Статический режим.
Электротехника, электроника и схемотехника
Этот ток обусловит на базовом входе второго транзистора напряжение, превышающее в несколько раз величину, соответствующую открытому БЭ-переходу, т. е. Т2 почти мгновенно открывается. Потенциал его коллектора падает почти до пуля, поддерживая запертое состояние транзистора Т,. В это же время потенциал па коллекторе запертого транзистора Т, близок к Ек. Этим обеспечивается высокий положительный… Читать ещё >
Статический режим. Электротехника, электроника и схемотехника (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Главной особенностью рассматриваемой схемы триггера (см. рис. 16.11) является различное одновременное статическое состояние транзисторов Т, и Т2, а именно: когда один из транзисторов открыт, второй — закрыт. Действительно, режим каждого из транзисторов цепи на рис. 16.11 зависит от двух факторов: а) запирающее воздействие от ЭДС смещения Е(М через собственное базовое сопротивление (Дг>1 или Rit); б) воздействие обратного знака от источника Ек, передаваемое цепью ОС с противоположного коллектора. Преобладание одного из этих факторов и определяет состояние конкретного транзистора. Предположим, что в исходном режиме открыт транзистор Т, потенциал его коллектора близок к нулю, а следовательно, не зависит от Ек . Поэтому напряжение на базовом входе Т2 создается только ЭДС Еш, которая обеспечивает его надежное запирание. Аналогично при открытом Т2 запертым становится транзистор Т,.
Режим «опрокидывания»
Рассмотренный статистический режим работы триггера может быть изменен только внешним воздействием, которое принудительно переведет («опрокинет») открытый транзистор в запертое состояние. Допустим, что в момент времени t = 0 на базу транзистора Т, (в исходном состоянии открытого) от некоторого источника подается отрицательный импульс напряжения мпх1(0> уменьшающий ток через его БЭ-переход, а следовательно, и КБ-переход почти до нуля. Это равносильно обрыву участка коллектор — эмиттер транзистора Т,. Если транзистор Т2 продолжает быть запертым (ток гБ равен нулю), то образуется последовательный замкнутый контур, содержащий Ек, RKi, С, ДБг, Еш, в котором Ек и АД, действуют согласно и создают ток в резисторе Ru?, определяющийся выражением.
Этот ток обусловит на базовом входе второго транзистора напряжение, превышающее в несколько раз величину, соответствующую открытому БЭ-переходу, т. е. Т2 почти мгновенно открывается. Потенциал его коллектора падает почти до пуля, поддерживая запертое состояние транзистора Т,. В это же время потенциал па коллекторе запертого транзистора Т, близок к Ек. Этим обеспечивается высокий положительный потенциал на базовом входе транзистора Т2.
Полученное состояние (Т, — заперт, Т2 — открыт) поддерживается схемой после окончания внешнего воздействия и теоретически может длиться бесконечно долго. Схема как бы «запоминает» приобретенное ею состояние. Следовательно, но уровню напряжений на коллекторах схемы можно судить о предшествующем состоянии входов.