Расчет базовой цени в режиме покоя

Рассмотрим контур, содержащий инвертирующий вход, участок база — эмиттер первого транзистора, резистор R₃ и ЭДС смещения Е_ш. Записываем для пего уравнение по второму закону Кирхгофа:

Аналогичное уравнение справедливо для контура, содержащего вход Б₂ — О. Ввиду идентичности транзисторов можно опустить индексы «1» и «2», тогда уравнение (14.1) принимает вид.

Из уравнения (14.2) следует равенство

В левой части равенства (14.3) стоит линейная функция аргумента /_Б, а в правой — нелинейная функция, заданная входной ВАХ транзистора. Решая его графически (см. рис. 14.2, а), находим координаты РТ (г_БО, и_БЭО)на входной характеристике и Т₂, а также /?_{диф БЭ} в РТ.

Расчет коллекторной цепи в режиме покоя

Из равенства базовых токов и идентичности транзисторов следует и равенство их коллекторных токов. Найдем их величину i_K0.

Для контура, содержащего источник коллекторного питания Е_к, резистор R_Kf например первого транзистора Т, его участок коллектор — эмиттер и резистор R₃, справедливо уравнение.

Ввиду малости базового тока эмиттерный и коллекторный токи в равенстве (14.4) считаем примерно одинаковыми. Кроме этого, опускаем индексы 1 и 2 (пользуясь по-прежнему симметрией схемы в состоянии покоя) и приходим к такому соотношению:

или

где м_кэ0'_к) есть кривая в семействе выходных ВАХ транзистора, соответствующая базовому току /_Б0. Она показана на рис. 14.2, б; здесь же дано графическое решение нелинейного уравнения (14.5), в результате которого и определяется положение рабочей точки на выходной ВАХ и ее координаты: коллекторный ток i_K0 и напряжение между коллектором и эмиттером и_кэо каждого из транзисторов.

Выходное напряжение в режиме покоя. Благодаря идентичности транзисторов, а также одинаковым режимам на их входах, коллекторные токи, а значит, и потенциалы коллекторов Т, и Т₂ одинаковы. Следовательно, напряжение на дифференциальном выходе в состоянии покоя равно нулю: