Компьютерное моделирование наноструктуры ИЛИ-НЕ
Рис. 9.15. Результаты 3D физического моделирования переходной наноструктуры ИЛИ-HE: а) плотность тока электронов, б) плотность тока дырок, в) подвижность электронов, г) подвижность дырок На рисунке 9.17 показаны результаты моделирования графиков функций для наноструктуры ИЛИ-НЕ: Рис. 9.17. Результаты моделирования переходной наноструктуры ИЛИ-HE, графики функций: а) распределение зарядов… Читать ещё >
Компьютерное моделирование наноструктуры ИЛИ-НЕ (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Структурной формуле (9.6) соответствует наноструктура, изображенная на рисунке 9.14.
Результаты моделирования [116] физических и электрических характеристик наноструктуры ИЛИ-НЕ для минимального топологического размера в 10 нм представлены на рисунках 9.15−9.17.
Рис. 9.14. Наноструктура переходного элемента ИЛИ-НЕ (N = 5) и сетка для моделирования: Gnd — контакт шины «земля», in1 — первый вход, in2 — второй вход, out — выходной контакт, Е — контакт шины питания На рисунке 9.15 (цветная вкладка) представлены результаты 3D моделирования для функций:
- а) плотность тока электронов;
- б) плотность тока дырок;
- в) подвижность электронов;
- г) подвижность дырок.
На рисунке 9.16 (цветная вкладка) приведены результаты моделирования сечения переходной структуры ИЛИ-НЕ для функций:
- а) подвижность дырок;
- б) плотность дырок;
- в) скорость электронов;
- г) подвижность электронов;
- д) плотность тока электронов;
е) электростатический потенциал;
- ж) напряженность электрического поля;
- з) пространственный заряд.
Рис. 9.15. Результаты 3D физического моделирования переходной наноструктуры ИЛИ-HE: а) плотность тока электронов, б) плотность тока дырок, в) подвижность электронов, г) подвижность дырок На рисунке 9.17 показаны результаты моделирования графиков функций для наноструктуры ИЛИ-НЕ:
- а) распределение зарядов в областях наноструктуры;
- б) функции входного и выходного напряжений;
- в) функции токов в областях наноструктуры ИЛИ-НЕ. Моделирование проводилось при минимальном топологическом
шаге, равном 10 нм, и минимальной толщине базового слоя — 5 нм.
Результаты моделирования (рис. 9.17, б) подтверждают работоспособность наноструктуры ИЛИ-НЕ со структурной формулой (9.6).
Рис. 9.16. Результаты 2D физического моделирования сечения переходной структуры ИЛИ-HE: а) подвижность дырок, б) плотность дырок, в) скорость электронов, г) подвижность электронов, д) плотность тока электронов, е) электростатический потенциал, ж) напряженность электрического поля, з) пространственный заряд.
Рис. 9.17. Результаты моделирования переходной наноструктуры ИЛИ-HE, графики функций: а) распределение зарядов в областях наноструктуры, б) функции входного и выходного напряжений, в) функции токов в областях наноструктуры.