Использование полевых транзисторов в высокочастотных схемах
Когда исследователи разрабатывали технологию высокочастотного полевого транзистора с управляющим р-п переходом, они стремились, главным образом, к увеличению произведения коэффициента усиления на ширину полосы пропускания, к созданию быстродействующего элемента интегральных схем и, как это выясняется сейчас, к удовлетворению желания создать твердотельную «вакуумную лампу». Теперь цели изменились… Читать ещё >
Использование полевых транзисторов в высокочастотных схемах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
В середине 60-х годов на протяжении нескольких лет в технической литературе обсуждался так называемый аналоговый транзистор Тецнера и Зулига. Однако после создания фирмой Signetics в 1969 г. маломощного высокочастотного ДМДП-транзистора с коротким каналом работы над аналоговым транзистором были почти полностью прекращены. Работа по совершенствованию ДМДП-транзистора продолжалась около десяти лет, однако он так и не получил широкого распространения как высокочастотный прибор. И всетаки результат этой работы нельзя считать неудачей, поскольку на базе технологии изготовления ДМДП-транзистора был создан мощный вертикальный МДПтранзистор, столь популярный сегодня [6].
Первый V-образный вертикальный мощный МДП-транзистор с коротким каналом типа VMP4 был выпущен фирмой Siliconix в 1976 г. и оставался наилучшим высокочастотным ПТ в течение последующих четырех лет.
Область применения высокочастотных мощных ПТ чрезвычайно специфична. Для большинства устройств в этих областях потребовались существенные доработки известных схем, поскольку в них необходимо было заменить либо тиристоры, либо мощные биполярные транзисторы, в основе работы которых лежат совершенно другие принципы. В высокочастотных устройствах ситуация складывается несколько иначе. Хотя принцип работы МДП-транзисторов действительно другой, но схемные изменения здесь намного проще, а получаемые преимущества стоят того, чтобы такие доработки провести [5].
Когда исследователи разрабатывали технологию высокочастотного полевого транзистора с управляющим р-п переходом, они стремились, главным образом, к увеличению произведения коэффициента усиления на ширину полосы пропускания, к созданию быстродействующего элемента интегральных схем и, как это выясняется сейчас, к удовлетворению желания создать твердотельную «вакуумную лампу». Теперь цели изменились, и развитие высокочастотных мощных полевых транзисторов идет в двух различных направлениях. Одним из них является поиск пути повышения мощности на частотах СВЧ диапазона, для разработки, например, источника мощности для СВЧ печей, выполненного на транзисторах и ИС. Другим направлением является разработка полевых транзисторов с повышенными стабильностью и надежностью, работающих в широкой полосе частот и обеспечивающих в заданном диапазоне минимальный шум, что необходимо для связных систем.