Основные разновидности современных транзисторов

Как известно, первый транзистор был сконструирован в 1947 году Дж. Бардином и У. Браттейном в США. За прошедшие после этого пять десятилетий было разработано множество разновидностей и технологий производства транзисторов, позволяющих получать приборы с самыми разнообразными свойствами и параметрами. В задачу настоящей книги не входит сколь-либо подробное описание всего этого «зверинца» и физических процессов, обусловливающих его работу. Мы ограничимся рассмотрением только некоторых наиболее известных (и, соответственно, наиболее распространенных и применяемых) «классических» приборов. Тем не менее разумным будет все-таки представить читателю следующую классификацию:

· биполярные транзисторы;

p-n-p-типа;

п-р-п-типа;

многоэлектродные (например, двухэмиттерные транзисторы);

• · лавинные транзисторы;
• · однопереходные транзисторы;

с р-базой;

с n-базой;

· полевые (униполярные) транзисторы с управляющим переходом;

с управляющим p-n-переходом;

с каналом р-типа;

с каналом п-типа;

с управляющим переходом на основе контакта металл-полупроводник (переход Шоттки);

с управляющим гетеропереходом; статические индукционные транзисторы;

биполярные статические индукционные транзисторы;

• · полевые транзисторы с изолированным затвором
• (МДП-транзисторы);

со встроенным каналом.

(МДП-транзисторы обедненного типа);

с каналом р-типа;

с каналом n-типа;

с индуцированным каналом.

(МДП-транзисторы обогащенного типа);

с каналом p-типа;

с каналом n-типа (практически невстречаются);

многозатворные транзисторы (особенно распространены двухзатворные);

биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT);

поверхностно-зарядовые транзисторы.

В данной книге мы будем рассматривать только обычные биполярные транзисторы. Однако следует отметить, что описываемые здесь методики анализа схем, а в некоторых случаях и сами схемотехнические решения различных цепей, применимы и для транзисторов других типов. Например, при описании полевых транзисторов в следующей книге серии «Конструирование схем» мы очень часто будем ссылаться на всевозможные приводимые здесь понятия и математические выражения.

Безусловно, прежде чем изучать схемы включения и режимы работы биполярных транзисторов в реальных устройствах, читателю необходимо ознакомиться с физикой работы этих приборов, их параметрами и характеристиками, применяемыми для расчета и анализа схем. На эту тему выпускалось очень много разнообразной литературы (например, [5]). Поэтому автор нашел полезным включить в данную книгу только довольно упрощенные описания некоторых ключевых вопросов, связанных с работой транзисторов. Описания эти не всегда оказываются полными и корректными с физической точки зрения, но построены так, чтобы в краткой и доступной форме донести до читателя сущность основных процессов в транзисторах, сделавших эти приборы столь популярными в практической радиоэлектронике.