Плазменно-электролитическое анодирование. 
Анодное оксидирование металлов

Особый способ, при котором анод неглубоко погружают в электролит, а катод располагают над его поверхностью, между ними зажигают электрический разряд, прикладывая импульсное напряжение величиной 40−100 В и замыкая цепь с помощью кратковременного контакта между катодом и электролитом.

Рис. 2.

Это позволяет получить плотную плазму вблизи металла при сохранении невысокой температуры анода (благодаря парам электролита температура электродов не превышает 80^оС). Расположение электродов может быть и обратным, но при этом производительность процесса и характеристики анодно-окисной пленки снижаются на 15−25%. Механизм плазменно-электролитического анодирования содержит в себе элементы анодирования в водных растворах электролитов, анодирования в газовой плазме и свои характерные особенности. При неглубоком расположении анода в электролите, отдалении катода, низком давлении в межэлектродном промежутке и большом формирующем напряжении, плазменно-электролитическое анодирование приближается к анодированию в газовой плазме, горящей в парах электролита в воздухе. В противном случае мы получим другое крайнее состояние — анодирование в кипящем водном растворе электролита. Разряд при плазменно-электролитическом анодировании включает в себя три стадии: образование канала проводимости; процессы, сопутствующие выделению в нем энергии; его разрыв с превращением в газовый пузырь. Плазменно-электролитическое анодирование обычно проводят в 3−20% растворе серной кислоты при глубине погружения анода 2−6 мм, при этом рост анодной пленки заканчивается в первые 8−18 мин. при ее конечной толщине до 300 мкм и пористости 10−40%. Такая высокая скорость формирования покрытий, объясняется протеканием плазмохимических и термически активированных реакций в межэлектродном промежутке, где содержатся воздух и пары электролита.