Развитие DDR SDRAM
На тот момент в большинстве компьютеров использовался DDR SDRAM, однако Intel не успокоилась и принялась за стандарт DDR2, который уже в том году был реализован в чипсетах i915/i925. Учтя опыт работы с Rambus, Intel уже не делает ставку только на DDR2, и новые чипы по-прежнему будут поддерживать обычную DDR. Модули DDR2 памяти несколько отличаются по конструкции и требуют меньшее питание. AMD… Читать ещё >
Развитие DDR SDRAM (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
На тот момент в большинстве компьютеров использовался DDR SDRAM, однако Intel не успокоилась и принялась за стандарт DDR2, который уже в том году был реализован в чипсетах i915/i925. Учтя опыт работы с Rambus, Intel уже не делает ставку только на DDR2, и новые чипы по-прежнему будут поддерживать обычную DDR. Модули DDR2 памяти несколько отличаются по конструкции и требуют меньшее питание. AMD и VIA пока что не планируют переход к новой памяти и продолжают использовать DDR.
У DDR3 уменьшено на 40% потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate.
Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 электрически и механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров. В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.
Передача данных по-прежнему осуществляется по обоим полупериодам синхросигнала на удвоенной «эффективной» частоте относительно собственной частоты шины памяти.
JEDEC представила информацию о DDR4 на конференции MemCon в Токио. По заявлению производителей она должна иметь повышенную частоту (от 2133 до 4266 МГц) и пониженное напряжение (от 1,1 до 1,2 В) по сравнению с предыдущими стандартами, предполагаемый техпроцесс — 32 и 36 нм. Массовое производство намечалось на 2015 год, а первые образцы для создания контроллеров памяти и совместимых платформ — на 2011 год. В январе 2011 компания Samsung впервые представила модуль DDR4. Техпроцесс составил 30 нм, объём памяти 2 Гб, а напряжение 1,2 В. Позднее Hynix представила свой первый модуль DDR4, который превзошёл модуль Samsung по частоте (2400 МГц вместо 2133). Hynix заявила о 80%-м увеличении производительности памяти по сравнению с DDR3−1333. Как и предыдущие версии DDR4 не совместима с DDR3.