Вольтамперные характеристики транзистора

Для расчета транзисторных схем используют графоаналитический метод. Для такого расчета приводятся семейства вольтамперных характеристик транзистора (ВАХ). Иногда для расчета применяют параметры транзистора. Это можно делать только в том случае, когда сигнал, подаваемый на эмиттерный переход, настолько мал, что участки используемых ВАХ транзистора можно считать линейными. Аналитический расчет очень удоьен при расчете и анализе сложных схем, когда необходимо использовать компьютерную технику.

Основными ВАХ транзистора являются:

• — семейство входных характеристик Iвх=f (Uвх) при Uвых=const;
• — семейство выходных характеристик Iвых=f (Uвых) при Iвх=const.

ВАХ транзистора отражают сложные процессы внутри кристалла, позволяющие получить усиление по току и напряжению. Например, инжекция зарядов через открытый эмиттерный переход приводит к тому, что в базе существенно увеличивается число не основных носителей. Это в свою очередь приводит к автоматическому изменению потенциального барьера открытого перехода. Естественно, что автоматически меняются токи эмиттера, базы и коллектора. Это учитывают во время работы с транзисторами схемами.

Графоаналитическое решение сводится к определению токов и напряжений эмиттерного (входного) и коллекторного (выходного) переходов. Входные и выходные токи транзистора определяют с учетом способа включения транзистора (рис. 2.2). Так, для схемы с ОБ Iвх = Iэ, Uвх=Uэб; Iвых=Iк; Uвых=Uкб. Аналогично определяют входные и выходные электрические параметры для схем ОЭ и ОК.