поверхностной сегрегации монокристалла a-Cw-14 ат. % А1 / Физико-химия межфазных явлений. Нальчик: КБГУ, 1986. — С. 73−79.
  67. А. с., 1 606 502 СССР, МКИ3 С 04 В 37/02. Способ соединения корундовой керамики с металлом / Кармоков A.M., Сергеев И. Н., Молоканов О. А., Шериев В. Х. (СССР). № 4 439 225/31−33- Заявлено 10.06.1988. Опубл. 15.11.1990, Бюл. № 42.-4 е.: ил.
  68. А. с. 1 611 622 СССР, МКИ3 В 23 К 1/00. Способ получения охватывающих металлокерамических спаев / Диденко Н. Я., Сергеев И. Н. (СССР). № 4 612 469/31−27- Заявлено 02.12.1988. Опубл. 07.12.1990, Бюл. № 45. — 3 е.: ил.
  69. А. с. 1 807 042 СССР МКИ3 С 04 В 37/02. Способ соединения керамики с метадлом / Сергеев И. Н., Диденко Н. Я., Шапиро A.JI. (СССР). — № 4 777 730/33- Заявлено 05.01.1990. Опубл. 07.04.1993, Бюл. № 13. -3 е.: ил.
  70. А.Ю., Черевацкий Н. Я., Александров A.JL, Баландин Г. Д., Корольков Н. С. Электронный оже-спектрометр, совмещенный с системой дифракции электронов низкой энергии // Приборы и техника эксперимента. 1972. -№ 1. — С. 187−190.
  71. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -М.: Мир, 1989.
  72. А.с. 1 445 390 СССР: МКИ3 G 01 N 23/227. Спектрометр оже-электронов: / З. М. Журтов, А. А. Афицинский (СССР) Б.И. 1988, Бюл. № 44. — 4 е.: ил.
  73. А. с. 1 260 751 СССР, МКИ3 G 01 N 13/02. Устройство для определения поверхностных свойств жидкостей / Сергеев И. Н., Шебзухов А. А., Матвеев Г. Н. (СССР). № 3 834 838/31−25- Заявлено 02.01.1985- Опубл. 30.09.86, Бюл. № 36. — 3 е.: ил. /г.
  74. В.В., Комник С. Н., Старцев В. И. Низкотемпературное деформационное упрочнение монокристаллов а-твердых растворов медь-германий // ФММ. 1981. — Т. 52. — вып. 1. — С. 178−182.
  75. Двойные и многокомпонентные системы на основе меди / М. Е. Дриц, Н. Р. Бочвар, J1.C. Гучей и др. М.: Наука, 1979.
  76. Oktyabrsky S., Aboelfotoh М.О., Narayan J. Cu3Ge ohmic contacts to n-type GaAs II J. Electron. Materials. 1996. — V. 25. — № 11. — P. 16 621 672. .
  77. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии: Пер. с англ. / Под ред. Д. Бриггса, М. П. Сиха. -М.: Мир, 1987.
  78. Shimizu R., Ichimura S. Quantitative Analysis by Auger Electron Spectroscopy. Toyata Foundation Research Report 1−006 № 76−0175, Osaka, 1981.
  79. Ichimura S., Shimizu R. Backscattering correction for quantitative Auger analysis: I. Monte Carlo calculations of backscattering factors for standard materials // Surface Sci. 1981. — V. 112. — № 3. — P. 386−408.
  80. Физические величины: Справочник под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейликова. М.: Энергоатомиздат, 1991.
  81. Журтов 3. М., Сергеев И. Н., Шебзухов А. А. Исследование поверхности (111) монокристаллов медь-германий методами ЭОС, ДМЭ и
  82. СХПЭЭ / Тез. докл. XX Всес. конф. по эмиссионной электронике-Киев- 1987 С. 101.
  83. Sergeev I.N., Zhurtov Z.M., Shebzuchov A.A. Phase transition on the surface of Copper-Germanium monocrystals / The IV-th ALL-Union Conference on Interaction of Radiation with Solids: Book of Abstracts. Moscow. — 1990.-P. 21.
  84. Seah M.P., Dench W.A. Quantitative electron spectroscopy of surfaces: a standard data base for electron inelastic mean free paths in solids // Surf. Interf. Anal. 1979. — V 1. — P. 2−11.
  85. M.A., Городецкий С. Д., Мосейчук A.M. Температурная зависимость поверхностного состава CoMj(lOO). // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991-№ 12. — С. 112−118.
  86. И.Н., Молоканов О. А., Шебзухов А. А. Химический состав и электронная структура поверхности поликристаллического сплава CusGe / Вестник Каб.-Балкар. госуниверситета. Серия Физические науки. Нальчик: КБГУ, 1999. — Вып. 3. — С. 6−11.
  87. И. Н., Шебзухов А. А. Термостимулированная реконструкцияtповерхности медно-германиевых монокристаллов // Вестник Каб.-Балк. госуниверситета. Серия Физические науки. Нальчик: КБГУ, 2005. — Вып. 9. — С. 6−9.
  88. С.Н. Новый вариант статистической электронной теории поверхностного натяжения металлов // ФММ. -1961. -Т. 11. № 3. -С. 331−346.
  89. К.А., Ким B.C., Кузнецов В. М. Поверхностная энергия ГЦК-металлов. // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1991. № 9. —1. С. 5−10.t
  90. Mezey L.Z. Monotonic and alternating surface segregation profiles in binary alloy//Phys. Stat. Solidy. 1983. — A 78. — № 1.-P. 323−331.
  91. Viefhaus H. and Rusenberg M. Electron spectroscopic studies of tin surface segregation on iron single crystal surfaces // Surface Sci. 1985. -V. 159. -№ l.-P. 1−23.
  92. Aebi P., Erbudak M., Vanini F. and Vvedensky D. D. Secondary-electron and energy-loss spectra of copper // Surface Sci. 1992. — V. 264. — № 12. — P. L181-L186.
  93. А. А., Лифшиц В. Г. Изучение тонких слоев окислов кремния методом электронной оже-спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов // Поверхность: Физ., химия, мех. 1986. — № 2. — С. 48−56.
  94. Н. И., Миленин А. П., Солдатов В. Ю. Эффекты дифракции и обратного рассеяния в зависимости СХПЭЭ 5/(111) и поверхностных фаз хрома от энергии первичных электронов // Поверхность: Рентген., синхротрон, и нейтрон, исслед. — 2000. № 6. -С. 30−37.
  95. С. Г., Гражулис В. А., Ионов А. М., Николаев Р. К., Сидоров Н. С. Спектры характеристических потерь энергии электронов соединения УВа2СщОу // Поверхность. Физ., химия, мех. 1989. — № 5. — С. 72−75.
  96. Н. В. Электронная структура субмонослойных покрытий Аи и Ag на поверхности Ge II Письма в ЖТФ. 1989. — Т. 15. — № 16 -С. 54−57.
  97. И.Н., Шебзухов А. А. Исследование методом СХПЭЭ поверхности сингулярных граней твердого раствора Си-6 ат. % Ge // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. Приложение. 2006. — № 2. — С. 78−83.
  98. И.Н., Шебзухов А. А. Формирование поверхностных фаз при сегрегации германия в твердом растворе Си-2 ат. % Ge И Изв. вузов.
  99. Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. Приложение. 2006. — № 2. — С. 83−88.
  100. Юм-Розери В., Рейнор Г. Структура металлов и сплавов. Пер. с англ.1. B.: Металлургиздат, 1959.
  101. И.Н., Шебзухов А. А. Влияние сегрегации Ge на распределение компонентов по глубине поверхностного слоя в сплаве (111)Си-6 ат. % Ge II Вестник Каб.-Балк. госуниверситета. Серия Физические науки. Нальчик: КБГУ, 2005. — Вып. 10. — С. 4−6.
  102. А.В. Диффузия. / Физические величины: Справочник под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991.1. C. 375.
  103. Тонкие пленки: Взаимная диффузия и реакции. Под. ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М: Мир, 1982, 576 с.
  104. С.М., Рабовский Д. А., Талинский В. К. и Тимофеев А.Н. Объемная диффузия галлия-67 и германия-68 в меди // Физ. металлов и металловедение. 1971. — Т. 31. — № 2. — С. 429−431.
  105. В.А., Клоцман С. М., Рабовский Д. А., Талинский В. К. и Тимофеев А.Н. Диффузия примесей в меди. III. Диффузия серебра, кадмия и индия в меди // Физ. металлов и металловедение. 1972. — Т. 34.-№ 4.-С. 879−883.
  106. Hehenkamp Th., Lodding A., Odelins Н., Schlett V. Isotope effect in the diffusion of the stable germanium isotopes in copper // Acta. Met. 1979. -V. 27.-№ 5.-P. 829−832.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!