Высокочастотные диоды.
Электронная техника
В настоящее время точечный контакт получают, как правило, так называемой формовкой (рис. 2.6). Как уже говорилось, выбирают полупроводниковую пластину с небольшой концентрацией донорной примеси. На конец иглы наносят акцепторную примесь, через собранный диод-иглу и пластинку пропускают мощный по амплитуде, но короткий по длительности импульс тока, происходит сплавление и диффузия акцепторной… Читать ещё >
Высокочастотные диоды. Электронная техника (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Для расширения частотного диапазона работы диода уменьшают площадь перехода, поэтому обычно высокочастотные (ВЧ) диоды имеют точечный р-п-переход. Точечные (или точечно-контактные) диоды появились намного раньше плоскостных.
В настоящее время точечный контакт получают, как правило, так называемой формовкой (рис. 2.6). Как уже говорилось, выбирают полупроводниковую пластину с небольшой концентрацией донорной примеси. На конец иглы наносят акцепторную примесь, через собранный диод-иглу и пластинку пропускают мощный по амплитуде, но короткий по длительности импульс тока, происходит сплавление и диффузия акцепторной примеси в пластинку, т. е. образуется полупроводник с p-областью проводимости и соответственно р-п-переход.
Рис. 2.6. Принцип изготовления точечных диодов.
Емкость р-п-перехода обычно находится в пределах С ~ (1-ьЮ) пФ, частотный диапазон / > 100 МГц.
Поскольку площадь перехода мала, мал и тепловой ток 10. Однако участок насыщения небольшой, т. е. уже при сравнительно небольших обратных напряжениях (приблизительно несколько вольт) обратный ток существенно возрастает из-за утечек, а также из-за заметного повышения температуры перехода, так как теплоотвод затруднен из-за малой площади контакта. У реальных ВЧ диодов Uo6p проб ~ 4-^30 В.
Все остальные параметры определяются также, как у р-п-перехода и выпрямительного диода. Используется ВЧ-диоды, в модуляторах, преобразователях частоты и т. д.
Обширный и своеобразный класс точечных полупроводниковых диодов составляет Ge и Si детекторные диоды, применяющиеся в технике СВЧ. Технологическая особенность детекторных диодов в низкоомном материале базы и очень малом (2-^3 мк) радиусе точечного контакта. Низкое удельное сопротивление базы (порядка 0,01 ч-0,001 Ом-см) обусловливает очень малое время жизни носителей, что вместе с малой площадью контакта объясняет хорошие контактные свойства. Однако с точки зрения ВАХ детекторные диоды значительно уступают высоковольтным точечным диодам. Напряжение пробоя у детекторных диодов составляет всего Зч-5 В. Тепловой ток, пропорциональной величине рб, весьма мал, но рост обратного тока начинается практически с нуля, так как при очень узком переходе носители проникают через потенциальный барьер вследствие туннельного эффекта. Прямые напряжения из-за малой величины /0 относительно велики.