Список литературы.
Вольтамперная характеристика Al–p-CdTe–Mo
22] М. С. Саидов, Б. Сапаев, В. В. Никитин, А. С. Саидов. ФТП, т.13, 1763 (1979). 8] Ш. А. Мирсагатов, С. А. Музафарова, А. С. Ачилов ФИП. Т. 10, № 1, (2012). 10] Ш. А. Мирсагатов, А. С. Ачилов, Б. Н. Заверюхин ФИП. Т. 12, № 2, (2014). 7] А. Фаренбрух, Р.Бьюб. Энергоатомиздат, М, (1987). 278с. 3] S. Wainabe, T. Takahashi, Y.Okada., et, al. IEEE Trans.Nucl.Sei.-2002.-v.49.-P.210. 25] P. M… Читать ещё >
Список литературы. Вольтамперная характеристика Al–p-CdTe–Mo (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
[1] K. Durose, P.R.Edwards, D.P.Holliday. J.Cryst. Growth, 733 (1999).
[2] T. Takahashi and S.Wainabe. IEEE Trans.Nucl.Sei.-2000.-v.48.-P.950.
[3] S. Wainabe, T. Takahashi, Y.Okada., et, al. IEEE Trans.Nucl.Sei.-2002.-v.49.-P.210.
[4] T. Tanaka, T. Kabayashi, T.Mitani., et, al.New. Astron.Rev.-2004.-v.48.-P.309.
[5] Л. А. Косяченко, В. М. Склярчук, О. Л. Мослянчук. Письма в ЖТФ.2006.Т.32.№ 2.С.29−37.
[6] L.W.Davies. Proc., IEEE, 51, 1637, (1963).
[7] А. Фаренбрух, Р.Бьюб. Энергоатомиздат, М, (1987). 278с.
[8] Ш. А. Мирсагатов, С. А. Музафарова, А. С. Ачилов ФИП. Т. 10, № 1, (2012).
[9] А. С. Ачилов. Б. Н. Заверюхин, М. У. Каланов, В. М. Рустамова ДАН Уз. 2, (2014).
[10] Ш. А. Мирсагатов, А. С. Ачилов, Б. Н. Заверюхин ФИП. Т. 12, № 2, (2014).
[11] В. И. Стафеев. ФТТ 3, 2513 (1961).
[12] Физика и химия полупроводников АIIBVI / Под. ред. С. А. Медведова. Мир, М. (1970) 624с.
[13] В. Г. Георгиу. Вольт — Фарадные измерения параметров полупроводников. (Кишенев «Штиинца»), 1987 г. с. 15.
[14] K. Zanio. Semiconductors and semimetals. Acad. Press, N.Y. (1978). 210 p.
[15] А. Ю. Лейдерман, М. К. Минбаева.ФТП, 30, 1729 (1996).
[16] Ю. В. Гуляев. ФТТ, 3,385(1961).
[17] А. В. Ржанов. ФТТ, 3,3698 (1961).
[18] М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир. М. (1973), 210 с.
[19] П. Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков. «ВЫСШАЯ ШКОЛА», М. (1977). 418 с.
[20] П.М.Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман. Фоточувствительность полупроводни-ковых структур с глубокими примесями. Из. «ФАН"Уз.ССР, 1981,200 с.
[21] А. Абакумов, П.М.Карагеоргий-Алкалаев, И. З. Каримова, П. И. Книгин, А. Ю. Лейдерман, З. П. Луговская, А. С. Смирнов. Фотоэлектрическая явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника. Под.ред. С. А. Азимова. Ташкент, «ФАН», 1976, с. 3.
[22] М. С. Саидов, Б. Сапаев, В. В. Никитин, А. С. Саидов. ФТП, т.13, 1763 (1979).
[23] В. В. Морозкин. ДАН Уз. ССР, № 12,с.31 (1979).
[24] W. Shockley, W.Read. Phys.Rev.87,835 (1952).
[25] P.M. Karageorgy-Alkalaev, A.Yu.Leiderman. Phys. Status Solidi A 26, 419 (1968).
[26] П.М.Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман. В сб: Физика и материаловедение полупроводников / под. Ред. В. И. Фистуля Миталлургия, М. (1987) 80 с.
[27] А. Ю. Лейдерман. ДАН УзССР 7,21 (1987).
[28] А. Ю. Лейдерман. ДАН УзССР 4,25 (1989).
[29] М. Г. Шейкман, Н. Е. Корсунская. В кн: Физика соединений А2В6. Наука, М. (1986)109с.
[30] А. Ю. Лейдерман. ДАН УзССР 1,24 (1989).
[31] Ш. А. Мирсагатов, А. Ю. Лейдерман, М. А. Махмудов. ФТТ, т.51,№ 10,1917 (2009).