Π—Π°ΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ курсовыС, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅, Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹...
ΠžΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° Π·Π°ΠΊΠ°Π·. НСдорого!

ОбоснованиС Π·ΠΎΠ½ дСйствия ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠ²

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Для ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ способу Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ комплСкс Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π² ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ΄Π΅ΠΆΠ΄Ρ‹ ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΌΠΈ тСхнологичСскими процСссами для Π΅Ρ‘ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚влСния ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ звСньями. НаиболСС Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ способом ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π° Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΎΠ΄Π΅ΠΆΠ΄ являСтся ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ производства Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚. ΠŸΠΎΡ‚ΠΎΠΊ, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π²ΠΈΠ΄ ΠΈΠ»ΠΈ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ОбоснованиС Π·ΠΎΠ½ дСйствия ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠ² (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈ с Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ ΡΡ‚Π°Π½Ρ†ΠΈΠΉ ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·Π½ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ 2.1.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° располоТСния ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΆ/Π΄ станций.

Рис. 2.1 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° располоТСния ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΆ/Π΄ станций

Рис. 2.2 Π—ΠΎΠ½Π° влияния Π³Ρ€ΡƒΠ½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠ² для устройства Ρ…ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ мСлкозСрнистого Π°ΡΡ„Π°Π»ΡŒΡ‚ΠΎΠ±Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π‘ I ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ ΠΈΠ· ΠΏΠ΅ΡΠΊΠΎΠ² срСднСзСрнистого ΠΈ ΡΡ€Π΅Π΄Π½Π΅ΠΉ крупности

Рис. 2.3 Π—ΠΎΠ½Π° влияния ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π° для устройства Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ слоя основания ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π³Ρ€Π°Π²ΠΈΠΉΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²

Рис. 2.4 Π—ΠΎΠ½Π° влияния Π³Ρ€ΡƒΠ½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠ² для устройства Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ слоя основания ΠΈΠ· ΠΏΠ΅ΡΠΊΠ° срСднСй крупности

Рис. 2.5 Π—ΠΎΠ½Π° влияния Π³Ρ€ΡƒΠ½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠ² для устройства Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слоя ΠΈΠ· ΠΏΠ΅ΡΠΊΠΎΠ² срСднСзСрнистого ΠΈ ΡΡ€Π΅Π΄Π½Π΅ΠΉ крупности

НазначСниС состава спСциализированного ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°

НаиболСС Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ способом ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π° Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΎΠ΄Π΅ΠΆΠ΄ являСтся ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ производства Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚. ΠŸΠΎΡ‚ΠΎΠΊ, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π²ΠΈΠ΄ ΠΈΠ»ΠΈ элСмСнт Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ΄Π΅ΠΆΠ΄Ρ‹, называСтся частным.

Π‘ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ — ΡΠΎΠ²ΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ частных ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Ρ‘Π½Π½ΠΎΠΉ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠΉ систСмой ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ ΡΡ…Π΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ΄Π΅ΠΆΠ΄Ρ‹.

Для ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ способу Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ комплСкс Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π² ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ΄Π΅ΠΆΠ΄Ρ‹ ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΌΠΈ тСхнологичСскими процСссами для Π΅Ρ‘ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚влСния ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ звСньями.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°:

I — частный ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ ΡƒΡΡ‚ройству Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пСсчаного слоя основания;

II — частный ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ ΡƒΡΡ‚ройству Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ слоя основания;

II — частный ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ ΡƒΡΡ‚ройству Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ слоя основания;

IV — частный ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ ΡƒΡΡ‚ройству слоя покрытия;

V — частный ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ ΡƒΡΡ‚ройству ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ повСрхностной ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ;

  • — ΠžΠŸ — ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Ρ‹Π² (1 дСнь);
  • — Π’П — тСхнологичСский ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Ρ‹Π² (1 нСдСля).

Рис. 2.6 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° спСциализированного ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ