Π—Π°ΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ курсовыС, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅, Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹...
ΠžΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° Π·Π°ΠΊΠ°Π·. НСдорого!

ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ синтСза оксидов крСмния

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’Π΅ΡΠ½ΡƒΡŽ смСсь Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π»ΡŒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ крСмния (>98,5% крСмния) с ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ°Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π»ΡŒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅ΠΌ Π½Π°ΠΈΠ²Ρ‹ΡΡˆΠ΅ΠΉ чистоты (цСлСсообразно ΡΠΏΡ€Π΅ΡΡΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ‚Π°Π±Π»Π΅Ρ‚ΠΊΠΈ) ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡƒΡŽ с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΡƒ ΠΈΠ· ΠΏΠΈΡ„Π°Π³ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ массы ΠΈΠ»ΠΈ спСчСнного ΠΊΠΎΡ€ΡƒΠ½Π΄Π° (Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ ΠΊ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Ρƒ). Π’Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ° присоСдинСна ΠΊ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΌΡƒ насосу. Π’ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ΅ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌ 10−3—10−4 ΠΌΠΌ Ρ€Ρ‚. ст., Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ синтСза оксидов крСмния (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Оксид крСмния (II).

Монооксид крСмния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Π½ΠΈΠΈ SiO2 ΠΈΠ»ΠΈ силикатов с Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ восстановитСлями, ΠΊΠ°ΠΊ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄, ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒ, Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ ~1100Β°Π‘ Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅; ΠΏΡ€ΠΈ этом Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ достигаСтся ΠΏΡ€ΠΈ использования крСмния Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ восстановитСля. ΠžΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ Π³Π°Π·ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ SiO кондСнсируСтся Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ Π½Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ях Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Ρ‚Ρ‹ Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 400 Β°C — Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ диспропорционирования SiO. На Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ горячих частях ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° осаТдаСтся бурая смСсь ΠΈΠ· ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΡ ΠΈ SiO2, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ диспропорционирования.

Si + SiO2 > SiO.

Π’Π΅ΡΠ½ΡƒΡŽ смСсь Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π»ΡŒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ крСмния (>98,5% крСмния) с ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ°Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π»ΡŒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅ΠΌ Π½Π°ΠΈΠ²Ρ‹ΡΡˆΠ΅ΠΉ чистоты (цСлСсообразно ΡΠΏΡ€Π΅ΡΡΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ‚Π°Π±Π»Π΅Ρ‚ΠΊΠΈ) ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡƒΡŽ с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΡƒ ΠΈΠ· ΠΏΠΈΡ„Π°Π³ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ массы ΠΈΠ»ΠΈ спСчСнного ΠΊΠΎΡ€ΡƒΠ½Π΄Π° (Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ ΠΊ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Ρƒ). Π’Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ° присоСдинСна ΠΊ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΌΡƒ насосу. Π’ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ΅ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌ 10-3—10-4 ΠΌΠΌ Ρ€Ρ‚. ст., Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ† Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСской ΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎ 1250 Β°C, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· 4 Ρ‡ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ заканчиваСтся. Π’ Ρ‚ΠΎΠΉ части Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ, которая Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ нагрСвания ΠΈΠΌΠ΅Π»Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ, находится SiO Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ…Ρ€ΡƒΠΏΠΊΠΎΠΉ массы, Π° Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ, имСвшСй Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ нагрСвания Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ 400 — 700 Β°C, — ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠΈΡΡ‚Π°Ρ бурая смСсь SiO2 ΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΡ. SiO Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ отдСляСтся ΠΎΡ‚ ΡΡ‚Π΅Π½ΠΎΠΊ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡˆΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π»Ρ ΠΈΠ· Π½Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π²Π΅ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ стали. ОкислСниС SiO Π½Π° Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ начинаСтся ΡƒΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ~1000Β°Π‘ (хотя ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ°ΠΌΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‚Π»Π΅Ρ‚ΡŒ), поэтому Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΡƒ послС охлаТдСния слСдуСт Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π°Π·ΠΎΡ‚ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π°Ρ€Π³ΠΎΠ½ΠΎΠΌ. Π˜Π·Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ SiO проводят Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² ΡΡ€Π΅Π΄Π΅ ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π°Π·Π°.

ОсобСнно Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°ΡŽΡ‰Π°ΡΡΡ Π΄ΠΎ 400—700Β°Π‘ пСрСходная Π·ΠΎΠ½Π° Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ, Π³Π΄Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π²ΡˆΠΈΠΉΡΡ SiO снова распадаСтся Π½Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΈ SiO2, Π±Ρ‹Π»Π° ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‡Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСсто Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ использования ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎ проводящих Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ кСрамичСских Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ. Напротив, Π² Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ проводящих Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ мСталличСских Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ°Ρ…, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для получСния SiO, эта пСрСходная Π·ΠΎΠ½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π½Π΅Π΅, ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ·-Π·Π° этого Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ.

Π“Π°Π·ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ SiO ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ прямо Π² Π³ΠΎΡ€ΡΡ‡Π΅ΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΅ Π½Π° ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π°Π΅ΠΌΠΎΠΌ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΉ «ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Π΅» ΠΈΠ· ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠ΅Π΄ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΎΠ½ ΠΎΡΠ°ΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚ся Π² Π²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ½ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅. [6].

Оксид крСмния (IV).

Π’ Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… условиях синтСтичСский диоксид крСмния ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ дСйствиСм кислот, Π΄Π°ΠΆΠ΅ слабой уксусной, Π½Π° Ρ€Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΡ€ΠΈΠΌΡ‹Π΅ силикаты. НапримСр:

Na2SiO3 + 2CH3COOH > 2CH3COONa + H2SiO3

ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Π°Ρ кислота сразу распадаСтся Π½Π° Π²ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈ SiO2, Π²Ρ‹ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² ΠΎΡΠ°Π΄ΠΎΠΊ.

БинтСтичСский диоксид крСмния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ крСмния Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ 400—500Β°C Π² Π°Ρ‚мосфСрС кислорода, ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ окисляСтся Π΄ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠΊΡΠΈΠ΄Π° SiO2. А Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ тСрмичСским оксидированиСм ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ….

ΠΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ диоксид крСмния Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ пСска ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΌ, Π³Π΄Π΅ Π½Π΅ Ρ‚рСбуСтся высокая чистота ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°.

Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя вСдутся Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ диоксида крСмния с Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. ОпишСм, ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π½ΠΎΠ²Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… экологичСски бСзопасный ΠΈ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ичСски Π±Π΅Π·ΠΎΡ‚Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ способ получСния высокочистого диоксида крСмния сорта бСлая саТа ΠΈΠ»ΠΈ аэросил. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ выполняСтся ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ схСмС:

ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ синтСза оксидов крСмния.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° очистки ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΠ΅ΠΉ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Π°.

РасплавлСнный Ρ„Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ΄ аммония, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… условиях ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой нСагрСссивноС, Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΠ΅, кристалличСскоС вСщСство, — Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ энСргичный Ρ„Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ€Π΅Π°Π³Π΅Π½Ρ‚, Ρ‡Π΅ΠΌ Π³Π°Π·ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄. Достоинством Ρ„Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ΄Π° аммония являСтся энСргичноС взаимодСйствиС Π΅Π³ΠΎ расплава с ΠΎΠΊΡΠΈΠ΄ΠΎΠΌ крСмния, ΠΏΡ€ΠΈ этом образуСтся ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½Π΅Ρ„Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ΄Ρ‹ аммония, Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ности — гСксафторосиликат аммония (NH4)2SiF6, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… условиях являСтся нСагрСссивным, Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ растворимым Π² Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΊΠΎΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Π½ΠΈΠΈ (NH4)2SiF6 возгоняСтся Π±Π΅Π· разлоТСния, Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ дСсублимируСтся — Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ свойство ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для очистки ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΠ΅ΠΉ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Π°.

На ΡΡ‚Π°Π΄ΠΈΠΈ осаТдСния Π³ΠΈΠ΄Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ оксида крСмния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ рСгСнСрированная аммиачная Π²ΠΎΠ΄Π°, которая образуСтся Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ взаимодСйствия исходного оксида крСмния (ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ пСска) с Ρ„Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ΄ΠΎΠΌ аммония. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, разработанная фтороаммонийная тСхнология получСния оксида крСмния являСтся практичСски Π±Π΅Π·ΠΎΡ‚Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π°Π³Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, Ρ€Π΅Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Π² Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ тСхнологичСского Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°. [7].

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ