Список использованной литературы

1)Явление колебаний тока в слоях ZnTe /Т.Л. Матвеева, Н. М. Павленко, Э. А. Сенокосов, А. Н. Усатый. Физика и техника полупроводников. — 1977. — Том 11.

2) Электрические свойства, фотопроводимость и фотолюминесценция крупнозернистого p-ZnTe /Ю.В. Клевков, С. А. Колосов, В. С. Кривобок, В. П. Мартовицкий, С. Н. Николаев. Физика и техника полупроводников. — 2008. — Том 42. — вып. 11.

3)Ризаханов М.А., Зобов Е. М., Хамидов М. М. Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетическими свойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS. Физика и техника полупроводников. — 2004. — Том 38. -Вып. 1.

4)Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов [Пер. с англ.: F.A. Kroger. The chemistry of imperfect crystals (Amsterdam, 1964)]. — М.: Мир, 1969.

5)Георгобиани А. Н. Широкозонные полупроводники A^IIB^VI и перспективы их применения //Успехи физических наук. — 1974. — Том 113. — Вып. 1. — С. 129−152.

6)Калинкин И. П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эпитаксиальные пленки соединений A^IIB^VI. — Ленинград: ЛГУ. — 1978.

7)Сенокосов Э. А. Получение и физические процессы в монокристаллических слоях и плёночных гетеропереходах соединений A^IIB^VI на сапфире. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. — Кишинёв, 1989. — C.18−23.

8)Таблицы физических величин /Под ред. И. К. Кикоин. — М., 1976.

9)Медведев В. И., Ведение в производство полупроводниковых материалов. — М.: Наука, 1979.

10)Физика и химия соединений A^IIB^VI /Под ред. С. А. Медведева. — М.: Изд. Мир, 1970. 11) Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. — М., 1962. — 559 с.