Π—Π°ΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ курсовыС, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅, Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹...
ΠžΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° Π·Π°ΠΊΠ°Π·. НСдорого!

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ПЭМ

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктронный микроскоп Titan™ 80 — 300 Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ наноструктур Π½Π° ΡΡƒΠ±-ангстрСмном ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ микроскоп Π’ΠΈΡ‚Π°Π½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 80 — 300 ΠΊΠ’ Ρ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ями ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ сфСричСской Π°Π±Π΅Ρ€Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΡ…роматичности. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ элСктронный микроскоп соотвСтствуСт ТСстким трСбованиям максимальной мСханичСской, Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСской ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ПЭМ (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ΠŸΡ€ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктронный микроскоп Titan 80 — 300 с Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ.

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ПЭМ.

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктронный микроскоп Titan™ 80 — 300 Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ наноструктур Π½Π° ΡΡƒΠ±-ангстрСмном ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ микроскоп Π’ΠΈΡ‚Π°Π½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 80 — 300 ΠΊΠ’ Ρ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ями ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ сфСричСской Π°Π±Π΅Ρ€Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΡ…роматичности. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ элСктронный микроскоп соотвСтствуСт ТСстким трСбованиям максимальной мСханичСской, Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСской ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΡŽΡΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°ΠΌ ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². Π’ΠΈΡ‚Π°Π½ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΡΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ возмоТности спСктроскопии ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… энСргСтичСских Π·ΠΎΠ½ ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… свойств ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΈΠ΅ изобраТСния Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ† Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π° ΠΈ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅.

JEOL JEM — 3010 300 ΠΊΠ’ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктронный микроскоп.

300-ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ аналитичСский элСктронный микроскоп высокой точности ΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…высокого Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ сконструирован Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ€Π½ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡ†Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π΅Ρ†. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ микроскопС использовано ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС компактная элСктронная ΠΏΡƒΡˆΠΊΠ° Π½Π° 300 ΠΊΠ’, ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ систСма с ΠΏΡΡ‚ΡŒΡŽ Π»ΠΈΠ½Π·Π°ΠΌΠΈ.

ИспользованиС встроСнного ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ насоса обСспСчиваСт чистый ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ высокий Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌ.

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ПЭМ.
  • Β· Π Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌ: 0,17 Π½ΠΌ
  • Β· Π£ΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС: ΠΎΡ‚ 100 Π΄ΠΎ 300 ΠΊΠ’

Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅: ΠΎΡ‚ 50 Π΄ΠΎ 1 500 000.

JEOL JEМ — 3000FasTEM 300 ΠΊΠ’ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктронный микроскоп с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ эмиссиСй.

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ПЭМ.

ΠŸΡ€ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктронный микроскоп, ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ элСктронной ΠΏΡƒΡˆΠΊΠΎΠΉ высокой яркости с ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ эмиссии, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиссии. ΠŸΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΠ΅Ρ‚ нСпосрСдствСнно Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ строСния ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Π΅ слои. ЭлСктронная ΠΏΡƒΡˆΠΊΠ° с ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ эмиссии, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ всСго подходящая для Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° нанообластСй, обСспСчиваСт Ρ‚ΠΎΠΊ Π·ΠΎΠ½Π΄Π° 0,5 нА ΠΏΡ€ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π΅ 1 Π½ΠΌ ΠΈ 0,1 нА ΠΏΡ€ΠΈ 0,4 Π½ΠΌ.

  • Β· Π Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅: 0,17 Π½ΠΌ
  • Β· Π£ΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС: 100, 200, 300 ΠΊΠ’

Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅: ΠΎΡ‚ Ρ… 60 Π΄ΠΎ Ρ… 1 500 000.

JEOL JEМ — 2100 °F 200 ΠΊΠ’ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктронный микроскоп с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ эмиссиСй.

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ПЭМ.

ЭлСктронная ΠΏΡƒΡˆΠΊΠ° с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ эмиссиСй, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ элСктронный ΠΏΡƒΡ‡ΠΎΠΊ с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ ΡΡ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ ΠΊΠΎΠ³Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ высокого Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π΅ наноструктур. ΠŸΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ JEM — 2100 °F являСтся комплСксным ПЭМ, оснащСнным Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΎΠΉ систСмой элСктронного управлСния Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ функциями.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ особСнности Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°:

  • Β· Высокая ΡΡ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронной ΠΏΡƒΡˆΠΊΠΈ с Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ эмиссиСй обСспСчиваСт Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· областСй Π½Π°Π½ΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ большом ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ.
  • Β· Π”ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π·ΠΎΠ½Π΄Π° мСньшС 0.5 Π½ΠΌ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° Π΄ΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Ρ Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ².
  • Β· Новый Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ столик ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ² с Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ обСспСчиваСт простой Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½, ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² ΠΈ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ установки ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ Π±Π΅Π· мСханичСского Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„Π°.

JEOL JEМ — 2100 LaB6 200 ΠΊΠ’ Π°Π½Π°Π»ΠΈΡ‚ичСский ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктронный микроскоп ΠŸΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ изобраТСния Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‚ ΠΈ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½Ρ‹ Π΄ΠΈΡ„Ρ€Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, Π½ΠΎ ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² ΡΠ΅Π±Ρ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ систСму контроля, которая ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ TEM, устройство получСния ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ сканирования (STEM), энСргодиспСрсионный спСктромСтр (JED — 2300 T) ΠΈ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ энСргСтичСских ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ элСктронов (EELS) Π² Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… комбинациях.

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ПЭМ.

ВысокоС Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ (0,19 Π½ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ 200 kV Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ LaB 6) достигаСтся благодаря ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ высокого напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡƒΡ‡ΠΊΠ°, вмСстС с ΠΏΡ€Π΅Π²ΠΎΡΡ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ систСмой Π»ΠΈΠ½Π·. Новая структура Ρ€Π°ΠΌΡ‹ ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ½Π½Ρ‹ микроскопа мягко ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ эффСкт Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. Новый гониомСтричСский столик позволяСт ΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π° с Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². ΠšΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ систСма контроля микроскопа обСспСчиваСт ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΡΠ΅Ρ‚ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ (ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ²) ΠΈ ΠΎΠ±ΠΌΠ΅Π½ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ