Эффект модуляции толщины базы

Явление изменения толщины базы при изменении напряжения на коллекторном переходе называется эффектом модуляции толщины базы или эффектом Эрли /Ирли/ /Early/.

Следствия эффекта модуляции толщины базы:

• 1) Статический коэффициент передачи тока эмиттера будет зависеть от напряжения на коллекторном переходе.
• 2) Ток коллектора будет увеличиваться с ростом напряжения на коллекторном переходе.
• 3) С ростом напряжения на коллекторном переходе будет увеличиваться быстродействие транзистора
• 4) Будет наблюдаться влияние напряжения на коллекторном переходе на входную цепь транзистора. Это явление называется внутренней отрицательной обратной связью по напряжению.

при большем напряжении .

Чтобы ток остался постоянным, не должен меняться градиент концентрации, т. е. график параллелен начальному.

— коэффициент обратной связи по напряжению.

;

Схемы включения и режимы работы транзисторов

Независимо от схемы включения транзисторы могут работать в одном из четырёх, отличающихся полярностью напряжения на ЭБ и БК переходе:

• 1) Нормальный активный режим /НАР/ - Э-переход смещён в прямом направлении, К-переход смещён в обратном направлении
• 2) Режим насыщения — Эи К-переходы смещены в прямом направлении
• 3) Режим отсечки — Эи К-переходы смещены в обратном направлении
• 4) Инверсный активный режим /ИАР/ - Э-переход смещён в обратном направлении, К-переход смещён в прямом направлении.

НАР используется в усилительных устройствах; РН, РО используются в цифровых и импульсных устройствах.

Такие схемы называются ключевыми (0/1).

Аналоговый ключ будет лучше при применении ИАР.