Электронно-лучевая литография. 
Основы автоматизации технологических процессов

Применение электронно-лучевой литографии (ЭЛЛ) позволяет повысить степень интеграции за счет более высокой разрешающей способности и улучшить экономические показатели благодаря повышению выхода годных изделий и сокращению затрат на изготовление шаблонов.

В производстве изделий микроэлектроники ЭЛЛ используется для получения фотошаблонов, СВЧи ПЗС-приборов (прибор с зарядовой смесью), приборов на поверхностноакустических волнах (ПАВ) и запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах.

Технология ЭЛЛ сводится к созданию маскирующего рельефа на подложке и экспонированию электронным лучом, при этом применяются как негативные, так и позитивные (электронные) резисты. Удаление резиста после облучения производится, как правило, вакуумно-плазменным методом.

Для формирования рисунка применяются следующие методы (см. табл. 1.3):

• • векторное сканирование, при котором остросфокусированный луч перемещается только по формируемым топологическим фигурам;
• • растровое сканирование, при котором луч проходит всю площадь пластины, включаясь только на тех участках, которые должны быть экспонированы;
• • экспонирование изменяющейся формой луча, которое предусматривает одновременное облучение определенного кадра (элемента топологии).

Последний метод обладает наибольшей производительностью, но разработка оборудования для его реализации сопряжена со значительными трудностями при создании электронно-оптической системы.