Заказать курсовые, контрольные, рефераты...
Образовательные работы на заказ. Недорого!

Исследование полевого транзистора с изолированным затвором

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Таблица 7 Зависимость порогового напряжения от напряжения на подложке. Таблица 5 Зависимость стокого тока от напряжения на подложке при Uз=-6 В. Таблица 4 Зависимость стокого тока от напряжения на подложке при Uз=-8 В. Рис. 5 Зависимость порогового напряжения от напряжения на подложке. Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 9,5 дБ на частоте 100 МГц. Рис. 3 Зависимость стокого тока… Читать ещё >

Исследование полевого транзистора с изолированным затвором (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Лабораторная работа Исследование полевого транзистора с изолированным затвором.

Цель работы: ознакомление с устройством и назначением полевых транзисторов с изолированным затвором, экспериментальное исследование их характеристик и параметров в статическом и динамическом режимах работы.

Типы и параметры объектов исследования:

Полевой транзистор с изолированным затвором КП301.

  • * Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным p-каналом;
  • * Рси max — Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
  • * Uзи пор — Пороговое напряжение транзистора — напряжение между затвором и истоком: 2,7… 5,4 В;
  • * Uси max — Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
  • * Uзи max — Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
  • * Iс — Ток стока (постоянный): 15 мА;
  • * Iс нач — Начальный ток стока: не более 0,5 мкА;
  • * S — Крутизна характеристики: 1… 2,6 мА/В;
  • * С11и — Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком: не более 3,5 пФ;
  • * С12и — Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
  • * С22и — Выходная емкость транзистора — емкость между стоком и истоком: не более 3,5 пФ;
  • * Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 9,5 дБ на частоте 100 МГц

транзистор полевой затвор ток.

Схема для проведения исследований полевого транзистора с изолированным затвором.

Рис. 1 Схема для проведения исследований полевого транзистора с изолированным затвором

Результаты измерений

Таблица 1 «Статические выходные ВАХ при U=-8В».

Ic, mA.

— 0,5.

— 2.

— 3.

— 4.

— 5.

— 5,8.

— 6,3.

— 6,7.

— 7.

Ucи, B.

— 0,2.

— 1.

— 1,5.

— 2.

— 3.

— 4.

— 5.

— 6.

— 8.

Таблица 2 «Статические выходные ВАХ при U=-6В».

Ic, mA.

— 1.

— 1,5.

— 2.

— 2,8.

— 3.

— 3,2.

— 3,4.

— 3,5.

Ucи, B.

— 0,5.

— 1.

— 1,5.

— 3.

— 4.

— 5.

— 7.

— 10.

Таблица 3 «Статические выходные ВАХ при U=-4В».

Ic, mA.

— 0,2.

— 0,3.

— 0,5.

— 0,6.

— 0,65.

— 0,7.

— 0,75.

— 0,8.

— 0,85.

— 0,9.

— 0,95.

Ucи, B.

— 0,2.

— 0,4.

— 0,8.

— 1.

— 2.

— 3.

— 4.

— 5.

— 7.

— 9.

— 10.

Рис. 2. Статические выходные ВАХ

Таблица 4 Зависимость стокого тока от напряжения на подложке при Uз=-8 В.

Ic, mA.

— 4,6.

— 4,2.

— 3,6.

— 3,4.

— 0,8.

Uпи, В.

— 4.

— 6.

— 8.

— 10.

— 12.

Таблица 5 Зависимость стокого тока от напряжения на подложке при Uз=-6 В.

Ic, mA.

— 1,8.

— 1,4.

— 1,2.

— 3,4.

— 0,8.

Uпи, В.

— 4.

— 6.

— 8.

— 10.

— 12.

Зависимость стокого тока от напряжения на подложке.

Рис. 3 Зависимость стокого тока от напряжения на подложке

Таблица 6 Передаточная характеристика.

Ic, mA.

— 8.

— 6.

— 4.

Uзи, В.

— 5,4.

— 2.

— 0,2.

Передаточная характеристика.

Рис. 4 Передаточная характеристика

Таблица 7 Зависимость порогового напряжения от напряжения на подложке.

Uпи, В.

U, В.

— 4.

— 5,2.

— 5,7.

— 5,8.

— 6.

— 6,3.

Зависимость порогового напряжения от напряжения на подложке.

Рис. 5 Зависимость порогового напряжения от напряжения на подложке

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой